11月16日(金) 午後
12:30 - 17:50 |
| (1) |
12:30-12:55 |
Bi-2212固有ジョセフソン接合の温度特性の解析 |
○毛利千里・小黒恭平・吉田 隆・富永隼賢・加藤孝弘・濱崎勝義（長岡技科大） |
| (2) |
12:55-13:20 |
Bi系高温超伝導デバイスの作製とその特性評価 |
○吉田 隆・名和海明・富永隼賢・三輪 淳・加藤孝弘・濱崎勝義（長岡技科大）・島影 尚（NICT） |
| (3) |
13:20-13:45 |
RFプラズマ堆積法により作製した有機薄膜の電気的特性・光学的特性 |
○テンクー ナズリン ビン テンクー イブラヒム・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大） |
| (4) |
13:45-14:10 |
低温成膜したITO薄膜を用いた有機EL素子の検討 |
○中田悠介・宮崎伸介・梅津 岳・伊藤嘉宏・二木雅斗・清水英彦・丸山武男（新潟大）・星 陽一（東京工芸大）・皆川正寛（日本精機） |
| |
14:10-14:20 |
休憩 （ 10分 ） |
| (5) |
14:20-14:45 |
第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価 |
○朝野 章（長岡技科大）・片桐裕則（長岡高専）・黒木雄一郎・安井寛治・高田雅介・赤羽正志（長岡技科大） |
| (6) |
14:45-15:10 |
スパッタビーム堆積法によるMo/Si多層薄膜の作製 |
○長浜大作・愛甲隆史・平田 真・清水英彦・丸山武男・岡 徹雄・岩野春男（新潟大） |
| (7) |
15:10-15:35 |
2スパッタ源反応性スパッタ法によるTiO2薄膜の高速堆積 |
境 哲也・神谷 攻・○星 陽一（東京工芸大）・清水英彦（新潟大） |
| (8) |
15:35-16:00 |
ガスフロースパッタ法で作製されたZrO2膜をバッファ層として用いたNiCr薄膜抵抗の抵抗温度係数 |
○岩坪 聡（富山県工技センター） |
| |
16:00-16:10 |
休憩 （ 10分 ） |
| (9) |
16:10-16:35 |
ZrB2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO2間のバリヤ特性 |
○武山真弓（北見工大）・中台保夫・神原正三（アルバックマテリアル）・畠中正信（アルバック）・野矢 厚（北見工大） |
| (10) |
16:35-17:00 |
ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御 |
武山真弓・○佐藤 勝・野矢 厚（北見工大） |
| (11) |
17:00-17:25 |
サファイア基板及び白金電極上のCr2O3スパッタ薄膜の結晶成長 |
○大月俊平・浅田 毅・岩田展幸・山本 寛（日大） |
| (12) |
17:25-17:50 |
ディップコートしたFeMo及びFePtナノ粒子触媒を用いたCVD法によるカーボンナノチューブの成長 |
○石塚大祐・園村拓也・奥山博基・岩田展幸・山本 寛（日大） |
11月17日(土) 午前
09:00 - 15:55 |
| (13) |
09:00-09:25 |
ホットメッシュCVD法によるGaN成長 ～ ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果 ～ |
○深田祐介・安部和貴・黒木雄一郎（長岡技科大）・末光眞希・伊藤 隆（東北大）・成田 克（九工大）・遠藤哲郎（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・高田雅介・安井寛治・赤羽正志（長岡技科大） |
| (14) |
09:25-09:50 |
モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe, SiCナノドットの形成と制御 |
○荻原智明・須藤晴紀・安井寛治・赤羽正志・高田雅介（長岡技科大） |
| (15) |
09:50-10:15 |
ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性 |
○牧野雄一郎・三浦仁嗣・西山 洋・安井寛治・高田雅介・井上泰宣・赤羽正志（長岡技科大） |
| (16) |
10:15-10:40 |
バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製 |
○石田芳樹・陳 晨・萩原正宜・塩沢宏章・仙石 昌・林部林平・山上朋彦・上村喜一（信州大） |
| |
10:40-10:50 |
休憩 （ 10分 ） |
| (17) |
10:50-11:15 |
Cu2ZnSnS4のバルク単結晶とゾル－ゲル・硫化法で作製した薄膜の光学特性 |
○宮本裕介・田中久仁彦・大貫雅俊・森竹典子・打木久雄（長岡技科大） |
| (18) |
11:15-11:40 |
ゾルゲル・硫化法によるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製と評価 |
○大貫雅俊・森竹典子・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大） |
| (19) |
11:40-12:05 |
PCD法によるCu2ZnSnS4を用いた3Dセル構造の作製 |
○森谷克彦・佐伯勇輔・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大） |
| |
12:05-13:15 |
昼食 （ 70分 ） |
| (20) |
13:15-13:40 |
PLD法によるEuGa2S4薄膜の作製と評価 |
○金田亮平・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大） |
| (21) |
13:40-14:05 |
Sn添加CaAl2S4の光学特性 |
○太田 均・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大） |
| (22) |
14:05-14:30 |
ケミカルバス法によるZnS薄膜の作製 ～ 膜厚の制御 ～ |
○上條和隆・小林敏志・坪井 望（新潟大） |
| |
14:30-14:40 |
休憩 （ 10分 ） |
| (23) |
14:40-15:05 |
Electrical properties of ZnSnAs2 thin films grown by MBE |
○Joel T. Asubar・Tadasuke Yokoyama・Yoshio Jinbo・Naotaka Uchitomi（Nagaoka Univ. of Tech.） |
| (24) |
15:05-15:30 |
強磁性半導体(Ga,Mn)As/Zn-doped-GaAs超格子構造のMBE成長とその低温熱処理効果 |
○中川久幸・ジョエル アスバル・神保良夫・内富直隆（長岡技科大） |
| (25) |
15:30-15:55 |
Si基板上に成長したGaSb/AlGaSb多重量子井戸構造の評価 |
○豊田英之・安田武史・藤江周作（長岡技科大）・中村新一（青学大）・神保良夫・内富直隆（長岡技科大） |
: 
eng
i
-u
