11月9日(木) 午後
13:30 - 17:25 |
| (1) |
13:30-13:55 |
スパッタ法によるAZO薄膜の作製 |
○川上 歩・野口 亨・東出陽幸・宮崎紳介・清水英彦・丸山武男・岩野春男・川上貴浩（新潟大）・星 陽一（東京工芸大） |
| (2) |
13:55-14:20 |
プラスチック基板上へのITO薄膜の作製 |
○竹内正樹・森下和哉・梅津 岳・中田悠介・宮崎紳介・清水英彦・丸山武男・岩野春男・川上貴浩（新潟大）・星 陽一（東京工芸大）・皆川正寛（日本精機） |
| (3) |
14:20-14:45 |
RFマグネトロンスパッタ法によるCr2O3薄膜の作製 |
○浅田 毅・長瀬研二朗・山田貴之・岩田展幸・山本 寛（日大） |
| (4) |
14:45-15:10 |
Ni/Mo層上におけるカーボンナノチューブの成長制御 |
○奥山博基・岩田展幸・山本 寛（日大） |
| |
15:10-15:20 |
休憩 （ 10分 ） |
| (5) |
15:20-15:45 |
RF-MBE法により成長したAlInN薄膜のCL測定による評価 |
○味村 裕・寺嶋 亘（千葉大）・崔 成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大/JST） |
| (6) |
15:45-16:10 |
反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用 |
○塩野晃宏・中久木政秀・小林勲生・山上朋彦・林部林平（信州大）・小畑元樹（シチズンファインテック）・阿部克也・上村喜一（信州大） |
| (7) |
16:10-16:35 |
Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討 |
○野矢 厚・佐藤 勝・武山真弓（北見工大）・青柳英二（東北大） |
| (8) |
16:35-17:00 |
Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiNxバリヤの新規作製方法の検討 |
○武山真弓・柳田賢善・野矢 厚（北見工大） |
| (9) |
17:00-17:25 |
HW法により成膜された極薄HfNx膜のCu/SiO2及びCu/SiOC間のバリヤ特性 |
○佐藤 勝・武山真弓・野矢 厚（北見工大） |
11月10日(金) 午前
09:00 - 12:05 |
| (10) |
09:00-09:25 |
IBS法による歪Si作製に向けた歪緩和SiGeの表面ラフネス制御 |
○山本 純・坂口勇太・成瀬公博・佐々木公洋（金沢大） |
| (11) |
09:25-09:50 |
劣化エピタキシャル成長したSiGe薄膜の熱電性能 ～ 基板の影響 ～ |
○的場彰成・早平寿夫・都築崇博・佐々木公洋（金沢大）・岡本庸一・守本 純（防衛大） |
| (12) |
09:50-10:15 |
SiC埋め込み型Geナノドット構造を目指した高密度ナノドット形成 |
○金丸哲史・荻原智明・安井寛治・赤羽正志・高田雅介（長岡技科大） |
| (13) |
10:15-10:40 |
MOVPE成長したInN膜の成長中劣化現象 |
○杉田憲一・宝珍禎則・橋本明弘・山本暠勇（福井大） |
| |
10:40-10:50 |
休憩 （ 10分 ） |
| (14) |
10:50-11:15 |
制限反応スパッタ法によるZrO2薄膜作製における成長遅れ時間 |
○杉山英孝・小島述央・山岸大朗・周 英・佐々木公洋（金沢大） |
| (15) |
11:15-11:40 |
酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置 |
○千葉 忍（金沢大/CBC）・佐々木公洋（金沢大）・元木 詮（CBC）・畑 朋延（JST）・伊藤昭彦（芝浦メカトロニクス） |
| (16) |
11:40-12:05 |
スパッタ法で作製されたNiCr薄膜の構造と抵抗温度係数(TCR)特性に及ぼす基板表面あらさの影響 |
○岩坪 聡・清水孝晃（富山県工技センター） |
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