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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長　大見俊一郎 (東工大)　　副委員長　宇佐美達矢 (日本エーエスエム)
幹事　諏訪智之 (東北大)，野田泰史 (パナソニック)
幹事補佐　細井卓治 (関西学院大)，二瀬卓也 (ウエスタンデジタル)

日時　2023年 6月26日(月)　10：00～15：30

会場広島大学ナノデバイス研究所（〒739-8527 広島県東広島市鏡山1-4-2．https://www.rnbs.hiroshima-u.ac.jp/．細井卓治（関西学院大学））

議題 MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術（応用物理学会シリコンテクノロジー分科会との合同開催）

6月26日(月) 午前（10：00～15：30）

−−−　挨拶 & SDM研究会若手優秀発表賞表彰式　（ 10分）　−−−

(1) 10:10 - 10:50
［記念講演］表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計
○隅田　圭・姜　旼秀・陳　家驄・トープラサートポンカシディット・竹中　充・高木信一（東大）

(2) 10:50 - 11:30
［記念講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響
○岡　博史・稲葉　工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森　貴洋（産総研）

(3) 11:30 - 11:50
自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価
○奥平　諒（関西学院大）・川那子高暢（東工大）・細井卓治（関西学院大）

(4) 11:50 - 12:10
FeナノドットへのSiH4照射がシリサイド化反応に及ぼす影響
○斎藤陽斗・牧原克典・谷田　駿・田岡紀之・宮﨑誠一（名大）

(5) 12:10 - 12:30
熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価
○佐野友之輔（名大）・田岡紀之（愛知工大）・牧原克典（名大）・大田晃生（福岡大）・宮﨑誠一（名大）

−−−　昼休憩　（ 60分）　−−−

(6) 13:30 - 14:10
［依頼講演］オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓
○藤原弘和・糸矢祐喜・小林正治・バレイユセドリック・辛　埴・谷内敏之（東大）

(7) 14:10 - 14:50
［依頼講演］結晶相転移接合トランジスタの実証
○冨岡克広・勝見　悠・本久順一（北大）

(8) 14:50 - 15:30
［招待講演］加熱その場高分解能TEMを用いた薄膜Si固相結晶化過程の原子スケールリアルタイム観察～多結晶Siチャネル高性能化に向けて～
○手面　学・浅野孝典・高石理一郎・富田充裕・齋藤真澄・田中洋毅（キオクシア）

研究会終了後、広島大学・ナノデバイス研究所見学（希望者対象）

一般講演：発表 15 分＋質疑応答 5 分
記念講演：発表 35 分＋質疑応答 5 分
依頼講演：発表 35 分＋質疑応答 5 分

◆応用物理学会共催

☆SDM研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

8月1日(火)～3日(木)　北海道大学情報教育館 3F　[6月13日(火)]　テーマ：アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用

【問合先】
細井卓治（関西学院大学）