5月28日(木) 午後
13:00 - 18:20 |
| (1) |
13:00-13:25 |
液体原料を用いた熱CVDによるグラフェンの合成 |
○岸 直希・岩田鷹明・岩間一樹・包 建峰・劉 会濤・曽我哲夫（名工大） |
| (2) |
13:25-13:50 |
マイクロ波表面波プラズマCVDによる多数層グラフェン合成と紫外光カットによる高品質化 |
○市村 進・内田秀雄・脇田紘一（中部大）・林 靖彦（岡山大）・梅野正義（中部大） |
| (3) |
13:50-14:15 |
SiC基板表面における浸漬法による自己組織化膜形成 |
○鈴木悠矢・広瀬雄治・玉置祥平・宮川鈴衣奈・木下隆利・江龍 修（名工大） |
| (4) |
14:15-14:40 |
分子線エピタキシー法により成長したInGaNナノプレートの光学特性 |
○光野徹也（静岡大）・酒井 優（山梨大）・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） |
| |
14:40-14:50 |
休憩 （ 10分 ） |
| (5) |
14:50-15:15 |
Semi-polar GaN (10-13) grown on nominal Si (001) substrate with sputtered AlN buffer layer |
○Hojun Lee・Tadashi Mitsunari・Yoshio Honda・Hiroshi Amano（Nagoya Univ.） |
| (6) |
15:15-15:40 |
表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 |
○浦上法之・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） |
| (7) |
15:40-16:05 |
コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作 |
伊藤義人・金子健太郎・○藤田静雄（京大） |
| (8) |
16:05-16:30 |
高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製 |
○古賀優太・原田和也・花田賢志・大石敏之・嘉数 誠（佐賀大） |
| |
16:30-16:40 |
休憩 （ 10分 ） |
| (9) |
16:40-17:05 |
浮遊電極測定を用いたGaNショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析 |
山口修造・○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・山中宏治（三菱電機） |
| (10) |
17:05-17:30 |
Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション |
○大石敏之・東 竜太郎・原田和也・古賀優太（佐賀大）・平間一行（NTT）・嘉数 誠（佐賀大） |
| (11) |
17:30-17:55 |
自由電子レーザー照射による面内配向単層カーボンナノチューブのカイラリティ制御の可能性 |
川口大貴・吉田圭佑・小林弥生・春宮清之介・永田知子・山本 寛・○岩田展幸（日大） |
| (12) |
17:55-18:20 |
サファイア基板上におけるCo/Pt/r面配向Cr2O3積層膜の成膜条件最適化 |
隅田貴士・橋本浩佑・福井慎二郎・永田知子・山本 寛・○岩田展幸（日大） |
5月29日(金) 午前
08:40 - 12:35 |
| (13) |
08:40-09:05 |
ピクセル間感度差に基づく溶液電位の算出によるガラス管参照電極を不要とするpHイメージセンサ |
○渡邊 愼・太齋文博・岩田達哉・石田 誠・服部敏明・澤田和明（豊橋技科大） |
| (14) |
09:05-09:30 |
分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用 |
○熊崎祐介・渡部晃生・谷田部然治・佐藤威友（北大） |
| (15) |
09:30-09:55 |
混合導電性SrFeO3-δの結晶構造と酸素透過特性 |
○籠宮 功・白川史朗・柿本健一（名工大） |
| (16) |
09:55-10:20 |
4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の定量的評価 |
○小濱公洋・森 祐人・加藤正史・市村正也（名工大） |
| |
10:20-10:30 |
休憩 （ 10分 ） |
| (17) |
10:30-10:55 |
電気化学堆積CuxZnyS薄膜の熱処理 |
○トン バインガルディ・市村正也（名工大） |
| (18) |
10:55-11:20 |
溶液成長法によるSnS堆積量と撹拌の関係 |
鈴木大司・○高野 泰・石田明広（静岡大） |
| (19) |
11:20-11:45 |
Fabrication of Cu2O/Fe-O heterojunction solar cells by electrodeposition |
○Zhang Chaolong（NIT）・Junie Jhon M. Vequizo（TTI）・Masaya Ichimura（NIT） |
| (20) |
11:45-12:10 |
電気化学堆積硫化鉄薄膜の硫黄アニール処理とZnOとのヘテロ接合への応用 |
○梶間崇宏（名工大）・川井正一（デンソー）・市村正也（名工大） |
| (21) |
12:10-12:35 |
マイクロ流路チップ中でのレジオネラの運動制限による蛍光観測 |
○西村祐典・林 隆平・中澤寛一・石田 誠・澤田和明・石井 仁（豊橋技科大）・町田克之（東工大/NTT-AT）・益 一哉（東工大）・王 常楽・飯田健一郎・齋藤光正・吉田眞一（九大） |
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