12月12日(金) 午前
09:30 - 16:50 |
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09:30-09:35 |
委員長挨拶（開会） （ 5分 ） |
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09:35-10:00 |
高出力1.3μm帯25Gbps EA変調器集積半導体レーザ |
○高橋博之（OKI）・島村知周・杉山 直・久保田宗親（OKIセミコンダクタ）・中村幸治（OKI） |
| (2) |
10:00-10:25 |
50nm位相連続波長掃引可能なSi-MEMS可動ミラーを用いたInP系波長可変面発光レーザ |
矢野哲夫・齋藤裕己・蒲原敦彦・野田隆一郎・手塚信一郎・藤村直之・大山将也・渡辺哲也・○平田隆昭（横河電機）・西山伸彦（東工大） |
| (3) |
10:25-10:50 |
間接注入励起を用いた量子カスケードレーザ ～ 注入層内キャリア数の動的抑圧効果 ～ |
○藤田和上・山西正道・枝村忠孝・杉山厚志・落合隆英・古田慎一・秋草直大・菅 博文（浜松ホトニクス） |
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10:50-11:00 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
11:00-11:25 |
［招待講演］半導体レーザ国際会議(ISLC 2008)報告 |
○辻 伸二（日立） |
| (5) |
11:25-11:50 |
1.3μm帯量子ドットDFBレーザ ～ 高密度量子ドットと縦型グレーティングの導入 ～ |
○天野 建・五島敬史郎・菅谷武芳・小森和弘・森 雅彦（産総研） |
| (6) |
11:50-12:15 |
回折レンズを用いた時空間同時集光 |
○山下 智（徳島大）・長谷川智士（宇都宮大）・早崎芳夫（徳島大/宇都宮大） |
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12:15-13:15 |
昼食 （ 60分 ） |
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13:15-13:20 |
LQE奨励賞表彰式 （ 5分 ） |
| (7) |
13:20-13:45 |
［奨励講演］半導体二重リング共振器を用いた波長可変レーザとその展開 |
○瀬川 徹・松尾慎治・硴塚孝明・佐藤具就・近藤康洋・鈴木博之・高橋 亮（NTT） |
| (8) |
13:45-14:10 |
Semiconductor Lasers with Optical Antiguiding Layers for Horizontal Transverse Modes |
○Hazuki Yoshida・Naoki Shomura・Takahiro Numai（Ritsumeikan Univ.） |
| (9) |
14:10-14:35 |
波長可変DFBレーザアレイ(TLA)の狭線幅化 |
○石井啓之・笠谷和生・大橋弘美（NTT） |
| (10) |
14:35-15:00 |
半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ |
○奥村忠嗣・黒川宗高・白尾瑞基・近藤大介・伊藤 瞳・西山伸彦・荒井滋久（東工大） |
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15:00-15:10 |
休憩 （ 10分 ） |
| (11) |
15:10-15:35 |
緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓 |
○野村一郎・岸野克巳・蛯沢智也・櫛田 俊・田才邦彦・中村 均・朝妻庸紀・中島 博（上智大） |
| (12) |
15:35-16:00 |
マイクロプロジェクター用638nm単一横モードLD |
○由川 真・島田尚往・柴田公隆・堀江淳一・小野健一・八木哲哉（三菱電機） |
| (13) |
16:00-16:25 |
波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調 |
○大坪孝二・松田 学（富士通研/富士通/光協会）・高田 幹・奥村滋一（富士通研）・江川 満（富士通研/富士通/光協会）・田中宏昌（富士通）・井出 聡（富士通研）・森 和行（富士通）・山本剛之（富士通研/富士通/光協会） |
| (14) |
16:25-16:50 |
光導波路集積型マイクロディスク量子カスケードレーザ |
○若山雄貴・岩本 敏・荒川泰彦（東大） |
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