1月31日(水) 午後
座長: 未定
12:30 - 16:20 |
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12:30-12:35 |
主催分科会幹事よりアナウンス （ 5分 ） |
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12:35-13:05 |
［招待講演］mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割 |
○岡 博史・浅井栄大・稲葉 工・下方駿佑・由井 斉・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・中山隆史・森 貴洋（産総研） |
| (2) |
13:05-13:35 |
［招待講演］プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御 |
○伊藤健治・成田哲生・井口紘子・岩崎四郎・菊田大悟（豊田中研）・狩野絵美・五十嵐信行・冨田一義・堀田昌宏・須田 淳（名大） |
| (3) |
13:35-14:05 |
［招待講演］3D Flash Memory向けCMOS Directly Bonded to Array (CBA) 技術 |
○田上政由（キオクシア） |
| (4) |
14:05-14:35 |
［招待講演］CBA(CMOS Directly Bonded to Array)技術を適用した、インターフェース速度3.2Gbps・プログラム速度205MB/sの高性能3次元フラッシュメモリ |
○小林茂樹・田代健二・峯村洋一・中上恒平・有田幸司・大橋貴志（キオクシア）・舟山幸太・酒井久弥・虫賀満輝・岡部堅一・菅野善宏・清水 悟・藤倉栄一・中江彰宏・山口謙介（ウエスタンデジタル）・山脇秀之・中嶋一明・佐藤 充（キオクシア） |
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14:35-14:50 |
休憩 （ 15分 ） |
| (5) |
14:50-15:20 |
［招待講演］チャージトラップ制御によるHfO-FeFETのEndurance改善 |
○鈴木都文・佐久間 究・吉村瑶子・市原玲華・松尾和展・萩島大輔・藤原 実・齋藤真澄（キオクシア） |
| (6) |
15:20-15:50 |
［招待講演］３次元構造強誘電体キャパシタを有する低電圧かつ高信頼性1T1C型FeRAM ～ IEDM2023報告内容 ～ |
○奥野 潤・国広恭史・周藤悠介・米内飛翔・小野 凌（ソニーセミコン）・ルーベン アルカーラ（ナムラボ）・マキシミリアン レダー・コンラッド ザイダル（フラウンホーファー）・トーマス ミコラジック・ウベ シュローダー（ナムラボ）・梅林 拓（ソニーセミコン） |
| (7) |
15:50-16:20 |
［招待講演］HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング |
○高木信一・トープラサートポン カシディット・名幸瑛心・鈴木陸央・閔 信義・竹中 充・中根了昌（東大） |