12月13日(木) 午前
09:30 - 17:00 |
| |
09:30-09:35 |
委員長挨拶（開会） （ 5分 ） |
| (1) |
09:35-10:00 |
高速MBE成長法による19層積層InGaAs／GaAs量子ドットレーザの利得評価 |
○田之上文彦（首都大東京/NICT）・菅原宏治（首都大東京）・赤羽浩一・山本直克（NICT） |
| (2) |
10:00-10:25 |
ポリマー光回路を用いた面出射光源の研究 |
○天野 建・佐々木史雄・浮田茂也・鈴木基史・青柳昌宏・小森和弘（産総研） |
| (3) |
10:25-10:50 |
GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化 |
○進藤隆彦・二見充輝・土居恭平・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） |
| |
10:50-11:00 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
11:00-11:25 |
AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調 |
○下山峰史・松田 学・奥村滋一・植竹理人・江川 満・山本剛之（富士通研） |
| (5) |
11:25-11:50 |
1550nm/1310nm 2波長発振高出力LD |
○森本慎太郎・森 浩・山田敦史・長島靖明・藤田幹明・大貫紳一・吉田谷弘明・三瀬一明（アンリツデバイス） |
| (6) |
11:50-12:15 |
選択的反導波クラッド層を設けた非対称リッジ型半導体レーザー |
○檜垣将広・沼居貴陽（立命館大） |
| |
12:15-13:15 |
昼食 （ 60分 ） |
| |
13:15-13:25 |
LQE奨励賞表彰式 （ 10分 ） |
| (7) |
13:25-13:50 |
［奨励講演］フォトニック結晶レーザによる特異な集光特性を有するビームの発生 |
○北村恭子・西本昌哉・酒井恭輔・野田 進（京大） |
| (8) |
13:50-14:15 |
［奨励講演］ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展 |
○田辺克明・荒川泰彦（東大） |
| (9) |
14:15-14:40 |
窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼り付けとそのハイブリッドレーザへの応用 |
○林 侑介・長部 亮・福田渓太・カン ジュンヒョン・渥美裕樹・西山伸彦・荒井滋久（東工大） |
| (10) |
14:40-15:05 |
フォトニック結晶面発光レーザにおける非発振バンドを介した散乱現象 |
○廣瀬和義・黒坂剛孝・渡邉明佳・杉山貴浩（浜松ホトニクス）・梁 永・野田 進（京大） |
| |
15:05-15:15 |
休憩 （ 10分 ） |
| (11) |
15:15-15:40 |
2次元光閉じ込め構造を用いた中空導波路DBRレーザのアサーマル特性と狭線幅特性の検討 |
○山川英明・阿久津友宏・坂口孝浩・小山二三夫（東工大） |
| (12) |
15:40-16:05 |
単一ストライプ構造を有する集積型波長可変レーザの注入同期特性 |
アルボレス メヒア アーロン・○鍬塚治彦（産総研）・金子俊光・上坂勝己・小路 元（住友電工）・石川 浩（産総研） |
| (13) |
16:05-16:30 |
1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源 |
○岩井則広・若葉昌布・小早川将子・清田和明・黒部立郎・小林 剛・木本竜也・向原智一・横内則之・粕川秋彦（古河電工） |
| (14) |
16:30-16:55 |
LGLC型波長可変レーザを用いたTunable TOSAにおけるフルC-band 10.7Gbps-80kmファイバ伝送 |
○直江和彦・中村 厚・笹田紀子・中西 慧・佐久間 康・元田勝也・山下 武・矢萩智彦（日本オクラロ）・鈴木崇功・有本英生・田中滋久（日立） |
| |
16:55-17:00 |
閉会挨拶 （ 5分 ） |
: 
_
