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シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [schedule] [select]
専門委員長 浅野 種正 (九大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通)
幹事 川中 繁 (東芝)， 安斎 久浩 (ソニー)
幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大)

日時 2008年 3月14日(金)　13:00 - 16:45
議題 不揮発メモリと関連技術および一般 
会場名 機械振興会館 6階 65号会議室 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 地下鉄日比谷線神谷町駅下車 徒歩6分
http://www.jspmi.or.jp/

3月14日(金) 午後  ＳＤＭ 3月研究会（機械振興会館 6階 65号会議室）
13:00 - 16:45
  13:00-13:05 開催の辞　（ 5分 ）
(1) 13:05-13:30 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子 ○大場竜二・三谷祐一郎・杉山直治・藤田　忍（東芝）
(2) 13:30-13:55 高耐熱性相変化メモリ ○森川貴博（日立）
(3) 13:55-14:20 酸化物チャネル強誘電体ゲート不揮発性メモリ素子の作製と評価 ○柴田　宏・大岩朝洋・徳光永輔（東工大）
(4) 14:20-14:45 Characteristics of metal-ferroelectric-insulartor-semiconductor structures based on poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) ○Joo Won Yoon・Shun-ichiro Ohmi・Hiroshi Ishiwara（Tokyo Inst. of Tech）
  14:45-15:00 休憩　（ 15分 ）
(5) 15:00-15:25 先鋭マイクロバンプによる高密度・低温・エリア接続チップ積層技術 渡辺直也（くまもとテクノ）・岩崎　裕・○浅野種正（九大）
(6) 15:25-15:50 常温接続によるシリコン貫通電極チップ三次元化技術 ○田中直敬・吉村保廣・川下道宏（日立）・植松俊英・内藤孝洋・赤沢　隆（ルネサステクノロジ）
(7) 15:50-16:15 先端不揮発性メモリの将来展望とその積層化に関する基礎検討 ○渡辺重佳（湘南工科大）
(8) 16:15-16:40 独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタを用いたLSIの新設計法 ○廣島　佑・岡本恵介・渡辺重佳（湘南工科大）
  16:40-16:45 閉会の辞　（ 5分 ）

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
問合先 川中繁 (東芝)
TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104
E--mail geba 


Last modified: 2008-01-29 17:36:39


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