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★電子デバイス研究会（ED）
専門委員長　須原理彦 (首都大)　　副委員長　藤代博記 (東京理科大)
幹事　大石敏之 (佐賀大)，岩田達哉 (富山県立大)
幹事補佐　小谷淳二 (富士通研)，堤卓也 (NTT)

★マイクロ波研究会（MW）
専門委員長　古神義則 (宇都宮大)
副委員長　河合正 (兵庫県立大)，大久保賢祐 (岡山県立大)，新庄真太郎 (三菱電機)
幹事　清水隆志 (宇都宮大)，佐藤優 (富士通研)
幹事補佐　吉田賢史 (鹿児島大)，高野恭弥 (東京理科大)

日時　2020年 1月31日(金)　09：00～17：30

会場機械振興会館地下3階6号室（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8．•東京メトロ日比谷線・・・・・・・神谷町駅下車徒歩8分 •都営地下鉄三田線・・・・・・・・御成門駅下車徒歩8分 •都営地下鉄大江戸線・・・・・・・赤羽橋駅下車徒歩10分 •都営地下鉄浅草線・大江戸線・・・大門駅下車徒歩10分 •ＪＲ山手線・京浜東北線・・・・・浜松町駅下車徒歩15分．http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html）

議題化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波/一般

1月31日(金) 午前 MW研一般講演（09：00～10：30）
座長: 片山光亮 (早稲田大)

−−−　委員長挨拶　（ 5分）　−−−

(1) 09:05 - 09:30
リファレンスΔΣ変調器を用いたサイクルスリップによる複数PLL間の位相ずれの補正技術
○池田　翔・平井暁人・堤　恒次・津留正臣（三菱電機）

(2) 09:30 - 09:55
集中定数素子で構成した整合回路を用いたトリプレクサの基礎検討
○大石元輝・大島心平（小山高専）

(3) 09:55 - 10:20
SOM終端によるS11の校正に適する同軸給電型遮断円筒導波管の構造と各種液体の誘電率測定
○柴田幸司（八戸工大）

−−−　休憩　（ 10分）　−−−

1月31日(金) 午前 ED研招待/一般講演（10：30～13：10）
座長: 山本佳嗣（三菱電機）

(4) 10:30 - 11:20
［招待講演］5G基地局向けGaN HEMT開発の現状と展望
○井上和孝（住友電工）

(5) 11:20 - 11:45
表面活性化常温接合法によるGaN-on-Diamond HEMTの作製
○檜座秀一・藤川正洋・滝口雄貴・西村邦彦・柳生栄治（三菱電機）・松前貴司・倉島優一・高木秀樹（産総研）・山向幹雄（三菱電機）

(6) 11:45 - 12:10
コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製
○堀切文正・福原　昇（サイオクス）・渡久地政周・三輪和希（北大）・成田好伸・市川　磨・磯野僚多・田中丈士（サイオクス）・佐藤威友（北大）

−−−　休憩　（ 60分）　−−−

1月31日(金) 午後 IEEE MTT-S Japan Chapter 特別講演（13：10～14：10）
座長: 新庄真太郎（三菱電機）

(7) 13:10 - 14:00
［特別講演］2019年ヨーロッパマイクロ波会議出席報告
○半谷政毅（三菱電機）・西川健二郎（鹿児島大）・向井謙治（村田製作所）・安部素実・橘川雄亮・幸丸竜太・坂田修一・神岡　純・横溝真也（三菱電機）

−−−　休憩　（ 10分）　−−−

1月31日(金) 午後テーマ: IEEE MTT-S Japan Young Engineer Award 特別講演（14：10～15：35）
座長: 河合正（兵庫県立大）

(8) 14:10 - 14:35
［特別講演］THzイメージングに向けた高精度かつ高速な誘電率測定システム
○徐　照男・濱田裕史・松崎秀昭・野坂秀之（NTT）

(9) 14:35 - 15:00
［特別講演］周期配列誘電体球準零屈折率メタマテリアルによる散乱抑制
○高野佑磨・真田篤志（阪大）

(10) 15:00 - 15:25
［特別講演］多入力多出力ワイヤレス給電システムの最大電力伝送効率
○ズオンクアンタン・岡田　実（奈良先端大）

−−−　休憩　（ 10分）　−−−

1月31日(金) 午後 ED研一般講演（15：35～16：35）
座長: 小谷淳二（富士通研）

(11) 15:35 - 16:00
TCADを用いたGaN HEMTの低周波Sパラメータに対するバッファトラップと自己発熱の影響に関する解析
○大塚友絢・山口裕太郎・新庄真太郎（三菱電機）・大石敏之（佐賀大）

(12) 16:00 - 16:25
注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造
○南雲謙志・木本大幾・諏訪智之（東北大）・寺本章伸（広島大）・白田理一郎・高谷信一郎（国立交通大）・黒田理人・須川成利（東北大）

−−−　休憩　（ 10分）　−−−

1月31日(金) 午後 MW研招待講演（16：35～17：30）
座長: 古神義則(宇都宮大)

(13) 16:35 - 17:25
［招待講演］ミリ波・サブミリ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイスおよび高周波計測技術
○渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT）

−−−　委員長挨拶　（ 5分）　−−−

一般講演：発表 20 分＋質疑応答 5 分
特別講演（Award特別講演）：発表 20 分＋質疑応答 5 分
特別講演（IEEE MTT-S JC）：発表 45 分＋質疑応答 5 分
招待講演：発表 45 分＋質疑応答 5 分

◆IEEE MTT-S Japan Chapter；IEEE MTT-S Kansai Chapter；IEEE MTT-S Nagoya Chapter協賛

◎1月31日（金）研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください．
◎★★★（ご注意！）参加費については、下記をご覧ください ★★★
なお，IEEE MTT-S Japan Chapter 特別講演および IEEE MTT-S Japan Young Engineer Award特別講演の参加費は無料です．

☆ED研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

4月23日(木)～24日(金)　山形大学（米沢）　[2月28日(金)]　テーマ：有機デバイス、酸化物デバイス、一般

【問合先】
大石敏之(佐賀大学)
TEL : 0952-28-8642
E-mail :oi