10月4日(木) 午後
13:00 - 17:20 |
| (1) |
13:00-13:25 |
プラズマディスプレイ用MgO保護膜の構造破壊ダイナミクスと理論設計 |
○久保百司・芹澤和実・菊地宏美・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・Carlos A. Del Carpio（東北大）・梶山博司・篠田 傅（広島大）・宮本 明（東北大） |
| (2) |
13:25-13:50 |
分子動力学法によるMgOの力学的特性の予測 |
○大沼宏彰・芹澤和実・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・Carlos A. Del Carpio（東北大）・梶山博司・篠田 傅（広島大）・宮本 明（東北大） |
| (3) |
13:50-14:15 |
計算化学によるプラズマディスプレイ用MgO保護膜の電子放出特性の評価 |
○芹澤和実・大沼宏彰・菊地宏美・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・Carlos A. Del Carpio（東北大）・梶山博司・篠田 傳（広島大）・宮本 明（東北大） |
| (4) |
14:15-14:40 |
新規計算化学手法を用いたDLCの摩擦特性解析 |
○森田祐輔・敖敦其木格・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・Carlos A. Del Carpio・宮本 明（東北大） |
| (5) |
14:40-15:05 |
Influence of Chemical Topology on the Electrical Properties of Carbon Black – A Theoretical Study |
○Arunabhiram Chutia・Zhigang Zhu・Ai Suzuki・Riadh Sahnoun・Michihisa Koyama・Hideyuki Tsuboi・Nozomu Hatakeyama・Akira Endou・Hiromitsu Takaba・Momoji Kubo・Carlos A. Del Carpio・Akira Miyamoto（Tohoku Univ.） |
| |
15:05-15:15 |
休憩 （ 10分 ） |
| (6) |
15:15-15:40 |
Nitrogen Profile Study for SiON Gate Dielectrics of Advanced DRAM |
○Shigemi Murakawa（Tokyo Electron/Tohoku Univ.）・Masashi Takeuchi・Minoru Honda・Shu-ichi Ishizuka・Toshio Nakanishi・Yoshihiro Hirota・Takuya Sugawara・Yoshitsugu Tanaka・Yasushi Akasaka（Tokyo Electron AT）・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） |
| (7) |
15:40-16:05 |
マルチスケールトンネル電流シミュレータの開発 |
○坪井秀行・芹澤和実・鈴木 愛・サヌーン リアド・古山通久・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・デルカルピオ カルロス（東北大）・梶山博司・篠田 傳（広島大）・宮本 明（東北大） |
| (8) |
16:05-16:30 |
Development of Multi-Scale Electrical Conductivity Simulator with the Joule Heating Module and its Application to Polycrystalline SiO2 |
○John Paul Yacapin・Ai Suzuki・Riadh Sahnoun・Michihisa Koyama・Hideyuki Tsuboi・Nozomu Hatakeyama・Akira Endou・Hiromitsu Takaba・Momoji Kubo・Carlos A. Del Carpio・Akira Miyamoto（Tohoku Univ.） |
| (9) |
16:30-16:55 |
ECRプラズマプロセスによるHfO2系絶縁膜の極薄膜化の検討 |
○仲野雄介・佐藤雅樹・大見俊一郎（東工大） |
| (10) |
16:55-17:20 |
機械的歪み印加によるSrTiO3MIMキャパシタ誘電率変調 |
○黒木伸一郎・小谷光司・伊藤隆司（東北大） |
10月5日(金) 午前
09:30 - 16:40 |
| (11) |
09:30-09:55 |
Theoretic Study of Electronic and Electrical Properties for Nano-Structural ZnO |
○Zhigang Zhu・Arunabhiram Chutia・Ai Suzuki・Riadh Sahnoun・Michihisa Koyama・Hideyuki Tsuboi・Nozomu Hatakeyama・Akira Endou・Hiromitsu Takaba・Carlos A. Del Carpio・Momoji Kubo・Akira Miyamoto（Tohoku Univ.） |
| (12) |
09:55-10:20 |
Tight-Binding Quantum Chemical Molecular Dynamics Study on Interfacial Electron Transfer in Dye-Sensitized Anatase (001) Surface |
○Chen Lv・Agalya Govindasamy・Kei Ogiya・Ai Suzuki・Riadh Sahnoun・Michihisa Koyama・Hideyuki Tsuboi・Nozomu Hatakeyama・Akira Endou・Hiromitsu Takaba・Momoji Kubo・Carlos A. Del Carpio・Akira Miyamoto（Tohoku Univ.） |
| (13) |
10:20-10:45 |
量子分子動力学法によるダイヤモンドライクカーボン膜生成過程の検討 |
○敖敦其木格・森田祐輔・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・Carlos A. Del Carpio・宮本 明（東北大） |
| |
10:45-10:55 |
休憩 （ 10分 ） |
| (14) |
10:55-11:20 |
低誘電率アモルファスハイドロカーボン（aCHx）膜の銅配線バリアー特性の検討 |
○石川 拓（東京エレクトロン技研/東北大）・野沢俊久・松岡孝明（東京エレクトロン技研）・寺本章伸・平山昌樹・伊藤隆司・大見忠弘（東北大） |
| (15) |
11:20-11:45 |
減圧雰囲気下でプラズマとCa(OH)2/CaOを用いる高効率フロロカーボン除去システムの開発 |
○鈴木克昌・石原良夫・迫田 薫（大陽日酸）・白井泰雪・平山昌樹・寺本章伸・大見忠弘（東北大）・渡辺高行（宇部マテリアルズ） |
| (16) |
11:45-12:10 |
色素増感型太陽電池のためのマルチスケールシミュレータの開発 |
○扇谷 恵・呂 晨・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・Carlos A. Del Carpio・宮本 明（東北大） |
| |
12:10-13:10 |
昼食 （ 60分 ） |
| (17) |
13:10-13:35 |
マイクロ波CVDを用いた高移動度ボトムゲート微結晶シリコンTFTの試作 |
○廣江昭彦・寺本章伸・大見忠弘（東北大） |
| (18) |
13:35-14:00 |
High Performance Accumulation Mode FD-SOI MOSFETs on Si(100) and (110) Surfaces |
○Weitao Cheng・Akinobu Teramoto・Rihito Kuroda・Chingfoa Tye・Syunichi Watabe・Tomoyuki Suwa・Tetsuya Goto・Fuminobu Imaizumi・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） |
| (19) |
14:00-14:25 |
SBSI プロセスによるSOI/BOX 層の均一形成に関する検討 |
○野武幸輝・須田雄一郎・大見俊一郎（東工大） |
| (20) |
14:25-14:50 |
Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御 |
○大見俊一郎・高 峻・仲野雄介（東工大） |
| |
14:50-15:00 |
休憩 （ 10分 ） |
| (21) |
15:00-15:25 |
シリコン表面の原子オーダー平坦化技術 |
○諏訪智之・黒田理人・寺本章伸・大見忠弘（東北大） |
| (22) |
15:25-15:50 |
LSAとSpike-RTAの組合せによる極浅接合形成技術 |
○遠藤誠一・丸山祥輝・川崎洋司・山下朋弘・尾田秀一・井上靖朗（ルネサステクノロジ） |
| (23) |
15:50-16:15 |
大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価 |
○阿部健一・須川成利・黒田理人・渡部俊一・寺本章伸・大見忠弘（東北大） |
| (24) |
16:15-16:40 |
プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価 |
○渡部俊一・須川成利・阿部健一・藤澤孝文・宮本直人・寺本章伸・大見忠弘（東北大） |
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