6月7日(木) 午後
13:30 - 17:10 |
| (1) |
13:30-13:55 |
MONOS型不揮発メモリの電子および正孔トラップ解析 |
○石田 猛・山田廉一・鳥居和功（日立）・白石賢二（筑波大） |
| (2) |
13:55-14:20 |
Si3N4/Si-rich Nitride(SRN)/Si3N4積層膜の電子捕獲特性 |
○峰 利之・石田 猛・濱村浩孝・鳥居和功（日立） |
| (3) |
14:20-14:45 |
窒化膜中のキャリア移動度測定手法とMONOSメモリのデータ保持特性への応用 |
○片山弘造・石川清志（ルネサステクノロジ） |
| (4) |
14:45-15:10 |
プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測 |
○三浦真嗣・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）・鴻野真之・西田辰夫・中西敏雄（東京エレクトロン） |
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15:10-15:30 |
休憩 （ 20分 ） |
| (5) |
15:30-15:55 |
SiO2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案 |
○高田幸宏・村口正和・白石賢二（筑波大） |
| (6) |
15:55-16:20 |
大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価 |
○熊谷勇喜・寺本章伸・須川成利・諏訪智之・大見忠弘（東北大） |
| (7) |
16:20-16:45 |
B添加Pd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調 |
○白石博之・細井卓治・大田晃生・宮崎誠一・芝原健太郎（広島大） |
| (8) |
16:45-17:10 |
高圧水蒸気処理によるSiO2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性 |
○矢野裕司・武田大輔・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） |
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17:10-17:30 |
休憩 （ 20分 ） |
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17:30-19:00 |
懇親会 （ 90分 ） |
6月8日(金) 午前
09:00 - 15:55 |
| (9) |
09:00-09:25 |
プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造 |
○寺本章伸・荒谷 崇・樋口正顕（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・野平博司（武蔵工大）・須川成利・大見忠弘・服部健雄（東北大） |
| (10) |
09:25-09:50 |
極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果 |
○寺井真之・藤枝信次（NEC） |
| (11) |
09:50-10:15 |
SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング |
○下川淳二・遠田利之・青木伸俊・谷本弘吉・伊藤早苗・豊島義明（東芝） |
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10:15-10:30 |
休憩 （ 15分 ） |
| (12) |
10:30-10:55 |
HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果 |
○田村知大・内藤達也（筑波大）・佐藤基之・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・蓮沼 隆・山部紀久夫（筑波大） |
| (13) |
10:55-11:20 |
LaAlO/Si基板界面への１原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証 |
○高島 章・西川幸江・清水達雄・鈴木正道・松下大介・吉木昌彦・富田充裕・山口 豪・小山正人・福島 伸（東芝） |
| (14) |
11:20-11:45 |
ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 ～ 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果 ～ |
○佐藤創志・舘 喜一・宋 在烈・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一生・杉井信之・服部健雄・岩井 洋（東工大） |
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11:45-12:45 |
昼食 （ 60分 ） |
| (15) |
12:45-13:10 |
熱処理雰囲気に依存したLaAlO3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価 |
○鈴木正道・土屋義規・小山正人（東芝） |
| (16) |
13:10-13:35 |
スパッタ法によるLaAlO3の成膜と電気特性の評価 |
○西岡 浩・菊地 真・木村 勲・神保武人・鄒 紅コウ（アルバック） |
| (17) |
13:35-14:00 |
Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御 |
○喜多浩之・能村英幸・鈴木 翔・高橋俊岳・西村知紀・鳥海 明（東大） |
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14:00-14:15 |
休憩 （ 15分 ） |
| (18) |
14:15-14:40 |
光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価 |
○大田晃生・中川 博・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） |
| (19) |
14:40-15:05 |
ゲルマニウム窒化膜の形成と評価 |
○朽木克博・岡本 学・細井卓治・志村考功・安武 潔・渡部平司（阪大） |
| (20) |
15:05-15:30 |
Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge MIS構造の特性 |
○前田辰郎・森田行則・西澤正泰（産総研）・高木信一（産総研/東大） |
| (21) |
15:30-15:55 |
Ｇｅ基板上へのＰｒ酸化膜の作製と評価 |
○坂下満男・鬼頭伸幸（名大）・酒井 朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大） |
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