11月19日(木) 午前
08:55 - 18:25 |
| |
08:55-09:00 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
09:00-09:25 |
Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長 |
○原 航平・直井美貴・酒井士郎（徳島大） |
| (2) |
09:25-09:50 |
HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製 |
○佐々木 斉・後藤裕輝・碓井 彰（古河機械金属） |
| (3) |
09:50-10:15 |
AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性 |
○島原佑樹・武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス） |
| |
10:15-10:25 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
10:25-10:50 |
Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長 |
○神村淳平・岸野克巳・菊池昭彦（上智大/JST） |
| (5) |
10:50-11:15 |
RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 ～ 配列制御InNナノコラム成長について ～ |
○荒木 努・山口智広・金子昌充（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） |
| (6) |
11:15-11:40 |
RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用 |
○山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） |
| (7) |
11:40-12:05 |
AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構 |
○尾沼猛儀・羽豆耕治（東北大）・宗田孝之（早大）・上殿明良（筑波大）・秩父重英（東北大） |
| |
12:05-13:05 |
昼食 （ 60分 ） |
| (8) |
13:05-13:30 |
半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定 |
○金田昭男・上田雅也・船戸 充・川上養一（京大） |
| (9) |
13:30-13:55 |
近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング |
○橋谷 享・金田昭男・船戸 充・川上養一（京大） |
| (10) |
13:55-14:20 |
ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性 |
○小林 篤・下元一馬・上野耕平・梶間智文・太田実雄（東大）・藤岡 洋・尾嶋正治（東大/JST） |
| (11) |
14:20-14:45 |
第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究 |
○白石賢二・岩田潤一（筑波大/JST）・小幡輝明（筑波大）・押山 淳（東大/JST） |
| |
14:45-14:55 |
休憩 （ 10分 ） |
| (12) |
14:55-15:20 |
GaInAs多結晶薄膜の電気的光学的特性 |
○鳥居義親・奥迫拓也・高見慎也・梶川靖友（島根大） |
| (13) |
15:20-15:45 |
GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析 |
○永田賢昌・飯田大輔・永松謙太郎・竹田健一郎・松原哲也・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） |
| (14) |
15:45-16:10 |
AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード |
○吉田治正・桑原正和・山下陽滋・高木康文・内山和也・菅 博文（浜松ホトニクス） |
| (15) |
16:10-16:35 |
UVレーザダイオードの動作電圧の低減 |
○市川友紀・竹田健一郎・小木曽裕二・永田賢吾・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・吉田治正・桑原正和・山下陽滋・菅 博文（浜松ホトニクス） |
| |
16:35-16:45 |
休憩 （ 10分 ） |
| (16) |
16:45-17:10 |
ショットキー型紫外発光ダイオードを用いたRGB発光素子の製作 |
○本田 徹・野崎 理・坂井直之・野口和之（工学院大） |
| (17) |
17:10-17:35 |
酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化 |
○永田賢吾・市川友紀・竹田健一郎・永松謙太郎・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） |
| (18) |
17:35-18:00 |
InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて ～ 発光素子から太陽電池への展開 ～ |
○草部一秀・石谷善博・吉川明彦（千葉大） |
| (19) |
18:00-18:25 |
GaN系表面ナノ構造光検出器 |
○張 晶・直井美貴・酒井士郎（徳島大）・深野敦之・田中 覚（SCIVAX） |
11月20日(金) 午前
09:30 - 16:15 |
| (20) |
09:30-09:55 |
周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長 |
○藤田浩平・奥浦一輝・三宅秀人・平松和政（三重大）・乗松 潤・平山秀樹（理研） |
| (21) |
09:55-10:20 |
4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長 |
○矢野良樹・池永和正・徳永裕樹（大陽日酸）・山本 淳（大陽日酸イー・エム・シー）・田渕俊也（大陽日酸）・内山康右（大陽日酸イー・エム・シー）・山口 晃・福田 靖・生方映徳（大陽日酸）・原田康博・伴 雄三郎・松本 功（大陽日酸イー・エム・シー）・山崎利明（大陽日酸） |
| (22) |
10:20-10:45 |
4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価 |
○市村幹也・三好実人・田中光浩（日本ガイシ）・江川孝志（名工大） |
| |
10:45-10:55 |
休憩 （ 10分 ） |
| (23) |
10:55-11:20 |
MgドープGaN表面特性のアニールによる変化 |
○小川恵理・橋詰 保（北大/JST） |
| (24) |
11:20-11:45 |
ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析 |
○黒田健太郎・井川裕介・光山健太・敖 金平・大野泰夫（徳島大） |
| (25) |
11:45-12:10 |
高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位 |
○菅原克也・久保俊晴（北大）・武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・橋詰 保（北大） |
| |
12:10-13:10 |
（ 60分 ） |
| (26) |
13:10-13:35 |
Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極 |
○今井章文・南條拓真・吹田宗義・阿部雄次・柳生栄治・藏田哲之（三菱電機） |
| (27) |
13:35-14:00 |
AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成 |
○渡邊史直（福井大）・矢船憲成（金属系材料研究開発センター/シャープ）・永森 基・近岡大成（福井大）・作野圭一（シャープ）・葛原正明（福井大） |
| (28) |
14:00-14:25 |
Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 |
○鈴江隆晃・ローレンス セルバラージ・江川孝志（名工大） |
| (29) |
14:25-14:50 |
大電流動作GaN MOSFET |
○野村剛彦・神林 宏・佐藤義浩・新山勇樹・加藤禎宏（次世代パワーデバイス技研組合） |
| |
14:50-15:00 |
休憩 （ 10分 ） |
| (30) |
15:00-15:25 |
Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性 |
○星 真一・伊藤正紀・丸井俊治・大来英之・森野芳昭・玉井 功・戸田典彦・関 昇平（OKI）・江川孝志（名工大） |
| (31) |
15:25-15:50 |
マイクロ波無線ユビキタス電源用GaNショットキーダイオードの開発 |
○高橋健介・敖 金平（徳島大）・篠原真毅（京大）・丹羽直幹（鹿島建設）・藤原暉雄（翔エンジニアリング）・大野泰夫（徳島大） |
| (32) |
15:50-16:15 |
60 GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性 |
○渡邊一世・遠藤 聡・山下良美・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） |
： 
aecl
o
o
ba
i