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13:00-13:05 |
開会挨拶 （ 5分 ） |
11月28日(木) 午後 LQE1
座長: 山口 敦史（金沢工業大学）
13:05 - 14:20 |
| (1) |
13:05-13:30 |
励起長可変法を用いたHVPE窒化アルミニウム基板の光学利得評価 |
○石井良太・隅田長門（京大）・人見達矢・山本玲緒・永島 徹（トクヤマ）・船戸 充・川上養一（京大） |
| (2) |
13:30-13:55 |
量子井戸中のキャリア・フォノンダイナミクス |
○地崎匡哉・石谷善博（千葉大） |
| (3) |
13:55-14:20 |
InGaN系ナノピラーにおける歪緩和と表面再結合 |
○大音隆男・小菅駿也（山形大）・相川健喜・倉邉海史・菊池昭彦（上智大） |
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14:20-14:30 |
休憩 （ 10分 ） |
11月28日(木) 午後 LQE2
座長: 西島 喜明 （横浜国立大学）
14:30 - 15:45 |
| (4) |
14:30-14:55 |
スパッタアニールAlN上に作製した深紫外AlGaN LEDの顕微ELイメージング測定 |
○辻本凌大（阪大院工）・市川修平（阪大院工/阪大電顕センター）・赤池良太（三重大院工）・上杉謙次郎（三重大院）・中村孝夫・三宅秀人（三重大院工）・小島一信（阪大院工） |
| (5) |
14:55-15:20 |
GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討 |
○小嶋智輝・石田颯汰朗・江川孝志・三好実人（名工大） |
| (6) |
15:20-15:45 |
金属ナノ構造と誘電体薄膜を用いたInGaN/GaN量子井戸の黄緑色発光の著しい増強 |
○岡本晃一・上田直毅・藤岡宏輔・三戸田健太・松山哲也・和田健司（阪公立大）・船戸 充・川上養一（京大） |
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15:45-15:55 |
休憩 （ 10分 ） |
11月28日(木) 午後 LQE3
座長: 藤田 和上（浜松ホトニクス）
16:05 - 17:20 |
| (7) |
16:05-16:30 |
井戸数の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究 |
○新保 樹・土佐宏樹・神野翔綺・森 恵人・山口敦史（金沢工大）・岩満一功・冨谷茂隆（奈良先端大） |
| (8) |
16:30-16:55 |
In組成の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究 |
○山形梨里花・新保 樹・森 恵人・山口敦史（金沢工大）・岩満一功・冨谷茂隆（奈良先端大） |
| (9) |
16:55-17:20 |
時間分解PL測定によるInGaN量子井戸におけるキャリア拡散の測定 |
○伊藤央祐・山口敦史（金沢工大）・伊藤まいこ・幸田倫太郎・濱口達史（ソニーセミコンダクタソリューションズ） |
11月29日(金) 午前 CPM1
座長: 寺迫 智昭 （愛媛大学）
10:00 - 10:50 |
| (10) |
10:00-10:25 |
二次元層状材料のヘテロ接合形成による高エネルギー効率光触媒の実現 |
○森 耀平・バスカー マラティ・中村篤志（静岡大） |
| (11) |
10:25-10:50 |
水酸化ニッケル薄膜の半導体としての特性 |
○安部功二（名工大） |
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10:50-11:00 |
休憩 （ 10分 ） |
11月29日(金) 午前 CPM2
座長: 寺迫 智昭 （愛媛大学）
11:00 - 11:50 |
| (12) |
11:00-11:25 |
PEDOT：PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ構造のニューロモルフィックデバイス応用 ～ デバイス作製と電流-電圧特性 ～ |
○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・パラニ ラジャセカラン・山本哲也（高知工科大） |
| (13) |
11:25-11:50 |
PEDOT：PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ構造のニューロモルフィックデバイス応用 ～ パルス動作特性 ～ |
○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・パラニ ラジャセカラン・山本哲也（高知工科大） |
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11:50-13:30 |
休憩 （ 100分 ） |
11月29日(金) 午後 ED1
座長: 山本 佳嗣 （三菱電機）
13:30 - 14:45 |
| (14) |
13:30-13:55 |
GaN-HEMTの耐圧均一性を改善するスクリーニング方法の提案 |
○齋藤 渉・西澤伸一（九大） |
| (15) |
13:55-14:20 |
電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETの作製とデバイス特性評価 |
○久保俊晴・三木隆太郎・江川孝志（名工大） |
| (16) |
14:20-14:45 |
歪超格子層およびALGaN遷移層を緩衝層に用いたSi基板上ALGaN/GaN HEMT構造の特性の比較 |
○三木隆太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大） |
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14:45-14:55 |
休憩 （ 10分 ） |
11月29日(金) 午後 ED2
座長: 久保 俊晴 （名古屋工業大学）
14:55 - 15:45 |
| (17) |
14:55-15:20 |
界面顕微光応答法によるGaN JBS構造の二次元解析 |
○今林弘毅・吉村遥翔（福井大）・太田 博・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大） |
| (18) |
15:20-15:45 |
GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価 |
○井上諒星・小嶋智輝・間瀬 晃・江川孝志・三好実人（名工大） |
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15:45-15:55 |
休憩 （ 10分 ） |
11月29日(金) 午後 ED3
座長: 久保 俊晴 （名古屋工業大学）
15:55 - 16:50 |
| (19) |
15:55-16:20 |
ミストCVD法を用いたGaN系MOSデバイスのゲート絶縁膜堆積技術 |
○谷田部然治・福光将也・大竹浩史・平倉拓海・ラズアン ハディラ（熊本大）・越智亮太（北大）・中村有水（熊本大）・佐藤威友（北大） |
| (20) |
16:20-16:45 |
水蒸気酸化ALD-Al2O3によるInP系MOS-HEMTの性能向上 |
○尾崎史朗・熊崎祐介・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原 直紀（富士通） |
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16:45-16:50 |
閉会挨拶 （ 5分 ） |
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