| 日時 |
2023年 1月27日(金) 09:35 - 16:55 |
| 議題 |
化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| 会場名 |
機械振興会館 B3 研修-1 |
| 住所 |
〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8 |
| 交通案内 |
東京メトロ日比谷線神谷町駅から徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html |
会場世話人
連絡先 |
東芝 河口民雄
050-3190-9079 |
| 他の共催 |
◆IEEE MTT-S Japan Chapter；IEEE MTT-S Kansai Chapter；IEEE MTT-S Nagoya Chapter協賛
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| お知らせ |
◎(1/12更新) 1月研究会はハイブリッド形態で開催します．なお，今後の感染状況の変化によっては，急遽，完全オンライン開催に変更する場合もあり得ますことを予めご了承ください．
参加予定の方は以下の詳細をよくご確認のうえ，参加登録フォーム（最下部にURL記載）より参加登録をお願いいたします．
詳細：https://www.ieice.org/~mw/Term.html |
◎現地参加予定の皆様：
(1) 学会の研究会開催方針により，事前参加登録が必須となっております（完全予約制）．事前のご登録が確認できない場合には，参加をお断りする場合がございます．また，参加登録時には連絡先（住所・電話番号）のご記入にもご協力をお願いいたします．
(2) 航空券や宿泊等を予約される方は，事前に各々のキャンセル規程等を十分ご確認ください．誠に申し訳ございませんが，キャンセル料は学会で負担いたしかねますので，予めご了承のほどよろしくお願いいたします．
(3) 学会の研究会開催方針により，緊急事態宣言発令の地域に在住もしくは勤務されている方は，現地参加を自粛してください．
(4) 以下の参加登録フォームから事前参加登録のうえ，当日，会場までお越しください．また，マスク着用・手指消毒等の感染防止対策にご協力ください．体調が優れない場合には現地参加をご遠慮ください． |
◎オンラインにて発表・聴講予定の皆様：
以下のフォームから事前参加登録を行ってください．研究会開催数日前に接続先URLをメールでご案内いたします． |
◎参加登録フォーム（現地・オンラインに関わらず参加者全員）：
https://forms.gle/YbJXjVuLf248UUmX7 |
参加費に
ついて |
この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（MW研究会, ED研究会）についてはこちらをご覧ください． |
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09:30-09:35 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
1月27日(金) 午前 MW1
座長: 草間 裕介 (東洋大学)
09:35 - 10:50 |
| (1) |
09:35-10:00 |
アンダーサンプリング周波数の異なる複数パスによるR Fスペクトラム再生法における各パスの伝達関数補正法 |
○芝 隆司・古市朋之・末松憲治（東北大） |
| (2) |
10:00-10:25 |
比帯域幅30%以上で単向性の放射パターンを持つ無給電素子装荷広帯域フィルタリングアンテナの設計 |
○崎山 拳・大平昌敬・馬 哲旺（埼玉大） |
| (3) |
10:25-10:50 |
複数の仕様に応じたマイクロストリップBPF自動設計のための強化学習手法 |
○浅井悠登・大平昌敬・馬 哲旺（埼玉大） |
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10:50-11:00 |
休憩 （ 10分 ） |
1月27日(金) 午前 MW2
座長: 濱野 皓志 (住友電工デバイスイノベーション株式会社)
11:00 - 11:50 |
| (4) |
11:00-11:25 |
1入力広帯域GaN増幅器のバイアス依存性の測定評価 |
○中川祐希・加保貴奈（湘南工科大）・坂田修一・小松崎優治・山中宏治（三菱電機） |
| (5) |
11:25-11:50 |
不等間隔くし形安定化回路を用いたX帯600W超高出力IM-FET |
○桑田英悟・杉谷拓海・山崎貴嗣・加茂宣卓・新庄真太郎（三菱電機） |
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11:50-12:50 |
休憩 （ 60分 ） |
1月27日(金) 午後 ED1
座長: 山本 佳嗣 （三菱電機)
12:50 - 14:30 |
| (6) |
12:50-13:15 |
GaN HEMTのGaNトラップが低周波Y22パラメータに与える影響の検討 ～ デバイスシミュレーション ～ |
諸隈奨吾（佐賀大）・大塚友絢（三菱電機）・○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機） |
| (7) |
13:15-13:40 |
GaAs基板上に形成したNi-Pめっき膜の応力解析 |
○西澤弘一郎（三菱電機）・松本 歩・福室直樹（兵庫県立大）・中川康幸・佐久間 仁・後藤清毅（三菱電機）・八重真治（兵庫県立大） |
| (8) |
13:40-14:05 |
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証 |
○南條拓真・品川友宏・綿引達郎・三浦成久・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大） |
| (9) |
14:05-14:30 |
Beyond 5G実現に向けたN極性GaN HEMTへの期待と課題 |
○吉田成輝・牧山剛三・早坂明泰・眞壁勇夫・中田 健（住友電工） |
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14:30-14:45 |
休憩 （ 15分 ） |
1月27日(金) 午後 MW3
座長: 河口 民雄 (東芝)
14:45 - 16:05 |
| (10) |
14:45-15:25 |
［招待講演］マイクロ波ミリ波帯におけるGaN電力増幅器のための回路、デバイス技術 |
○松永高治（湘南工科大） |
| (11) |
15:25-16:05 |
［招待講演］シェアリング基地局用送信増幅器についての検討 |
○山中宏治・小松崎優治・坂田修一・齋木研人（三菱電機）・加保貴奈（湘南工科大） |
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16:05-16:15 |
休憩 （ 10分 ） |
1月27日(金) 午後 MW4
座長: 石川 亮 (電通大)
16:15 - 16:55 |
| (12) |
16:15-16:55 |
［招待講演］産業競争力の源泉としてのマイクロ波半導体・回路 |
○本城和彦（電通大） |
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16:55-17:00 |
閉会挨拶（ED研委員長） （ 5分 ） |
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