6月13日(金) 午後
13:00 - 17:25 |
| (1) |
13:00-13:25 |
SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション |
○田中成明（北陸先端大）・住田行常・河合弘治（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大） |
| (2) |
13:25-13:50 |
p-GaNショットキー接触のI-V,C-V特性 ～ キャリア濃度,金属仕事関数依存性 ～ |
○福島慶広・荻須啓太・葛原正明・塩島謙次（福井大） |
| (3) |
13:50-14:15 |
AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価 |
○田島正文・小谷淳二・菅原克也・橋詰 保（北大） |
| (4) |
14:15-14:40 |
ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価 |
○小松直佳・田中裕崇・青木秀充・松之内恵子・木村千春（阪大）・奥村幸彦（舞鶴高専）・杉野 隆（阪大） |
| (5) |
14:40-15:05 |
MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性 |
○荻須啓太・福島慶広・塩島謙次（福井大）・荒木賀行・横浜秀雄（NTT-AT） |
| |
15:05-15:20 |
休憩 （ 15分 ） |
| (6) |
15:20-15:45 |
Wet Cleaning Processing of VLSI Devices by Functional Waters |
○Masako Kodera・Yoshitaka Matsui・Naoto Miyashita（Toshiba） |
| (7) |
15:45-16:10 |
Particle Performance Improvement of Single-Wafer Wet Cleaning for Next Generation |
○Ken-ichi Sano・Katsuhiko Miya・Akira Izumi・Jim Snow・Atsuro Eitoku（Dainippon Screen MFG.） |
| (8) |
16:10-16:35 |
SPM洗浄法におけるレジスト剥離能力の劣化と電解硫酸液を用いたレジスト剥離技術の実証 |
○永井達夫・山川晴義・内田 稔・大津 徹・池宮範人（栗田工業） |
| (9) |
16:35-17:00 |
マランゴニ乾燥における残留液膜・液滴の乾燥挙動 |
○宮本泰治・鴨志田隼司・山田 純（芝浦工大） |
| (10) |
17:00-17:25 |
スピンエッチングによるφ300mmウェハのステイン膜形成 |
○増本哲己・渡辺正晴・佐藤啓介（日本エスイーゼット） |
6月14日(土) 午前
09:00 - 12:10 |
| (11) |
09:00-09:25 |
超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術 |
○原 直紀・高橋 剛・牧山剛三（富士通）・多木俊裕（富士通研） |
| (12) |
09:25-09:50 |
化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価 |
○井城悠一（首都大東京）・品田唱秋（都立大）・直井 護（首都大東京）・朝岡直哉（都立大）・須原理彦・奥村次徳（首都大東京） |
| (13) |
09:50-10:15 |
Fluidic Self-AssemblyのためのInGaAs系共鳴トンネルデバイスブロック作製技術 |
○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・赤松和弘（日鉱金属） |
| (14) |
10:15-10:40 |
エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積 |
○滝田隼人・工藤昌宏・田中成明・鈴木寿一（北陸先端大） |
| |
10:40-10:55 |
休憩 （ 15分 ） |
| (15) |
10:55-11:20 |
MBE growth of high In-content InGaAs/InAlAs heterojunction and its spin-orbit interaction in the 2DEG layer |
○Hyonkwan Choi・Shunsuke Nitta・Syoji Yamada（CNMT JAIST） |
| (16) |
11:20-11:45 |
Si(111)-√7×√3-In再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 |
○森 雅之・斉藤光史・長島恭兵・上田広司・吉田達雄・前澤宏一（富山大） |
| (17) |
11:45-12:10 |
Si(111)基板上での30°回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果 |
○斉藤光史・森 雅之・上田広司・前澤宏一（富山大） |
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