12月24日(火) 午後 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学領域 大講義室
13:00 - 17:00 |
| (1) |
13:00-13:25 |
特別招待講演 奈良先端科学技術大学院大学 藤井茉美
ダイヤモンドの水素終端2DHG表面の欠陥評価 |
(2)
SDM |
13:25-13:45 |
SiO2/GaN MOS構造における電極形成後アニール前後の界面及び膜中電荷の評価 |
○古川暢昭・上沼睦典・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） |
(3)
ITE-IDY |
13:45-14:05 |
ミストCVD法によるGa-Sn-O薄膜を用いたメモリスタ開発 |
○小林雅樹・杉崎澄生・木村 睦（龍谷大） |
(4)
ITE-IDY |
14:05-14:25 |
Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT |
○服部一輝・谷野健太・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・川原村敏幸（高知工科大） |
(5)
SDM |
14:25-14:45 |
量子デバイスに向けた球殻状タンパク質をテンプレートとしたCuInS2ナノ粒子作製 |
○唐木裕馬・宮永良子・岡本尚文・石河泰明（奈良先端大）・山下一郎（阪大）・浦岡行治（奈良先端大） |
(6)
ITE-IDY |
14:45-15:05 |
薄膜デバイスを用いた人工網膜の生体外実験 |
○豊田航平・冨岡圭佑・三澤慶悟・内藤直矢・木村 睦（龍谷大） |
(7)
ITE-IDY |
15:05-15:25 |
:ニューラルネットワークのための多層クロスポイント型シナプス素子 |
○津野拓海・近藤厚志・新村純平・田中 遼・山川大樹・柴山友輝・岩城江津子・木村 睦（龍谷大） |
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15:25-15:35 |
休憩 （ 10分 ） |
| (8) |
15:35-16:00 |
特別招待講演 奈良先端科学技術大学院大学 上沼睦典
薄膜材料を用いた熱電変換素子 |
(9)
SDM |
16:00-16:20 |
Stable Growth of (100)-Oriented Low Angle Grain Boundary Silicon Thin Films Extending to the length of 3000 μm by a Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization |
○Muhammad Arif Razali・Nobuo Sasaki・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST） |
(10)
ITE-IDY |
16:20-16:40 |
2段階堆積プロセスを用いた(Bi,La)4Ti3O12薄膜の結晶成長 |
○吉田 誉・石崎勇真・宮部雄太・木村 睦（龍谷大） |
(11)
ITE-IDY |
16:40-17:00 |
Ga-Sn-O薄膜を用いた抵抗変化型メモリの電極依存性 |
○橋本快人・倉崎彩太・田中 遼・杉崎澄生・角田 涼・木村 睦（龍谷大） |
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