8月26日(木) 午前 要素回路技術
09:10 - 12:15 |
| (1) |
09:10-09:35 |
複数IPコア回路におけるスリープブロックの寄生容量を用いたチップ内電源共振雑音低減手法 |
○金 鎮明・名倉 徹（東大）・高田英裕・石橋孝一郎（ルネサステクノロジ）・池田 誠・浅田邦博（東大） |
| (2) |
09:35-10:00 |
レプリカVCOゲインキャリブレーションを用いた適応電力型ワイドレンジトランシーバの開発 |
江渕剛志・小松義英・三浦成友・千葉智子・岩田 徹・○道正志郎・吉河武文（パナソニック） |
| (3) |
10:00-10:25 |
チョッパアンプを用いた電圧平均化フィードバックを適用した高精度オンチップRC発振器 |
○徳永祐介・崎山史朗・道正志郎（パナソニック） |
| (4) |
10:25-10:50 |
A 2.7mW 4th-Order Active Gm-RC Bandpass Filter with 60MHz Center Frequency and Digital/Analog Tuning Techniques |
○Jingbo Shi・Takayuki Konishi・Toru Kashimura・Shoichi Masui（Tohoku Univ） |
| |
10:50-11:00 |
休憩 （ 10分 ） |
| (5) |
11:00-11:25 |
時間軸信号処理を用いたAD変換方式の検討 |
○高山雅夫・三木拓司・道正志郎（パナソニック） |
| (6) |
11:25-11:50 |
デジタルメモリ効果補正を用いた10bit-300MHzダブルサンプリングパイプラインADCの開発 |
○三木拓司・森江隆史・尾関俊明・道正志郎（パナソニック） |
| (7) |
11:50-12:15 |
静的消費電流ゼロのプルアップ回路 |
○上野達也（山武） |
| |
12:15-13:00 |
昼食 （ 45分 ） |
8月26日(木) 午後 グリーン・コンピューティング
13:00 - 14:40 |
| (8) |
13:00-13:25 |
高スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ |
○柳川善光・小埜和夫・小田部 晃・関口知紀（日立） |
| (9) |
13:25-13:50 |
エネルギー収支からみた細粒度電源制御技術の設計制約 ～ Power Gating編 ～ |
○井上淳樹（富士通研） |
| (10) |
13:50-14:15 |
エネルギー収支からみた細粒度電源制御技術の設計制約 ～ DVFS編 ～ |
○井上淳樹（富士通研） |
| (11) |
14:15-14:40 |
ペタスケールコンピュータ用128GFLOPS/58W SPARC64VIIIfxプロセッサの電力解析および電力削減手法 |
○川辺幸仁（富士通研）・岡野 廣・菅 竜二・吉田利雄・山崎 巌・櫻井仁士・本藤幹雄・松井宣幸・山下英男・中田達己・丸山拓巳・浅川岳夫（富士通） |
| |
14:40-14:50 |
休憩 （ 10分 ） |
8月26日(木) 午後 MEMS技術
14:50 - 19:00 |
| (12) |
14:50-15:40 |
［招待講演］MEMS/BEANSが可能にするグリーンテクノロジー |
○三木則尚（慶大/BEANS） |
| (13) |
15:40-16:30 |
［招待講演］マイクロエネルギーシステムに向けたMEMS技術の展開 |
○鈴木雄二（東大） |
| (14) |
16:30-17:20 |
［招待講演］光ファイバ給電による広域センサネットワーク |
○田中洋介・黒川隆志（東京農工大） |
| |
17:20-17:30 |
休憩 （ 10分 ） |
| (15) |
17:30-19:00 |
「VLSI-MEMS融合で拓くグリーンテクノロジ」
オーガナイザ＆モデレータ：三田吉郎（東大）
パネリスト：三木則尚（慶大）、鈴木雄二（東大）、
田中洋介（農工大）、竹内 健（東大）、平本俊郎（東大） |
8月27日(金) 午前 SSD
09:00 - 11:05 |
| (16) |
09:00-09:25 |
高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法 |
○田中丸周平（東大）・江角 淳・伊東充吉・李 凱（シグリード）・竹内 健（東大） |
| (17) |
09:25-09:50 |
単一セル自己昇圧法による10V動作，書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD |
○宮地幸祐・野田晋司・畑中輝義（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大） |
| (18) |
09:50-10:15 |
NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ（SSD） |
○畑中輝義・石田光一・安福 正（東大）・宮本晋示・中井弘人（東芝）・高宮 真・桜井貴康・竹内 健（東大） |
| (19) |
10:15-11:05 |
［招待講演］実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発 |
○前田展秀・金 永ソク（東大）・彦坂幸信・恵下 隆（富士通セミコンダクター）・北田秀樹・藤本興治（東大）・水島賢子（富士通研）・鈴木浩助（大日本印刷）・中村友二（富士通研）・川合章仁・荒井一尚（ディスコ）・大場隆之（東大） |
| |
11:05-11:15 |
休憩 （ 10分 ） |
8月27日(金) 午前 エマージングメモリ
11:15 - 12:30 |
| (20) |
11:15-11:40 |
[依頼講演] Top-pinned構造を用いた高密度1T/1MTJセルスピン注入型MRAM |
○李 永ミン・吉田親子・角田浩司・梅原慎二郎・青木正樹・杉井寿博（富士通研） |
| (21) |
11:40-12:05 |
ユニバーサルメモリを目指した積層型MRAMの研究 |
○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大） |
| (22) |
12:05-12:30 |
酸化物導電膜チャネルを用いた積層型FeRAMの検討 |
○菅野孝一・渡辺重佳（湘南工科大） |
| |
12:30-13:20 |
昼食 （ 50分 ） |
8月27日(金) 午後 高信頼技術
13:20 - 15:00 |
| (23) |
13:20-13:45 |
DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析 |
○平本俊郎・鈴木 誠・更屋拓哉・清水 健（東大）・西田彰男・蒲原史朗・竹内 潔・最上 徹（MIRAI-Selete） |
| (24) |
13:45-14:10 |
プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 |
○宮地幸祐・田中丸周平・本田健太郎（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） |
| (25) |
14:10-14:35 |
A 65nm Bistable Cross-coupled Dual Modular Redundancy Flip-Flop Capable of Protecting Soft Errors on the C-element |
Jun Furuta（Kyoto Univ.）・Chikara Hamanaka・○Kazutoshi Kobayashi（Kyoto Inst. of Tech.）・Hidetoshi Onodera（Kyoto Univ.） |
| (26) |
14:35-15:00 |
不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用 |
○井口智明・丸亀孝生・棚本哲史・杉山英行・石川瑞恵・斉藤好昭（東芝） |
| |
15:00-15:10 |
休憩 （ 10分 ） |
8月27日(金) 午後 デバイス
15:10 - 16:50 |
| (27) |
15:10-15:35 |
MOSダブルゲート/ CNTトランジスタを用いた論理回路の設計法 |
○林 隆程・渡辺重佳（湘南工科大） |
| (28) |
15:35-16:00 |
SGTを用いたシステムLSIのパターン設計法 |
○小玉貴大・渡辺重佳（湘南工科大） |
| (29) |
16:00-16:25 |
「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 |
○水谷朋子（東大）・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Anil Kumar（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete） |
| (30) |
16:25-16:50 |
極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価 |
○柳 永勲・遠藤和彦・大内真一（産総研）・亀井貴弘（明大）・塚田順一・山内洋美・石川由紀（産総研）・林田哲郎（明大）・坂本邦博・松川 貴（産総研）・小椋厚志（明大）・昌原明植（産総研） |
: 
ge
a
s