10月22日(木) 午前
10:00 - 16:20 |
| (1) |
10:00-10:50 |
［記念講演］プラズマを利用した原子層制御エッチングプロセス |
○熊倉 翔（東京エレクトロン宮城） |
| (2) |
10:50-11:20 |
3次元積層に向けた高容量密度・高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発 |
○齊藤宏河・吉田彩乃・黒田理人（東北大）・柴田 寛・柴口 拓・栗山尚也（ラピスセミコンダクタ宮城）・須川成利（東北大） |
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11:20-13:00 |
昼休憩 （ 100分 ） |
| (3) |
13:00-13:30 |
Investigation of N-doped LaB6/LaBxNy/Si(100) MIS structure and floating-gate memory applications |
○Kyung Eun Park・Hideki Kamata・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） |
| (4) |
13:30-14:00 |
A two-step wet etching process for the integration of PdEr/HfO2 gate stack structure on the gate-first Schottky barrier MOSFET |
○Rengie Mark D. Mailig・Yuichiro Aruga・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） |
| (5) |
14:00-14:30 |
Investigation on millisecond solid phase crystallization of amorphous silicon films induced by micro thermal plasma jet. |
○Hoa Thi Khanh Nguyen・Hiroaki Hanafusa・Yuri Mizukawa（Hiroshima Univ.）・Shohei Hayashi（Toray Res. Cent.）・Seiichiro Higashi（Hiroshima Univ.） |
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14:30-14:50 |
休憩 （ 20分 ） |
| (6) |
14:50-15:20 |
IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質 |
○間脇武蔵（東北大）・寺本章伸（広島大）・石井勝利（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・志波良信・諏訪智之（東北大）・東雲秀司・清水 亮・梅澤好太（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・黒田理人・白井泰雪・須川成利（東北大） |
| (7) |
15:20-15:50 |
強誘電体薄膜BiFeO3の格子整合とX線構造分析 |
○今泉文伸・仲田陸人（小山高専） |
| (8) |
15:50-16:20 |
統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析 |
○秋元 瞭・黒田理人（東北大）・寺本章伸（広島大）・間脇武蔵・市野真也・諏訪智之・須川成利（東北大） |
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