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技報の〆切日は7/1前後となります。
正確な日付は事務局より6月下旬に通知されます。
本研究会は北海道大学(現地)とオンラインとを併用したハイブリッド形式にて開催いたします。



シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大見 俊一郎 (東工大)
副委員長 宇佐美 達矢 (ラピダス)
幹事 諏訪 智之 (東北大), 野田 泰史 (パナソニック)
幹事補佐 細井 卓治 (関西学院大), 二瀬 卓也 (ウエスタンデジタル)

集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 池田 誠 (東大)
副委員長 若林 準人 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)
幹事 吉原 義昭 (キオクシア), 宮地 幸祐 (信州大)
幹事補佐 白井 僚 (京大), 塩見 準 (阪大), 久保木 猛 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)

情報センシング研究会(ITE-IST) [schedule] [select]
委員長 池辺 将之 (北大)
担当幹事 小室 孝 (埼玉大), 下ノ村 和弘 (立命館大), 香川 景一郞 (静岡大)
担当幹事 徳田 崇 (東工大), 黒田 理人 (東北大), 北村 和也 (NHK), 山下 雄一郎 (TSMC), 大倉 俊介 (立命館大), 竹本 良章 (メムスコア)
担当幹事補佐 秋田 純一 (金沢大)

日時 2023年 8月 1日(火) 10:00 - 17:00
2023年 8月 2日(水) 09:00 - 17:00
2023年 8月 3日(木) 09:30 - 15:30
議題 アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
会場名 北海道大学 情報教育館 3F スタジオ型多目的中講義室(ハイブリッド開催) 
住所 札幌市北区北16条西8丁目
交通案内 https://www.imc.hokudai.ac.jp/event/event/%E6%83%85%E5%A0%B1%E6%95%99%E8%82%B2%E9%A4%A8%E4%BD%8D%E7%BD%AE%E5%9B%B3.pdf
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会, ICD研究会)についてはこちらをご覧ください

8月1日(火) 午前 
座長: 兼本 大輔(大阪大学)
10:00 - 13:00
(1)
ICD
10:00-10:45 [招待講演]最先端CMOSプロセスを適用した小型高分解能サイクリックA/D変換器の開発 ○大島 俊・山本敬亮・小野豪一(日立)
(2)
ICD
10:45-11:10 量子デバイスの環境モニタリングに向けた極低温AD変換器の検討 ○山田友弥・髙橋亮蔵・三木拓司・永田 真(神戸大)
(3)
ICD
11:10-11:35 量子コンピュータ向けフリップチップシリコンインターポーザの極低温評価 ○田口美里・高橋亮蔵(神戸大)・加藤薫子・楠野順弘(日立)・三木拓司・永田 真(神戸大)
(4)
ITE-IST
11:35-12:00 相補型バイアス制御による低電圧VCO型ADCの高線形化 ○富樫拓斗・小松純大・池辺将之(北大)
  12:00-13:00 昼食 ( 60分 )
8月1日(火) 午後 
座長: 辻 将信(ローム), 佐久間 究(キオクシア)
13:00 - 17:00
(5)
ICD
13:00-13:45 [招待講演]低電力半導体技術の研究開発と応用の拡大 ~ 43年間の半導体研究を振り返って ~ ○石橋孝一郎(電通大)
(6)
ICD
13:45-14:30 [招待講演]低消費電力センサと無線技術の研究動向 ○道正志郎・石原 昇・伊藤浩之(東工大)
(7)
ITE-IST
14:30-15:15 [招待講演](仮)エッジAIの現状と今後の展望 ○本村真人(東工大)
  15:15-15:25 休憩 ( 10分 )
(8)
SDM
15:25-16:10 [招待講演]短チャネルバルクMOSFETsの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源 ○稲葉 工・岡 博史・浅井栄大・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・福田浩一・森 貴洋(産総研)
(9)
SDM
16:10-16:35 高圧水素アニールによるSi (110)面 n-MOSFETの極低温特性改善 ○下方駿佑(慶大/産総研)・岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・加藤公彦・森 貴洋(産総研)
(10)
SDM
16:35-17:00 クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析 ○李 龍聖・森 貴之(金沢工大)・岡 博史・森 貴洋(産総研)・井田次郎(金沢工大)
8月2日(水) 午前 
座長: 安江 俊夫(ソニーセミコンダクタソリューションズ) / 八重樫 浩(ティアテック)
09:00 - 13:15
(11)
ICD
09:00-09:45 [招待講演]10Gbps/Wのネットワークルーティング、40ms CANバス 起動および1.4mWの待機電力を実現する 33k DMIPS・6.4W車載コミュニケーションゲートウェイプロセッサ ○島田健市・佐野啓一郎・福岡一樹・森田浩史・大東正行・亀井達也・浜崎博幸・島崎靖久(ルネサス エレクトロニクス)
(12)
ICD
09:45-10:10 1W/8R 20T SRAMコードブックメモリによる深層学習プロセッサの主記憶帯域削減 ○大原遼太郎・加太雅也・太地正和・福永 篤・安田祐人・濱邉理玖・和泉慎太郎・川口 博(神戸大)
(13)
ITE-IST
10:10-10:35 LOFICイメージセンサに用いる小面積かつ高線形な列並列回路 ○堀田遼太郎・大倉俊介・大谷 愛・立田一葵(立命館大)・宮内 健・韓 相萬・大和田英樹・高柳 功(ブリルニクスジャパン)
  10:35-10:45 休憩 ( 10分 )
(14)
ITE-IST
10:45-11:30 [招待講演]イメージセンサ技術が創る情報センシングの社会 ○若林準人(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
(15)
ITE-IST
11:30-12:15 [招待講演]マルチモーダル・フレキシブルセンサシステム ○竹井邦晴(北大)
  12:15-13:15 昼食 ( 60分 )
8月2日(水) 午後 
座長: 森 貴洋(産総研)
13:15 - 17:00
(16)
SDM
13:15-14:00 [招待講演]原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ ○小林正治・日掛凱斗・李 卓・ハオ ジュンシャン・パンディ チトラ・更屋拓哉・平本俊郎(東大)・高橋崇典・上沼睦典・浦岡行治(奈良先端大)
(17)
SDM
14:00-14:45 [招待講演]先端ロジック集積回路向けデバイスの最新技術動向 ~ FinFET, BS-PDN, GAA-NS-FET, CFET, 2D-CFET ~ ○若林 整(東工大)
(18)
SDM
14:45-15:10 センサ・回路設計の共通プラットフォーム素子としての多端子MOSFET ○原田知親(山形大)
  15:10-15:20 休憩 ( 10分 )
(19) 15:20-17:00 パネルディスカッション
「エッジAIの未来と求められる要素技術」
モデレータ
池辺 将之(北海道大)
パネリスト
若林準人(ソニー)、島田健市(ルネサスエレクトロニクス)、若林整(東工大)、小林正治(東大)
8月3日(木) 午前 
座長: 平本 俊郎(東京大学)
09:30 - 13:00
(20)
SDM
09:30-10:15 [招待講演]二次元原子層材料デバイスの現状課題と開発展望 ○長汐晃輔(東大)
(21)
SDM
10:15-11:00 [招待講演]ビットコスト低減と持続可能性に向けた極低温7ビットセルフラッシュメモリの回復アニールによる再生利用 ○饗場悠太・田中 瞳・菊島史恵・田中洋毅・藤澤俊雄・向田秀子・佐貫朋也(キオクシア)
  11:00-11:10 休憩 ( 10分 )
(22)
ITE-IST
11:10-11:35 Stabilizing Variable Filters Using Inverse Trigonometric Functions ○Tian-Bo Deng(Toho Univ.)
(23)
ITE-IST
11:35-12:00 画像色相分析による水中海面層のクロロフィルa濃度分析手法 ○小迫隼也・濱崎利彦(広島工大)
  12:00-13:00 休憩 ( 60分 )
8月3日(木) 午後 
座長: 弘原海 潤治(キオクシア), 久保木 猛(熊本大学)
13:00 - 15:30
(24)
ICD
13:00-13:45 [招待講演]エネルギーの場,コンピューターのカタチ ○三浦典之(阪大)
(25)
ICD
13:45-14:30 [招待講演]パワーデバイス用負荷適応型アクティブゲートドライバ集積回路の研究開発 ○川井秀介・上野武司・高谷 聡・宮崎耕太郎(東芝)・鬼塚浩平(東芝欧州社)・石原寛明(東芝)
  14:30-14:40 休憩 ( 10分 )
(26)
ICD
14:40-15:05 Real-Time Gate Current Change Gate Driver IC to Adapt to Operating Condition Variations of SiC MOSFETs ○Dibo Zhang・Kohei Horii・Katsuhiro Hata・Makoto Takamiya(UTokyo)
(27)
ICD
15:05-15:30 Gate Driver IC with Fully Integrated Overcurrent Protection Function by Measuring Gate-to-Emitter Voltage ○Haifeng Zhang・Dibo Zhang・Hiromu Yamasaki・Katsuhiro Hata(Univ. of Tokyo)・Keiji Wada(Tokyo Metropolitan Univ.)・Kan Akatsu(Yokohama National Univ.)・Ichiro Omura(Kyusyu Institute of Technology)・Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 佐久間 究(キオクシア)
E--mail: oxia 
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 宮地 幸祐 (信州大学)
E--mail: knshu-u 
ITE-IST 情報センシング研究会(ITE-IST)   [今後の予定はこちら]
問合先 池辺将之 (北海道大学)
E--mail: ibeisti 


Last modified: 2023-07-26 13:42:30


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