7月17日(木) 午前
座長: 川中 繁（東芝）
09:00 - 10:15 |
| (1) |
09:00-09:25 |
(100), (110)基板上High-k/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察 |
○佐藤基之・杉田義博・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） |
| (2) |
09:25-09:50 |
High-kゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 ～ ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響 ～ |
○小林茂樹・齋藤真澄・内田 建（東芝） |
| (3) |
09:50-10:15 |
45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減 |
○筒井 元・角田一晃・刈谷奈由太・秋山 豊・阿部倫久・丸山信也・深瀬 匡・鈴木三惠子・山縣保司・今井清隆（NECエレクトロニクス） |
| |
10:15-10:30 |
休憩 （ 15分 ） |
7月17日(木) 午前
座長: 上田 佳孝（三洋電機）
10:30 - 12:10 |
| (4) |
10:30-10:55 |
プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM |
○薮内 誠・新居浩二・塚本康正・大林茂樹・今岡 進（ルネサステクノロジ）・山上由展・石倉 聡・寺野登志夫・里見勝治・赤松寛範（松下電器）・篠原尋文（ルネサステクノロジ） |
| (5) |
10:55-11:20 |
高信頼なLSIを実現するための微小遅延欠陥検出技術 |
○野口宏一朗・野瀬浩一（NEC）・尾野年信（NECエレクトロニクス）・水野正之（NEC） |
| (6) |
11:20-12:10 |
［招待講演］コンパクトモデルの進化 ～ 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴 ～ |
○大黒達也（東芝/広島大）・三浦道子（広島大） |
| |
12:10-13:10 |
昼食 （ 60分 ） |
7月17日(木) 午後
座長: 渡辺 重佳（湘南工大）
13:10 - 14:50 |
| (7) |
13:10-14:00 |
［招待講演］究極の集積化を目指すスーパーチップ技術 |
○小柳光正・田中 徹（東北大） |
| (8) |
14:00-14:50 |
［特別講演］微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向 |
○平本俊郎（東大/MIRAI-Selete）・竹内 潔・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Arifin T.P.（東大）・西田彰男・蒲原史朗（MIRAI-Selete） |
| |
14:50-15:05 |
休憩 （ 15分 ） |
7月17日(木) 午後
座長: 平本 俊郎（東大）
15:05 - 16:20 |
| (9) |
15:05-15:30 |
ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現 |
○亀代典史・渡部隆夫・石井智之・峰 利之（日立）・佐野聡明（ルネサス北日本セミコンダクタ）・伊部英史・秋山 悟（日立）・柳沢一正・一法師隆志・岩松俊明・高橋保彦（ルネサステクノロジ） |
| (10) |
15:30-15:55 |
独立したゲートを持つスタック型3次元トランジスタによるシステムLSIの設計法 |
○廣島 佑・渡辺重佳（湘南工科大） |
| (11) |
15:55-16:20 |
カーボンナノチューブ素子におけるデバイスと回路のCo-Design ～ カーボンナノチューブがシリコンCMOSを凌駕するためには? ～ |
○藤田 忍（東芝） |
| |
16:20-16:35 |
休憩 （ 15分 ） |
7月17日(木) 午後
座長: 川中 繁（東芝）
16:35 - 17:35 |
| (12) |
16:35-17:35 |
［パネル討論］新デバイス・回路技術の将来展望（１）
大黒達也（広大，東芝）・小柳光正（東北大）・平本俊郎（東大） |
7月18日(金) 午前
座長: 浦野 正美（NTT）
09:00 - 10:15 |
| (13) |
09:00-09:25 |
サブスレッショルド領域で動作する低消費電力LSIの高速化の検討 |
○鶴窪 淳・渡辺重佳（湘南工科大） |
| (14) |
09:25-09:50 |
リアルタイムスケジューリングを用いたシステムLSI電源電圧の低電力化の検討 |
○佐藤賢和・渡辺重佳（湘南工科大） |
| (15) |
09:50-10:15 |
突入電流バイパス電源配線を用いて1μs以内で電源復帰できるパワーゲーティング技術 |
○中山耕一・川崎健一・塩田哲義・井上淳樹（富士通研） |
| |
10:15-10:30 |
休憩 （ 15分 ） |
7月18日(金) 午前
座長: 岡野 廣（富士通）
10:30 - 12:10 |
| (16) |
10:30-11:20 |
［招待講演］CMOS技術によるバイオメディカルフォトニックデバイス |
○徳田 崇・太田 淳（奈良先端大） |
| (17) |
11:20-12:10 |
［招待講演］無線/光配線による三次元集積の課題と展望 |
○岩田 穆・横山 新（広島大） |
| |
12:10-13:10 |
昼食 （ 60分 ） |
7月18日(金) 午後
座長: 堺谷 智（ローム）
13:10 - 14:00 |
| (18) |
13:10-14:00 |
［招待講演］集積化MEMSのRF CMOSへの期待 |
○益 一哉（東工大） |
| |
14:00-14:15 |
休憩 （ 15分 ） |
7月18日(金) 午後
座長: 川中 繁（東芝）
14:15 - 15:55 |
| (19) |
14:15-14:40 |
先端不揮発性メモリのBiCS型積層化に関する検討 ～ BiCS型FeRAM、MRAMの基礎検討 ～ |
○渡辺重佳・菅野孝一・玉井翔人（湘南工科大） |
| (20) |
14:40-15:05 |
FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善 |
○鬼沢 岳・加藤慎一・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） |
| (21) |
15:05-15:30 |
極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響 |
○後藤正和・辰村光介・川中 繁・中嶋一明・市原玲華・吉水康人・小野田裕之・長友浩二・佐々木俊行・福島 崇・野町映子・犬宮誠治・青山知憲・小山正人・豊島義明（東芝） |
| (22) |
15:30-15:55 |
ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI）を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET ～ ハイブリッド・ゲート構造 ～ |
大田裕之（富士通研）・川村和郎（富士通マイクロエレクトロニクス）・福留秀暢（富士通研）・田島 貢・岡部堅一（富士通マイクロエレクトロニクス）・○池田圭司・保坂公彦・籾山陽一・佐藤成生・杉井寿博（富士通研） |
| |
15:55-16:10 |
休憩 （ 15分 ） |
7月18日(金) 午後
座長: 井上 弘士（九大）
16:10 - 17:10 |
| (23) |
16:10-17:10 |
［パネル討論］新デバイス・回路技術の将来展望（２）
徳田 崇（奈良先端大）・岩田 穆（広大）・益 一哉（東工大） |
ge
cel