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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長　奈良安雄 (富士通セミコンダクター)　　副委員長　大野裕三 (筑波大)
幹事　野村晋太郎 (筑波大)，笹子佳孝 (日立)

日時　2013年 2月 4日(月)　10：00～16：50

会場機械振興会館地下3階研修1号室（http://www.jspmi.or.jp/about/access.html）

議題配線・実装技術と関連材料技術

2月4日(月) 午前（10：00～16：50）

−−−　開会の挨拶　（ 5分）　−−−

(1) 10:05 - 10:45
排熱TSVへ向けたナノカーボン材料の熱特性評価
○川端章夫・二瓶瑞久・村上　智・佐藤元伸・横山直樹（産総研）

(2) 10:45 - 11:25
CuSn/InAu microbump induced local deformation and mechanical stress in high-density 3D-LSI
○Murugesan Murugesan・Mitsumasa Koyanagi（Tohoku Univ.）

(3) 11:25 - 12:05
Line-Edge Roughnessを考慮した微細金属配線のモンテカルロ・シミュレーション（仮題）
○来栖貴史・谷本弘吉・和田　真・磯林厚伸・梶田明広・青木伸俊・豊島義明（東芝）

−−−　昼食　（ 65分）　−−−

(4) 13:10 - 13:50
原子移動型スイッチを使ったスマート配線技術と低電力再構成回路への応用
○多田宗弘・阪本利司・宮村　信・伴野直樹・岡本浩一郎・井口憲幸・波田博光（超低電圧デバイス技研組合）

(5) 13:50 - 14:30
LSI配線構造中のCu／絶縁膜界面の結晶粒レベル局所強度に対応するサブミクロン機械工学への挑戦
○神谷庄司・佐藤　尚（名工大）・大宮正毅（慶大）・宍戸信之・小岩康三・西田政弘（名工大）・中村友二・鈴木貴志（富士通研）・野久尾毅・鈴木俊明（日本電子専門学校）

(6) 14:30 - 15:10
白色LED向け高放熱性ウエハーレベル・チップスケール・パッケージの開発
○秋元陽介・小島章弘・島田美代子・富澤英之・古山英人・小幡　進・樋口和人・杉崎吉昭・柴田英毅（東芝）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(7) 15:25 - 16:05
高密度チップ集積を実現する微細再配線の高信頼性技術～ Metal-Capバリア配線技術～
○神吉剛司・池田淳也・須田章一・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研）

(8) 16:05 - 16:45
無電解めっき法を用いた高アスペクト比TSVへのCuシード層形成
○井上史大・新宮原正三（関西大）・ハロルドフィリップセン（IMEC）

−−−　閉会の挨拶　（ 5分）　−−−

一般講演：発表 30 分＋質疑応答 10 分

◆応用物理学会共催

☆SDM研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

2月27日(水)～28日(木)　北海道大学（百年記念会館）　[12月7日(金)]　テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術
4月25日(木)～26日(金)　屋久島環境文化村センター　[2月17日(日)]　テーマ：薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般
5月16日(木)～17日(金)　静大（浜松）創造科学技術大学院　[3月14日(木)]　テーマ：結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料）

【問合先】
小野行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-mail: o