4月11日(木) 午前
座長: 兼本大輔（大阪大学)
09:30 - 11:35 |
| (1) |
09:30-10:20 |
［招待講演］PWMアーキテクチャーによる情報検索プロセッサ ～ ノイマン型コンピュータの理想を求めて ～ |
○井上克己（AOT） |
| (2) |
10:20-10:45 |
［依頼講演］A 3nm 32.5 TOPS/W, 55.0 TOPS/mm2 and 3.78 Mb/mm2 Fully Digital Computing-in-Memory Supporting INT12 x INT12 with Parallel MAC Architecture |
○HIdehiro Fujiwara（TSMC） |
| (3) |
10:45-11:10 |
［依頼講演］An SPN Strong PUF with SRAM-based Entropy Source Featuring Both 100-Bit Output Space and Modeling Attack Resilience |
○Kunyang Liu（Kyoto Univ.）・Yichen Tang（Lenovo）・Shufan Xu・Kiichi Niitsu（Kyoto Univ.）・Hirofumi Shinohara（Waseda Univ.） |
| (4) |
11:10-11:35 |
導波路を使ったICの熱問題に関する提案 ～ 電磁波導波路による熱問題対策技術 ～ |
○大内和幸（波動デバイス） |
| |
12:00-13:00 |
休憩 （ 60分 ） |
4月11日(木) 午後
座長: 野口 英和（マイクロンメモリージャパン株式会社）
13:00 - 14:15 |
| (5) |
13:00-13:25 |
高温動作向けナノブリッジベースの不揮発性メモリマクロ |
○根橋竜介・岡本浩一郎・阪本利司・多田宗弘（NBS） |
| (6) |
13:25-13:50 |
［依頼講演］高速書き込みと長時間情報保持を両立する大容量MRAM向け微細MTJ技術 |
○板井翔吾・都甲 大・杉山英行・鎌田親義・高嶋梨菜・小池剛央・中山昌彦（キオクシア） |
| (7) |
13:50-14:15 |
［依頼講演］200MHz超のランダムアクセス読み出し、10.4MB/sの書き換えを実現した高性能MCU向け22nm 10.8Mb混載MRAMマクロ |
○伊豆名雅之・小川大也・松原 謙・帯刀恭彦・斉藤朋也・武田晃一・金田義宣・下井貴裕・三谷秀徳・伊藤 孝・河野隆司（ルネサス エレクトロニクス） |
| |
14:15-14:30 |
休憩 （ 15分 ） |
4月11日(木) 午後
座長: 帯刀 恭彦（ルネサスエレクトロニクス株式会社）
14:30 - 16:10 |
| (8) |
14:30-14:55 |
［依頼講演］ノーマリーオフコンピューティングに向けたData Aware Storeアーキテクチャを持つ40nm 2kb不揮発性SRAMマクロ |
○鈴木健太・平賀啓三・別所和宏（ソニー）・宇佐美公良（芝浦工大）・梅林 拓（ソニー） |
| (9) |
14:55-15:45 |
［招待講演］A818-4094TOPS/W Capacitor-Reconfigured CIM Macro for Unified Acceleration of CNNs and Transformers |
○Kentaro Yoshioka（Keio） |
| (10) |
15:45-16:10 |
［依頼講演］SONOS Embedded Flash IP Using Trap-Depth-Controlled SiN Film Enabling Data Retention more than 10 years at 200C |
○Shoji Yoshida・Yashuhiro Taniguchi（Floadia） |
4月12日(金) 午前
座長: 加藤洋介 (ウエスタンデジタル合同会社)
09:30 - 11:35 |
| (11) |
09:30-10:20 |
［招待講演］大容量ダイナミックフラッシュメモリ |
○作井康司（ユニサンティス） |
| (12) |
10:20-10:45 |
［依頼講演］WL層数1000層の3次元フラッシュメモリを見据えたパッケージ内昇圧回路を用いたサーマルスロットリングレスSSD技術 |
○長谷川一磨・饗場悠太・李 旭・田中 瞳・宮崎隆行・佐貫朋也（キオクシア） |
| (13) |
10:45-11:35 |
［招待講演］Recent Developments and Challenges for NAND Flash Memory Interface |
○都井 敬（キオクシア） |
| |
12:00-13:00 |
休憩 （ 60分 ） |
4月12日(金) 午後
座長: 新居 浩二（TSMCデザインテクノロジージャパン株式会社）
13:00 - 14:30 |
| (14) |
13:00-13:25 |
［依頼講演］A 1Tb Density 3bits/Cell 3D-NAND Flash on a 2YY Tiers Technology with 300MB/s Write Throughput |
河合鉱一・○久下英比古（マイクロン） |
| (15) |
13:25-13:50 |
［依頼講演］5-Bit/2Cell(X2.5), 7-Bit/2Cell(X3.5), 9-Bit/2Cell(X4.5) NAND Flash Memory: Half Bit technology |
○柴田 昇・内川浩典・澁谷泰良・仲井健理・栁平康輔・井上裕文（キオクシア） |
| (16) |
13:50-14:15 |
［依頼講演］高速・大容量ストレージシステムをスケーラブルに実現するブリッジチップの開発 |
○池田真一・岩田 彰・大友吾一・鈴木智明・飯島浩晃・白石幹雄・川上愼也・永光正知・松岡良樹・佐藤聖人・土屋滋洋・繁田良則・青山琢磨（キオクシア） |
| |
14:15-14:30 |
休憩 （ 15分 ） |
4月12日(金) 午後
座長: 滋賀 秀裕（キオクシア株式会社）
14:30 - 16:10 |
| (17) |
14:30-14:55 |
［依頼講演］A bi-stable 1-transistor SRAM and a boosted transistor having intrinsic open-base BJT |
○Yuniarto Widjaja・Christopher Norwood・Kuk-Hwan Kim（Zeno Semiconductor, Inc.） |
| (18) |
14:55-15:20 |
［依頼講演］A 3-nm 27.6-Mbit/mm2 Self-timed SRAM Enabling 0.48 - 1.2 V Wide Operating Range with Far-end Pre-charge and Weak-Bit Tracking |
○青柳佑海人・薮内 誠・田中智孝・石井雄一郎・長田佳晃・中里高明・新居浩二・イザベル ワン・ユーハオ シュ・ホン-チェン チェン・ヒュン-ジェン リャオ・チュン-ユン ジョナサン チャン（TSMC） |
| (19) |
15:20-15:45 |
［依頼講演］3.7-GHz Multi-Bank High-Current Single-Port Cache SRAM with 0.5V-1.4V Wide Voltage Range Operation in 3nm FinFET for HPC Applications |
○長田佳晃・中里高明・新居浩二・Jhon-Jhy Liaw・Shien-Yang Michael Wu・Quincy Li・藤原英弘・Hung-Jen Liao・Tsung-Yung Jonathan Chang（TSMC） |
| (20) |
15:45-16:10 |
［依頼講演］A 3nm-FinFET 4.3 GHz 21.1 Mb/mm2 Double-Pumping 1-Read and 1-Write Pseudo-2-Port SRAM with a Folded-Bitline Multi-Bank Architecture |
○Masaru Haraguchi・Yorinobu Fujino・Yoshisato Yokoyama・Ming-Hung Chang・Yu-Hao Hsu・Hong-Chen Cheng・Koji Nii・Yih Wang・Tsung-Yung Jonathan Chang（TSMC） |
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