研究会開催プログラム - 2010-11-CPM-LQE-ED

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★電子部品・材料研究会（CPM）
専門委員長　安井寛治 (長岡技科大)　　副委員長　竹村泰司 (横浜国大)
幹事　今井欽之 (NTT)，野毛悟 (沼津高専)
幹事補佐　島村俊重 (NTT)，阿部克也 (信州大)

★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
専門委員長　河口仁司 (奈良先端大)　　副委員長　勝山造 (住友電工)
幹事　佐藤健二 (NEC)，宮本智之 (東工大)

★電子デバイス研究会（ED）
専門委員長　橋詰保 (北大)　　副委員長　加地徹 (豊田中研)
幹事　原直紀 (富士通研)，津田邦男 (東芝)
幹事補佐　須原理彦 (首都大東京)，上田哲三 (パナソニック)

日時　2010年11月11日(木)　10：00～17：15
　　　2010年11月12日(金)　10：00～17：00

会場大阪大学中ノ島センター 10Fホール（〒530-0005 大阪市北区中之島4-3-53．京阪中之島線中之島駅より徒歩約５分または地下鉄四つ橋線肥後橋駅より徒歩約１０分．http://www.onc.osaka-u.ac.jp/others/map/index.php．パナソニック上田哲三．06-6444-21）

議題窒化物および混晶半導体デバイス

11月11日(木) 午前（10：00～11：40）

(1) 10:00 - 10:25
触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性
三浦仁嗣・大谷孝史・黒田朋義・西山　洋・○安井寛治（長岡技科大）

(2) 10:25 - 10:50
RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討
○荒木　努・川島圭介・山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大）

(3) 10:50 - 11:15
疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長
○本田　徹・林　才人・後藤大雅・井垣辰浩（工学院大）

(4) 11:15 - 11:40
Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討
○田辺　悟・西尾　礼・小林由貴・根本幸祐・宮本智之（東工大）

11月11日(木) 午後（13：00～17：15）

(5) 13:00 - 13:25
SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長
○奥村建太・野村拓也・三宅秀人・平松和政（三重大）・江龍　修（名工大）

(6) 13:25 - 13:50
減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN
○藤田浩平・三宅秀人・平松和政（三重大）・乗松　潤・平山秀樹（理研）

(7) 13:50 - 14:15
電子線励起法による深紫外光源用 Si-doped AlGaN の作製と特性評価
○島原佑樹・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(8) 14:30 - 14:55
非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈
○山口敦史（金沢工大）・小島一信（京大）

(9) 14:55 - 15:20
空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価～ SNOMによるEfficiency droop機構の解明～
○橋谷　享・金田昭男・船戸　充・川上養一（京大）

(10) 15:20 - 15:45
電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光
○大音隆男・Ryan G. Banal（京大）・片岡　研（ウシオ電機）・船戸　充・川上養一（京大）

(11) 15:45 - 16:10
AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子
○酒井佑輔・市川淳規・江川孝志（名工大）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(12) 16:25 - 16:50
多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性
○大井幸多（北大）・橋詰　保（北大/JST）

(13) 16:50 - 17:15
ミリ波高出力GaN-HEMT
○牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・金村雅仁・増田　哲・中舍安宏・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原　直紀・尾崎史朗・中村哲一（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研）

11月12日(金) 午前（10：00～11：40）

(14) 10:00 - 10:25
GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価
○堀　祐臣・原田脩央・水江千帆子（北大）・橋詰　保（北大/JST）

(15) 10:25 - 10:50
硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価
○菊田大悟・成田哲生・高橋直子・片岡恵太・木本康司・上杉　勉・加地　徹（豊田中研）・杉本雅裕（トヨタ自動車）

(16) 10:50 - 11:15
GaN自立基板を用いた縦型ダイオード
○八木修一・平田祥子・住田行常・別所公博・河合弘治（パウデック）・松枝敏晴・碓井　彰（古河機械金属）

(17) 11:15 - 11:40
低転位GaN基板上縦型HFET
○岡田政也・斎藤　雄・横山満徳・中田　健・八重樫誠司・片山浩二・上野昌紀・木山　誠・勝山　造・中村孝夫（住友電工）

11月12日(金) 午後（13：00～17：00）

【パネルセッション】「GaNトランジスターの進展と課題」
１）ノーマリオフのためのデバイス構造（70分）司会：橋詰保（北大）
（休憩10分）
２）電流変動（コラプス）の機構と制御法（70分）司会：橋詰保（北大）
（休憩10分）
３）GaNデバイスの長所・弱点（70分）司会：加地徹（豊田中研）

一般講演：発表 20 分＋質疑応答 5 分

◎11日研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加下さい。
日時：2010年11月11日（木） 17：30開始
場所：大阪大学中ノ島センター９Ｆ交流サロン
（研究会会場の下の階です。）
会費：一般 \3,500、学生￥2,000

☆CPM研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

11月29日(月)～12月1日(水)　九州大学医学部百年講堂　[9月10日(金)]　テーマ：デザインガイア2010 ―VLSI設計の新しい大地―
2011年2月10日(木)　機械振興会館　[12月13日(月)]　テーマ：電池技術関連，一般

☆LQE研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

12月17日(金)　機械振興会館　[10月15日(金)]　テーマ：半導体レーザ関連技術，及び一般
2011年1月27日(木)～28日(金)　大阪大学　[11月15日(月)]　テーマ：フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶・ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般

【問合先】
佐藤健二（日本電気株式会社）
TEL 044-431-7616, FAX 044-431-7619
E-mail: s

宮本智之（東京工業大学）
TEL 045-924-5059, FAX 045-924-5977
E-mail: t

◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。

☆ED研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

12月16日(木)～17日(金)　東北大学電気通信研究所　[10月24日(日)]　テーマ：ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム
2011年1月13日(木)～14日(金)　機械振興会館　[11月11日(木)]　テーマ：化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／一般
2011年2月23日(水)～24日(木)　北海道大学百年記念会館　[12月8日(水)]　テーマ：機能ナノデバイス及び関連技術

【問合先】
原直紀（富士通研究所）
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E-mail :