6月26日(月) 午前
10:00 - 15:30 |
| |
10:00-10:10 |
挨拶 & SDM研究会若手優秀発表賞表彰式 （ 10分 ） |
| (1) |
10:10-10:50 |
［記念講演］表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく 極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計 |
○隅田 圭・姜 旼秀・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大） |
| (2) |
10:50-11:30 |
［記念講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響 |
○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研） |
| (3) |
11:30-11:50 |
自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価 |
○奥平 諒（関西学院大）・川那子高暢（東工大）・細井卓治（関西学院大） |
| (4) |
11:50-12:10 |
FeナノドットへのSiH4照射がシリサイド化反応に及ぼす影響 |
○斎藤陽斗・牧原克典・谷田 駿・田岡紀之・宮﨑誠一（名大） |
| (5) |
12:10-12:30 |
熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価 |
○佐野友之輔（名大）・田岡紀之（愛知工大）・牧原克典（名大）・大田晃生（福岡大）・宮﨑誠一（名大） |
| |
12:30-13:30 |
昼休憩 （ 60分 ） |
| (6) |
13:30-14:10 |
［依頼講演］オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓 |
○藤原弘和・糸矢祐喜・小林正治・バレイユ セドリック・辛 埴・谷内敏之（東大） |
| (7) |
14:10-14:50 |
［依頼講演］結晶相転移接合トランジスタの実証 |
○冨岡克広・勝見 悠・本久順一（北大） |
| (8) |
14:50-15:30 |
［招待講演］加熱その場高分解能TEMを用いた薄膜Si固相結晶化過程の原子スケールリアルタイム観察 ～ 多結晶Siチャネル高性能化に向けて ～ |
○手面 学・浅野孝典・高石理一郎・富田充裕・齋藤真澄・田中洋毅（キオクシア） |
| |
- |
研究会終了後、広島大学・ナノデバイス研究所見学（希望者対象） |
i
k
n
i