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★電子デバイス研究会(ED)
専門委員長 須原 理彦 (首都大)  副委員長 藤代 博記 (東京理科大)
幹事 大石 敏之 (佐賀大), 岩田 達哉 (富山県立大)
幹事補佐 小谷 淳二 (富士通研), 堤 卓也 (NTT)

★電子部品・材料研究会(CPM)
専門委員長 武山 真弓 (北見工大)  副委員長 中村 雄一 (豊橋技科大)
幹事 中澤 日出樹 (弘前大)
幹事補佐 木村 康男 (東京工科大), 寺迫 智昭 (愛媛大), 廣瀬 文彦 (山形大)

★レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)
専門委員長 有賀 博 (三菱電機)  副委員長 八坂 洋 (東北大)
幹事 川北 泰雅 (古河電工), 永井 正也 (阪大)
幹事補佐 中島 史人 (NTT)

日時 2019年11月21日(木) 10:10~16:10
   2019年11月22日(金) 09:40~15:00

会場 静岡大学浜松キャンパス1号館10F 1005室(浜松市中区城北3-5-1.遠鉄バスのりば等 JR東海浜松駅前北口バスターミナル15,16番のりばから 全路線 「静岡大学」下車 (所要時間約20分、1時間に10本程度運行).http://www.shizuoka.ac.jp/campuslife/campus/hamamatsu/index.html)

議題 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般

11月21日(木) 午前 (10:10~12:20)

(1) 10:10 - 10:30
ZnOのALD成長での平坦薄膜成長条件の調査
○山本 燎・加納寛人・中村篤志・居波 渉(静岡大)

(2) 10:30 - 10:50
ミストCVD法によりc面サファイア基板上に高温下で成長したZnO結晶の発光特性
○大橋紘誠・藤原健八・山本幹大・原 和彦(静岡大)・酒井 優(山梨大)・光野徹也(静岡大)

(3) 10:50 - 11:10
化学溶液析出法によって種々のTCOシード層に成長したZnOナノロッドの構造およびフォトルミネッセンス特性
濱本昂大・○寺迫智昭(愛媛大)・矢木正和(香川高専)・古林 寛・山本哲也(高知工科大)

(4) 11:10 - 11:30
化学溶液析出法による極薄GZO薄膜シード層上へのZnOナノロッドの成長と構造及び光学特性
○寺迫智昭・濱本昂大・山田健太・甲田真一朗(愛媛大)・矢木正和(香川高専)・古林 寛・山本哲也(高知工科大)

−−− 昼食 ( 50分 ) −−−

11月21日(木) 午後 (12:20~13:55)

(5) 12:20 - 12:40
電気化学的な処理を用いた酸化亜鉛光触媒の特性改善
○安部功二・大竹徳人(名工大)

(6) 12:40 - 13:00
β-Ga2O3 SBDを利用したRF-DC変換回路における負荷抵抗と電極面積依存性
○橋川 誠・浦田幸佑・竹ノ畑拓海・大石敏之・大島孝仁(佐賀大)

(7) 13:00 - 13:20
リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善
○加藤大望・梶原瑛祐・向井 章・大野浩志・新留 彩・田島純平・彦坂年輝・蔵口雅彦・布上真也(東芝)

(8) 13:20 - 13:40
ICP-RIEによって作製されたGaNトレンチ側壁のダメージ評価
○山田真嗣・櫻井秀樹(名大/アルバック)・長田大和・中村敏幸・上村隆一郎(アルバック)・須田 淳・加地 徹(名大)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

11月21日(木) 午後 (13:55~15:30)
座長: 川口 真生(パナソニック)

(9) 13:55 - 14:15
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価
○横井駿一・古岡啓太・久保俊晴・江川孝志(名工大)

(10) 14:15 - 14:35
両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製およびSHGに向けた光学特性評価
○松久快生・小林佑斗・石原弘基・杉浦真子・杉田篤史・井上 翼・中野貴之(静岡大)

(11) 14:35 - 14:55
AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ
○櫻木勇介・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢・田中隼也・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤崎 勇(名城大)・三宅秀人(三重大)

(12) 14:55 - 15:15
MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長
○山中瑞樹・三好実人・江川孝志(名工大)・岡田成仁・只友一行(山口大)・竹内哲也(名城大)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

11月21日(木) 午後 (15:30~16:10)
座長: 川北 泰雅(古河電工)

(13) 15:30 - 15:50
c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価
○原田紘希・三好実人・江川孝志(名工大)・竹内哲也(名城大)

(14) 15:50 - 16:10
AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性
○小田 薫・飯田涼介・岩山 章・清原一樹・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕(名城大)・赤崎 勇(名城大/名大)

11月22日(金) 午前 (09:40~10:55)

(15) 09:40 - 10:00
蒸着Sn膜の直接硫化による二硫化錫薄膜の結晶性評価
○田村優樹・中村篤志(静岡大)

(16) 10:00 - 10:20
有機太陽電池用反射防止ナノテクスチャに関する実験検討
○平賀健太・久保田 繁・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド(山形大)・水野 潤(早大)・廣瀬文彦(山形大)

(17) 10:20 - 10:40
エレクトロスピニング法を用いたポリウレタンファイバーマットのコンポジット化
○森 拓海・中村篤志(静岡大)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

11月22日(金) 午前 (10:55~11:55)

(18) 10:55 - 11:15
pHセンサにおける電極表面特異性の評価
○新澤亮介・中村篤志(静岡大)

(19) 11:15 - 11:35
非酵素グルコースセンサの作製
○丹羽貴大・中村篤志(静岡大)

(20) 11:35 - 11:55
脳深部光刺激用LEDプローブの実現に向けた針型構造の作製
○中山雄晟・安永弘樹(豊橋技科大)・稲波千尋・大澤匡弘(名古屋市大)・関口寛人(豊橋技科大/JSTさきがけ)

−−− 昼食 ( 50分 ) −−−

11月22日(金) 午後 (12:45~13:45)
座長: 山口 敦史(金沢工大)

(21) 12:45 - 13:05
DCスパッタAlNテンプレートを用いたUVC-LEDの進展
○最上耀介(理研/埼玉大)・大澤篤史・尾崎一人・谷岡千丈・前岡淳史(SCREEN)・糸数雄吏・桑葉俊輔(理研/埼玉大)・定 昌史・前田哲利(理研)・矢口裕之(埼玉大)・平山秀樹(理研)

(22) 13:05 - 13:25
微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性
○船戸 充・小林敬嗣・川上養一(京大)

(23) 13:25 - 13:45
UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性
○田中隼也・川瀬雄太(名城大)・佐藤恒輔(旭化成/名城大)・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢(名城大)・岩山 章(名城大/三重大)・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智(名城大)・赤﨑 勇(名城大/名大)・三宅秀人(三重大)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

11月22日(金) 午後 (14:00~15:00)
座長: 川口 真生(パナソニック)

(24) 14:00 - 14:20
InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討
○藤田貴志・坂井繁太・池田優真・山口敦史(金沢工大)・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆(ソニー)

(25) 14:20 - 14:40
光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定
○森 恵人・高橋佑知・森本悠也・山口敦史(金沢工大)・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆(ソニー)

(26) 14:40 - 15:00
光熱偏向分光によるIII-V族窒化物の評価
○角谷正友(物質・材料研究機構)

一般講演:発表 15 分 + 質疑応答 5 分

◎懇親会情報
日時:11/21(木) 18:00~
会場:とろろや メイワン店(浜松駅ビル内)
https://tabelog.com/shizuoka/A2202/A220201/22000897/
参加費:4,500円(予定)


☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

12月23日(月)~24日(火) 東北大学・電気通信研究所 [10月18日(金)] テーマ:ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム
2020年1月31日(金) 機械振興会館 地下3階6号室 [11月11日(月)] テーマ:化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波/一般

【問合先】
東脇 正高(情報通信研究機構)
TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527
E-mail : m
大石 敏之(佐賀大学)
TEL : 0952-28-8642
E-mail :oi104cc-u

☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

11月26日(火) (予定) 機械振興会館 地下3階1号室 [9月17日(火)] テーマ:エネルギー技術、半導体電力変換、電池、電気化学デバイス、材料、一般
2020年2月28日(金)~29日(土) (予定) 東京工科大片研BF1プレゼン室 [1月24日(金)] テーマ:若手ミーティング

【問合先】
寺迫 智昭 (愛媛大学)
TEL: 089-927-9789 FAX: 089-927-9790
E-mail: amze-u

☆LQE研究会

【問合先】
川北 泰雅(古河電気工業)
TEL 045-311-1219
E-mail: electc

永井 正也(大阪大学大学院)
TEL 06-6850-6507
E-mail: mimpes-u

◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2019-11-25 11:30:48


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