3月5日(月) 午前
10:00 - 16:30 |
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10:00-10:05 |
開会の挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
10:05-10:50 |
［基調講演］BEOLプロセスを用いた超低電圧デバイスの開発 |
○木村紳一郎（超低電圧デバイス技研組合） |
| (2) |
10:50-11:20 |
Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス |
○久米一平・井上尚也・肱岡健一郎・川原 潤・武田晃一・古武直也・白井浩樹・風間賢也・桑原愼一・渡會雅敏・佐甲 隆・高橋寿史・小倉 卓・泰地稔二・笠間佳子（ルネサス エレクトロニクス） |
| (3) |
11:20-11:50 |
InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化 |
○金子貴昭・井上尚也・齋藤 忍・古武直也・砂村 潤・川原 潤・羽根正巳・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス） |
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11:50-13:00 |
昼食，休憩 （ 70分 ） |
| (4) |
13:00-13:30 |
ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究 |
○尾白佳大・小川修一（東北大）・犬飼 学（高輝度光科学研究センター）・佐藤元伸（産総研）・池永英司・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）・二瓶瑞久（産総研）・高桑雄二（東北大）・横山直樹（産総研） |
| (5) |
13:30-14:00 |
ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜 |
○清水秀治（大陽日酸/東大）・嶋 紘平・百瀬 健（東大）・小林芳彦（大陽日酸）・霜垣幸浩（東大） |
| (6) |
14:00-14:30 |
微小流路型反応器を利用した銅めっき液中添加剤作用の解析 |
○齊藤丈靖・宮本 豊・服部 直・岡本尚樹・近藤和夫（阪府大） |
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14:30-14:55 |
休憩 （ 25分 ） |
| (7) |
14:55-15:25 |
3次元実装TSVへのコンフォーマル無電解バリアメタルの形成 |
○有馬良平・三宅浩志・井上史大・清水智弘・新宮原正三（関西大） |
| (8) |
15:25-15:55 |
Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係 |
○北田秀樹（東大/富士通研）・前田展秀・藤本興冶・児玉祥一・金 永束（東大）・水島賢子（東大/富士通研）・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大） |
| (9) |
15:55-16:25 |
Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価 |
○中塚 理（名大）・北田秀樹・金 永束（東大）・水島賢子・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大）・財満鎭明（名大） |
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16:25-16:30 |
閉会の挨拶 （ 5分 ） |
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