6月21日(金) 午前 11:00 - 16:20 |
(1) |
11:00-11:35 |
[招待講演]絶縁膜/半導体界面における表面ポテンシャル分布がMOSキャパシタの電気特性に与える影響 |
○田岡紀之・一野祐亮・清家善之・森 竜雄(愛工大) |
(2) |
11:35-12:10 |
[招待講演]第一原理計算によるSiC(0001)ステップ界面へのNOアニーリング効果の予測 |
○植本光治・舩木七星斗(神戸大)・細井卓治(関学)・小野倫也(神戸大) |
(3) |
12:10-12:45 |
[招待講演]ランダムポテンシャルによるMOSFETの特性変化 |
○森 伸也(阪大) |
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12:45-14:00 |
昼食 ( 75分 ) |
(4) |
14:00-14:35 |
[招待講演]分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証 |
○隈部岳瑠(名大)・吉川 陽(旭化成)・川崎晟也・久志本真希・本田善央・新井 学・須田 淳・天野 浩(名大) |
(5) |
14:35-15:10 |
[招待講演]光ゲート効果による高感度グラフェン可視光イメージセンサ |
○嶋谷政彰・福島昌一郎・岩川 学・小川新平(三菱電機) |
(6) |
15:10-15:45 |
[招待講演]大規模言語モデル用材料分野ベンチマーク作成とそれによるChatGPT・Bardの評価 |
○吉武道子(OSX) |
(7) |
15:45-16:20 |
[招待講演]有機半導体のエネルギーバンド構造と電気伝導機構 ~ 伝導帯バンド構造の実測とポーラロン形成の実証 ~ |
○吉田弘幸(千葉大) |