1月30日(月) 午後
13:00 - 16:55 |
| |
13:00-13:10 |
研究会担当者からのアナウンスなど （ 10分 ） |
| (1) |
13:10-13:40 |
［招待講演］セル面積極小化に向けたIGZO/Ge/2Si異種チャネル3次元集積型6T SRAMの開発 |
○張 文馨（産総研）・余 心仁・洪 子杰・李 耀仁（台湾半導体研究中心）・趙 天生（台湾陽明交通大）・王 永和（台湾成功大）・前田辰郎（産総研） |
| (2) |
13:40-14:10 |
［招待講演］高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM |
○大嶋和晃・遠藤正己・沼田至優・恵木勇司・井坂史人・大野敏和・手塚祐朗・濱田俊樹・古谷一馬・津田一樹・松嵜隆徳・大貫達也・村川 努・國武寛司（半導体エネルギー研）・小林正治（東大）・山﨑舜平（半導体エネルギー研） |
| (3) |
14:10-14:40 |
［招待講演］25 nm iPMA-type Hexa-MTJ with solder reflow capability and endurance >107 for eFlash-type MRAM |
H Honjoi・K Nishioka・S Miura・○Hiroshi Naganuma・T Watanabe・T Nasuno・T Tanigawa・Y Noguchi・H Inoue・M Yasuhiro・S Ikeda・T Endoh（Tohoku Univ.） |
| |
14:40-14:55 |
休憩 （ 15分 ） |
| (4) |
14:55-15:25 |
［招待講演］RonAと逆導通信頼性のトレードオフ改善を実現する、SiC-MOSFETにおける効果的なSBD内蔵構造 |
○朝羽俊介・古川 大・楠本雄司（東芝デバイス&ストレージ）・飯島良介（東芝）・河野洋志（東芝デバイス&ストレージ） |
| (5) |
15:25-15:55 |
［招待講演］Ge2Sb2Te3S2を用いた不揮発性相変化中赤外光位相シフタ |
○宮武悠人（東大）・牧野孝太郎・富永淳二・宮田典幸・中野隆志・岡野 誠（産総研）・トープラサートポン カシディット・高木信一・竹中 充（東大） |
| (6) |
15:55-16:25 |
［招待講演］未来のテラヘルツ応用に向けた共鳴トンネルダイオード技術 |
○鈴木左文（東工大） |
| (7) |
16:25-16:55 |
［招待講演］IEDM2022を振り返って
○黒田理人（東北大） |
n-u