11月11日(木) 午前
10:00 - 11:45 |
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10:00-10:05 |
イントロダクトリー・トーク （ 5分 ） |
| (1) |
10:05-10:55 |
［招待講演］2010 SISPADレビュー |
○鎌倉良成（阪大） |
| (2) |
10:55-11:45 |
［招待講演］ばらつき・信頼性シミュレーション技術の最新動向 ～ SISPAD2010併設ワークショップ1のレビュー ～ |
○鳥山周一（東芝） |
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11:45-13:00 |
昼食 （ 75分 ） |
11月11日(木) 午後
13:00 - 15:30 |
| (3) |
13:00-13:50 |
［招待講演］磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM） |
○石垣隆士・河原尊之・竹村理一郎・小埜和夫・伊藤顕知（日立）・大野英男（東北大） |
| (4) |
13:50-14:40 |
［招待講演］MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法 |
○寺本章伸・阿部健一・須川成利・大見忠弘（東北大） |
| (5) |
14:40-15:30 |
［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 |
○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大） |
11月12日(金) 午前
10:30 - 11:45 |
| (6) |
10:30-10:55 |
高速応答の低ドロップアウト(LDO)レギュレータに関する研究 |
○Fouzhiwei Tong・範 公可（電通大） |
| (7) |
10:55-11:20 |
形状シミュレーションによるSiO2及びSiエッチングのモデル化と、BiCSメモリホールエッチング |
○市川尚志・一之瀬大吾・川端研二・玉置直樹（東芝） |
| (8) |
11:20-11:45 |
自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション |
○坪井秀行・稲葉賢二・伊勢真理子・林 由紀江・鈴木裕佳・佐藤裕美・小原幸子・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） |
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11:45-13:00 |
昼食 （ 75分 ） |
11月12日(金) 午後
13:00 - 15:55 |
| (9) |
13:00-13:50 |
［招待講演］VLSI設計自動化の現状と将来展望 |
○高橋篤司（阪大） |
| (10) |
13:50-14:15 |
インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング |
○田中克彦・中村英之・上村大樹・竹内 幹・福田寿一・熊代成孝・最上 徹（MIRAI-Selete） |
| (11) |
14:15-14:40 |
HV-MOSFETのオーバーラップ領域における2次元効果のモデル化 |
○田中昭洋・折附泰典・菊地原秀行・三宅正尭・マタウシュ ハンス ユルゲン・三浦道子（広島大）・リウ ヨン・グリーン キース（Texas Instruments） |
| (12) |
14:40-15:05 |
SPICEモデルを用いた特性合わせ込みにおける誤差指標の提案 |
○坂本浩則・飯塚貴弘（ルネサス エレクトロニクス） |
| (13) |
15:05-15:30 |
シリコンナノワイヤにおけるホール電流のひずみ依存性 |
○三成英樹（阪大/JST）・北山達郎・山本将央（阪大）・森 伸也（阪大/JST） |
| (14) |
15:30-15:55 |
GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 ～ モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 ～ |
○仲野駿佑・大村泰久（関西大） |
: Hisahiro.Ansai＠jp.sony.com