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★電子デバイス研究会（ED）
専門委員長　前澤宏一 (富山大)　　副委員長　津田邦男 (東芝)
幹事　松永高治 (NEC)，鈴木寿一 (北陸先端大)
幹事補佐　新井学 (新日本無線)，東脇正高 (NICT)

日時　2016年 7月23日(土)　14：00～16：20
　　　2016年 7月24日(日)　09：30～11：50

会場首都大学東京南大沢キャンパス国際交流会館大会議室（〒192-0397 東京都八王子市南大沢1-1．http://www.tmu.ac.jp/university/campus_guide/map.html．理工学研究科電気電子工学専攻須原理彦教授）

議題半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般

7月23日(土) 午後（14：00～14：50）

(1) 14:00 - 14:25
水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT
○尾崎史朗・牧山剛三・多木俊裕・鎌田陽一・佐藤　優・新井田佳孝・岡本直哉・常信和清（富士通研）

(2) 14:25 - 14:50
AlTiO/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおけるローレンツ型低周波ノイズ
○鈴木寿一・Son Phuong Le・宇井利昌・Tuan Quy Nguyen・Hong-An Shih（北陸先端大）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

7月23日(土) 午後（15：05～16：20）

(3) 15:05 - 15:30
Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響
○小西敬太・上村崇史・ワンマンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT）

(4) 15:30 - 15:55
p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作
○土屋充沙・塚本貴広・須田良幸（東京農工大）

(5) 15:55 - 16:20
Ge(111)基板上へのInSb薄膜のエピタキシャル成長
○三枝孝彰・森　雅之・前澤宏一（富山大）

7月24日(日) 午前（09：30～11：50）

(6) 09:30 - 09:55
非線形メタマテリアル線路における共鳴相互作用
○楢原浩一（神奈川工科大）

(7) 09:55 - 10:20
高い共鳴トンネル電流の正孔トンネル型Si1-xGex/Si系2重量子井戸共鳴トンネルダイオード
○新川綾佳・脇谷　実・前田裕貴・塚本貴広・須田良幸（東京農工大）

(8) 10:20 - 10:45
CaF2/Si/CaF2共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性
○田辺直之・島中智史・須田慶太・渡辺正裕（東工大）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(9) 11:00 - 11:25
円偏波放射が可能なラジアルラインスロットアンテナ集積共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器
○堀川大輔・鈴木左文・浅田雅洋（東工大）

(10) 11:25 - 11:50
半導体メサ集積レクテナのテラヘルツ帯検波特性の解析
○徳岡岳海・須原理彦（首都大東京）

一般講演：発表 20 分＋質疑応答 5 分

☆ED研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

8月9日(火)～10日(水)　機械振興会館　[6月24日(金)]　テーマ：センサ，MEMS，一般
10月25日(火)～26日(水) (予定)　三重大学新産業創成研究拠点（旧VBL）　[8月5日(金)]　テーマ：電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術

【問合先】
松永高治（日本電気)
TEL：044-435-8348 Fax :044-455-8253
E-mail： k-