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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 大見 俊一郎 (東工大) 副委員長 宇佐美 達矢 (日本エーエスエム) 幹事 諏訪 智之 (東北大)， 野田 泰史 (パナソニック) 幹事補佐 細井 卓治 (関西学院大)， 二瀬 卓也 (サンディスク) 日時 2023年 1月30日(月) 13：10～16：55 会場 機会振興会館（B3-1）（〒105-0011 東京都港区芝公園３丁目５−８．東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分．http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/） 議題 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） 1月30日(月) 午後 （13：00～16：55） −−− 研究会担当者からのアナウンスなど （ 10分 ） −−− (1) 13:10 - 13:40 ［招待講演］セル面積極小化に向けたIGZO/Ge/2Si異種チャネル3次元集積型6T SRAMの開発 ○張 文馨（産総研）・余 心仁・洪 子杰・李 耀仁（台湾半導体研究中心）・趙 天生（台湾陽明交通大）・王 永和（台湾成功大）・前田辰郎（産総研） (2) 13:40 - 14:10 ［招待講演］高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM ○大嶋和晃・遠藤正己・沼田至優・恵木勇司・井坂史人・大野敏和・手塚祐朗・濱田俊樹・古谷一馬・津田一樹・松嵜隆徳・大貫達也・村川 努・國武寛司（半導体エネルギー研）・小林正治（東大）・山﨑舜平（半導体エネルギー研） (3) 14:10 - 14:40 ［招待講演］25 nm iPMA-type Hexa-MTJ with solder reflow capability and endurance >107 for eFlash-type MRAM H Honjoi・K Nishioka・S Miura・○Hiroshi Naganuma・T Watanabe・T Nasuno・T Tanigawa・Y Noguchi・H Inoue・M Yasuhiro・S Ikeda・T Endoh（Tohoku Univ.） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (4) 14:55 - 15:25 ［招待講演］RonAと逆導通信頼性のトレードオフ改善を実現する、SiC-MOSFETにおける効果的なSBD内蔵構造 ○朝羽俊介・古川 大・楠本雄司（東芝デバイス&ストレージ）・飯島良介（東芝）・河野洋志（東芝デバイス&ストレージ） (5) 15:25 - 15:55 ［招待講演］Ge2Sb2Te3S2を用いた不揮発性相変化中赤外光位相シフタ ○宮武悠人（東大）・牧野孝太郎・富永淳二・宮田典幸・中野隆志・岡野 誠（産総研）・トープラサートポン カシディット・高木信一・竹中 充（東大） (6) 15:55 - 16:25 ［招待講演］未来のテラヘルツ応用に向けた共鳴トンネルダイオード技術 ○鈴木左文（東工大） (7) 16:25 - 16:55 ［招待講演］IEDM2022を振り返って ○黒田理人（東北大） 招待講演：発表 25 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2月7日(火) 東京大学 武田ホール [12月9日(金)] テーマ：配線・実装技術と関連材料技術 4月21日(金)～22日(土) 沖縄県青年会館 [2月10日(金)] テーマ：薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 【問合先】 1月研究会担当：高橋芳浩（日大理工）           n-u Last modified: 2023-01-10 15:30:19 |
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