11月6日(木) 午前
座長: 山川真弥 （ソニー）
10:00 - 11:45 |
| |
10:00-10:05 |
オープニング アドレス （ 5分 ） |
| (1) |
10:05-10:30 |
非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル |
○呂 鴻飛・佐藤伸吾・大村泰久（関西大）・アブヒジット マリック（カルカッタ大） |
| (2) |
10:30-10:55 |
Gate-on-Germanium Source (GoGeS)縦型トンネルFETの解析モデルの検討 |
○大村泰久・佐藤伸吾（関西大）・アブヒジット マリック（カルカッタ大） |
| (3) |
10:55-11:20 |
モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算 |
○岡本 稔・清水 守・大倉康幸・山口 憲・小池秀耀（アドバンスソフト） |
| (4) |
11:20-11:45 |
SiCパワーデバイス(DioMOS)のSPICEモデルの構築 ～ 双対性による逆方向電流のモデル化 ～ |
○山本哲也・澤井徹郎・堀川信之・神澤好彦・水谷研治・大塚信之・藤井英治（パナソニック） |
| |
11:45-13:00 |
昼食 （ 75分 ） |
11月6日(木) 午後
座長: 國清辰也 （ルネサスエレクトロニクス）
13:00 - 15:30 |
| (5) |
13:00-13:50 |
［招待講演］デバイス・シミュレーション ～ 30年間を振り返って ～ |
○執行直之（東芝） |
| (6) |
13:50-14:40 |
［招待講演］計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展 |
○影島博之（島根大） |
| (7) |
14:40-15:30 |
［招待講演］電荷蓄積型メモリーのモデリング・シミュレーションと信頼性課題 |
○石原貴光・安田直樹・藤井章輔（東芝） |
11月7日(金) 午前
座長: 安斎久浩 （ソニー）
10:00 - 11:40 |
| (8) |
10:00-10:50 |
［招待講演］SISPAD 2014 レビュー |
○園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス） |
| (9) |
10:50-11:15 |
半導体Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果 |
○末岡浩治・神山栄治・中村浩三（岡山県立大）・イアン ファンヘレモント（ゲント大） |
| (10) |
11:15-11:40 |
モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出 |
○土屋英昭・石田良馬（神戸大）・鎌倉良成・森 伸也（阪大）・宇野重康（立命館大）・小川真人（神戸大） |
| |
11:40-13:00 |
昼食 （ 80分 ） |
11月7日(金) 午後
座長: 小田義則 (STARC)
13:00 - 14:40 |
| (11) |
13:00-13:50 |
［招待講演］ランダムテレグラフノイズの統計解析とそのモデリング |
○三木浩史（日立） |
| (12) |
13:50-14:40 |
［招待講演］Interface Engineering for High Mobility Ge MOSFETs: Surface Orientation and Scattering Mechanism |
○ChoongHyun Lee・Tomonori Nishimura・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo） |
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