1月30日(月) 午前
10:00 - 16:30 |
| (1) |
10:00-10:30 |
［招待講演］等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 |
○森 貴洋・浅井栄大・服部淳一・福田浩一・大塚慎太郎・森田行則・大内真一・更田裕司・右田真司・水林 亘・太田裕之・松川 貴（産総研） |
| (2) |
10:30-11:00 |
［招待講演］Ge/III-V族半導体を用いたトンネルFET技術 |
○高木信一・安 大煥・野口宗隆・後藤高寛・西 康一・金 閔洙・竹中充一（東大） |
| (3) |
11:00-11:30 |
［招待講演］Experimental Study on Polarization-Limited Operation Speed of Negative Capacitance FET with Ferroelectric HfO2 |
○小林正治・上山 望・蒋 京珉・平本俊郎（東大） |
| (4) |
11:30-12:00 |
［招待講演］サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション |
○太田裕之・池上 勉・服部淳一・福田浩一・右田真司（産総研）・鳥海 明（東大） |
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12:00-13:30 |
昼食 （ 90分 ） |
| (5) |
13:30-14:00 |
［招待講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS |
○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） |
| (6) |
14:00-14:30 |
［招待講演］電圧トルクMRAM (VCM) 向け読み出し/書き込み回路と大容量キャッシュメモリへの応用 |
○塩田陽一（産総研）・野口紘希・池上一隆・安部恵子・藤田 忍（東芝）・野崎隆行・湯浅新治（産総研）・鈴木義茂（阪大） |
| (7) |
14:30-15:00 |
［招待講演］超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ ～ Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM ～ |
○與田博明・下村尚治・大沢裕一・白鳥聡志・加藤侑志・井口智明・上国裕三・ブヤンダライ アルタンサガイ・斉藤好昭・鴻井克彦・杉山英行・及川壮一・清水真理子・石川瑞恵・池上一隆（東芝） |
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15:00-15:30 |
休憩 （ 30分 ） |
| (8) |
15:30-16:00 |
［招待講演］General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation |
○Xu Lun・Shibayama Shigehisa・Izukashi Kazutaka・Nishimura Tomonori・Yajima Takeaki（Univ. of Tokyo）・Migita Shinji（AIST）・Toriumi Akira（Univ. of Tokyo） |
| (9) |
16:00-16:30 |
［招待講演］多様化するアナログ信号処理に向けた新規機能性受動素子 ～ VO2揮発性スイッチの作製と応用 ～ |
○矢嶋赳彬・西村知紀・鳥海 明（東大） |
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