12月10日(木) 午後 SiPH
12:55 - 15:00 |
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開会の挨拶 |
| (1) |
13:00-13:30 |
ウェハ接合によるシリコン上III-V量子ドットレーザの開発
田辺 克明 (京都大学) |
| (2) |
13:30-14:00 |
InP/Si直接貼付基板上へのInP系光デバイス集積化に関する研究
下村 和彦 (上智大学) |
| (3) |
14:00-14:30 |
DFBレーザ(貼り付け)(仮題)
西山 伸彦 (東京工業大学) |
| (4) |
14:30-15:00 |
鉄シリサイド半導体の基礎物性と光学応用
寺井 慶和、前田 佳均 (九州工業大学) |
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15:00-15:15 |
休憩 （ 15分 ） |
12月10日(木) 午後 OPE
座長: 山田 博仁（東北大）
15:15 - 16:55 |
| (5) |
15:15-15:40 |
Si細線を用いた位相演算型光シリアル・パラレル変換器の性能改善に関する数値解析検討 |
○荒牧恵悟・植之原裕行（東工大） |
| (6) |
15:40-16:05 |
周期分極反転ニオブ酸リチウムデバイスの縦続二次非線形効果を用いた全光超高速ゲートスイッチの数値解析 ～ デバイス作製誤差の影響 ～ |
○福地 裕・山本 雅・円田章宏（東京理科大） |
| (7) |
16:05-16:30 |
シリコンモノリシック集積光源に向けたゲルマニウム導波路の伝搬特性解析 |
○奥村忠嗣・小田克矢・葛西淳一・佐川みすず・諏訪雄二（日立） |
| (8) |
16:30-16:55 |
Si埋込み導波路型非対称マッハツェンダ干渉計による4次光離散フーリエ変換器の設計 |
○堀内礼子・吉野陽紀・塙 雅典（山梨大） |
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休憩 |
12月11日(金) 午前 SiPH
09:00 - 10:30 |
| (1) |
09:00-09:30 |
SiおよびGe発光素子(仮題)
諏訪 雄二 (日立製作所) |
| (2) |
09:30-10:00 |
Si基板上結晶成長(仮題)
杉山 正和 (東京大学) |
| (3) |
10:00-10:30 |
Si基板上結晶成長(仮題)
若原 昭浩 (豊橋技術科学大学) |
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10:30-10:45 |
休憩 （ 15分 ） |
12月11日(金) 午前 OPE
座長: 中川剛二（富士通研）
10:45 - 12:25 |
| (4) |
10:45-11:10 |
フィードフォワード制御による波長可変レーザの波長切替高速化 |
○立本雄大・木村凌河（九大）・下小園 真・石井啓之（NTT）・加藤和利（九大） |
| (5) |
11:10-11:35 |
高密度多層GI型円形コアポリマー並列光導波路 |
○鈴木球太・石榑崇明（慶大） |
| (6) |
11:35-12:00 |
導波路型光増幅素子の開発に向けたErxYbyY2-x-ySiO5結晶の作製と評価 |
○,近藤 史哉・一色秀夫（電通大） |
| (7) |
12:00-12:25 |
1310nm帯25Gbpsシリコンフォトニクス光送信器/CMOS受信器を用いた2km SMF/100m OM3-MMFエラーフリー伝送 |
○若山雄貴・奥村忠嗣・佐川みすず・松岡康信・有本英生（日立）・須永義則（日立金属） |
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12:25-13:45 |
昼食 （ 80分 ） |
12月11日(金) 午後 SiPH
13:45 - 15:20 |
| (8) |
13:45-14:15 |
高Ｑ値フォトニック結晶共振器を用いた低閾値シリコンラマンレーザ
高橋 和 (大阪府立大学) |
| (9) |
14:15-14:45 |
シリコン細線リング共振器を用いた量子ドット波長可変レーザの開発
北 智洋 (東北大学) |
| (10) |
14:45-15:15 |
フリップチップ実装によるシリコン基板上ハイブリッド集積光源
羽鳥 伸明 (PETRA) |
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閉会の挨拶 |
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