10月29日(木) 午後
14:00 - 17:20 |
| (1) |
14:00-14:50 |
［招待講演］イオン注入技術の現状と課題 |
○中島良樹・濱本成顕・酒井滋樹・おの田 博（日新イオン機器） |
| (2) |
14:50-15:20 |
Ar/H2混合ガス熱処理によるSi表面平坦化プロセスの検討 |
○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） |
| (3) |
15:20-15:50 |
Xe/H2プラズマを用いたシリコン基板表面の低温平坦化技術 |
○諏訪智之・寺本章伸・後藤哲也・平山昌樹・須川成利・大見忠弘（東北大） |
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15:50-16:00 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
16:00-16:30 |
Electrical Properties of MOSFETs Introducing Atomically Flat Gate Insulator/Silicon Interface |
○Tetsuya Goto・Rihito Kuroda・Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Toshiki Obara・Daiki Kimoto・Shigetoshi Sugawa（Tohoku Univ.）・Yutaka Kamata・Yuki Kumagai・Katsuhiko Shibusawa（LAPIS Semi. Miyagi） |
| (5) |
16:30-17:20 |
［招待講演］フラッシュメモリとCMOSロジックの近接混載技術による低消費電力・高速FPGA |
○財津光一郎・辰村光介・松本麻里・小田聖翔・安田心一（東芝） |
10月29日(木) 午後 平成26年度シリコン材料・デバイス研究専門委員会若手優秀発表賞 表彰式
17:20 - 17:20 |
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17:50-19:30 |
懇親会 （ 100分 ） |
10月30日(金) 午前
09:30 - 11:20 |
| (6) |
09:30-10:20 |
［招待講演］マイクロ波励起プラズマによる立体構造体への等方均一注入技術 |
○上田博一（TEL TDC）・ピーター ベントゼック（TEL AMERICA）・岡 正浩・小林勇気・杉本靖広・川上 聡（TEL TDC） |
| (7) |
10:20-10:50 |
トンネル電流・拡散電流併用MOSFETのデバイスシミュレーション検討 |
○古川貴一・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・橋本圭市・小尻尚志・須川成利（東北大） |
| (8) |
10:50-11:20 |
酸素ラジカル処理を用いた強誘電体BiFeO3薄膜の形成技術 |
○今泉文伸・後藤哲也・寺本章伸・須川成利（東北大） |
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11:20-13:00 |
昼食 （ 100分 ） |
10月30日(金) 午後
13:00 - 16:00 |
| (9) |
13:00-13:50 |
［招待講演］大画面シート型ディスプレイ実現に向けたディスプレイ材料・プロセス技術 |
○藤崎好英（NHK） |
| (10) |
13:50-14:20 |
HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 |
○前田康貴・劉 野原・大見俊一郎（東工大） |
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14:20-14:30 |
休憩 （ 10分 ） |
| (11) |
14:30-15:00 |
窒素添加LaB6ターゲットによる低仕事関数LaB6スパッタ薄膜の形成 |
○石井秀和（東北大）・高橋健太郎（住友大阪セメント）・後藤哲也・須川成利・大見忠弘（東北大） |
| (12) |
15:00-15:30 |
Investigation of stacked HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering |
○Nithi Atthi・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） |
| (13) |
15:30-16:00 |
高精度ガス制御器を用いたAl2O3のALD成膜におけるプロセス温度の検討 |
○杉田久哉・幸田安真・諏訪智之・黒田理人・後藤哲也・石井秀和（東北大）・山下 哲（フジキン）・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） |
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