1月13日(木) 午後
13:30 - 16:55 |
| (1) |
13:30-13:55 |
無線通信電力伝送のための受信受電用5.8GHzレクテナアレー |
○堀 正和・磯野晃輔・野地紘史・澁谷賢広（東京理科大）・川崎繁男（JAXA） |
| (2) |
13:55-14:20 |
フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討 |
○山本和也・久留須 整・宮下美代・鈴木 敏・井上 晃（三菱電機） |
| (3) |
14:20-14:45 |
信号線間交差部容量補償用近接グラウンドスルーホールを有するオフセット結合線路型カプラ |
○湯浅 健・田原志浩・大和田 哲・米田尚史（三菱電機） |
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14:45-15:00 |
休憩 （ 15分 ） |
| (4) |
15:00-15:25 |
高導電率溶液のマイクロ波均一加熱を目的とした電力吸収特性解析 |
○中島裕貴・今井 卓・田口健治・柏 達也（北見工大）・北澤敏秀（立命館大）・鈴木政浩・藤井寛一（原子力機構） |
| (5) |
15:25-15:50 |
広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器 |
○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） |
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15:50-16:05 |
休憩 （ 15分 ） |
| (6) |
16:05-16:30 |
光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器 |
○長谷宗彦・野坂秀之・山中祥吾・佐野公一・村田浩一（NTT） |
| (7) |
16:30-16:55 |
810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC |
○野坂秀之・長谷宗彦・佐野公一・村田浩一（NTT） |
1月14日(金)
09:30 - 15:20 |
| (8) |
09:30-09:55 |
デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 |
○田島正文・橋詰 保（北大） |
| (9) |
09:55-10:20 |
AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析 |
○小野寺 啓・中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） |
| |
10:20-10:35 |
休憩 （ 15分 ） |
| (10) |
10:35-11:00 |
耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化 |
○梅田英和・鈴木朝実良・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） |
| (11) |
11:00-11:25 |
Si基板上AlGaN/GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響 |
○古川拓也・賀屋秀介・池田成明・加藤禎宏（次世代パワーデバイス技研組合） |
| (12) |
11:25-11:50 |
Ka帯20W出力AlGaN／GaN HEMTの開発 |
○松下景一・桜井博幸・柏原 康・増田和俊・小野寺 賢・川崎久夫・高木一考・高田賢治・津田邦男（東芝） |
| |
11:50-13:00 |
昼食 （ 70分 ） |
| (13) |
13:00-13:25 |
3C-SiC-OI基板上でのMOSゲート絶縁膜のプロセス依存性 |
○横山圭祐・中村浩之・中尾 基・大西克典（九工大） |
| (14) |
13:25-13:50 |
裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET |
○金澤 徹・寺尾良輔・山口裕太郎・池田俊介・米内義晴・加藤 淳・宮本恭幸（東工大） |
| (15) |
13:50-14:15 |
InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ |
○堤 卓也・杉谷末広・西村一巳・井田 実（NTT） |
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14:15-14:30 |
休憩 （ 15分 ） |
| (16) |
14:30-14:55 |
76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT |
○金谷 康・天清宗山・渡辺伸介・山本佳嗣・小坂尚希・宮國晋一・後藤清毅・島 顕洋（三菱電機） |
| (17) |
14:55-15:20 |
IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術 |
○河井康史・宇治田信二・福田健志・酒井啓之・上田哲三・田中 毅（パナソニック） |
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