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技報の〆切日は7/1前後となります。 正確な日付は事務局より6月下旬に通知されます。 本研究会は北海道大学(現地)とオンラインとを併用したハイブリッド形式にて開催いたします。 ★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 大見 俊一郎 (東工大) 副委員長 宇佐美 達矢 (ラピダス) 幹事 諏訪 智之 (東北大)， 野田 泰史 (パナソニック) 幹事補佐 細井 卓治 (関西学院大)， 二瀬 卓也 (ウエスタンデジタル) ★集積回路研究会（ICD） 専門委員長 池田 誠 (東大) 副委員長 若林 準人 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) 幹事 吉原 義昭 (キオクシア)， 宮地 幸祐 (信州大) 幹事補佐 白井 僚 (京大)， 塩見 準 (阪大)， 久保木 猛 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) ★情報センシング研究会（ITE-IST） 委員長 池辺 将之 (北大) 担当幹事 小室 孝 (埼玉大)， 下ノ村 和弘 (立命館大)， 香川 景一郞 (静岡大) 担当幹事 徳田 崇 (東工大)， 黒田 理人 (東北大)， 北村 和也 (NHK)， 山下 雄一郎 (TSMC)， 大倉 俊介 (立命館大)， 竹本 良章 (メムスコア) 担当幹事補佐 秋田 純一 (金沢大) 日時 2023年 8月 1日(火) 10：00～17：00 2023年 8月 2日(水) 09：00～17：00 2023年 8月 3日(木) 09：30～15：30 会場 北海道大学 情報教育館 3F スタジオ型多目的中講義室（ハイブリッド開催）（札幌市北区北１６条西８丁目．https://www.imc.hokudai.ac.jp/event/event/%E6%83%85%E5%A0%B1%E6%95%99%E8%82%B2%E9%A4%A8%E4%BD%8D%E7%BD%AE%E5%9B%B3.pdf） 議題 アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 8月1日(火) 午前 （10：00～13：00） 座長: 兼本 大輔（大阪大学） (1)/ICD 10:00 - 10:45 ［招待講演］最先端CMOSプロセスを適用した小型高分解能サイクリックA/D変換器の開発 ○大島 俊・山本敬亮・小野豪一（日立） (2)/ICD 10:45 - 11:10 量子デバイスの環境モニタリングに向けた極低温AD変換器の検討 ○山田友弥・髙橋亮蔵・三木拓司・永田 真（神戸大） (3)/ICD 11:10 - 11:35 量子コンピュータ向けフリップチップシリコンインターポーザの極低温評価 ○田口美里・高橋亮蔵（神戸大）・加藤薫子・楠野順弘（日立）・三木拓司・永田 真（神戸大） (4)/ITE-IST 11:35 - 12:00 相補型バイアス制御による低電圧VCO型ADCの高線形化 ○富樫拓斗・小松純大・池辺将之（北大） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− 8月1日(火) 午後 （13：00～17：00） 座長: 辻 将信（ローム）, 佐久間 究（キオクシア） (5)/ICD 13:00 - 13:45 ［招待講演］低電力半導体技術の研究開発と応用の拡大 ～ 43年間の半導体研究を振り返って ～ ○石橋孝一郎（電通大） (6)/ICD 13:45 - 14:30 ［招待講演］低消費電力センサと無線技術の研究動向 ○道正志郎・石原 昇・伊藤浩之（東工大） (7)/ITE-IST 14:30 - 15:15 ［招待講演］(仮)エッジAIの現状と今後の展望 ○本村真人（東工大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (8)/SDM 15:25 - 16:10 ［招待講演］短チャネルバルクMOSFETsの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源 ○稲葉 工・岡 博史・浅井栄大・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・福田浩一・森 貴洋（産総研） (9)/SDM 16:10 - 16:35 高圧水素アニールによるSi (110)面 n-MOSFETの極低温特性改善 ○下方駿佑（慶大/産総研）・岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・加藤公彦・森 貴洋（産総研） (10)/SDM 16:35 - 17:00 クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析 ○李 龍聖・森 貴之（金沢工大）・岡 博史・森 貴洋（産総研）・井田次郎（金沢工大） 8月2日(水) 午前 （09：00～13：15） 座長: 安江 俊夫(ソニーセミコンダクタソリューションズ) / 八重樫 浩(ティアテック） (11)/ICD 09:00 - 09:45 ［招待講演］10Gbps/Wのネットワークルーティング、40ms CANバス 起動および1.4mWの待機電力を実現する 33k DMIPS・6.4W車載コミュニケーションゲートウェイプロセッサ ○島田健市・佐野啓一郎・福岡一樹・森田浩史・大東正行・亀井達也・浜崎博幸・島崎靖久（ルネサス エレクトロニクス） (12)/ICD 09:45 - 10:10 1W/8R 20T SRAMコードブックメモリによる深層学習プロセッサの主記憶帯域削減 ○大原遼太郎・加太雅也・太地正和・福永 篤・安田祐人・濱邉理玖・和泉慎太郎・川口 博（神戸大） (13)/ITE-IST 10:10 - 10:35 LOFICイメージセンサに用いる小面積かつ高線形な列並列回路 ○堀田遼太郎・大倉俊介・大谷 愛・立田一葵（立命館大）・宮内 健・韓 相萬・大和田英樹・高柳 功（ブリルニクスジャパン） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (14)/ITE-IST 10:45 - 11:30 ［招待講演］イメージセンサ技術が創る情報センシングの社会 ○若林準人（ソニーセミコンダクタソリューションズ） (15)/ITE-IST 11:30 - 12:15 ［招待講演］マルチモーダル・フレキシブルセンサシステム ○竹井邦晴（北大） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− 8月2日(水) 午後 （13：15～17：00） 座長: 森 貴洋（産総研） (16)/SDM 13:15 - 14:00 ［招待講演］原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ ○小林正治・日掛凱斗・李 卓・ハオ ジュンシャン・パンディ チトラ・更屋拓哉・平本俊郎（東大）・高橋崇典・上沼睦典・浦岡行治（奈良先端大） (17)/SDM 14:00 - 14:45 ［招待講演］先端ロジック集積回路向けデバイスの最新技術動向 ～ FinFET, BS-PDN, GAA-NS-FET, CFET, 2D-CFET ～ ○若林 整（東工大） (18)/SDM 14:45 - 15:10 センサ・回路設計の共通プラットフォーム素子としての多端子MOSFET ○原田知親（山形大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (19) 15:20 - 17:00 パネルディスカッション 「エッジAIの未来と求められる要素技術」 モデレータ 池辺 将之（北海道大） パネリスト 若林準人（ソニー）、島田健市（ルネサスエレクトロニクス）、若林整（東工大）、小林正治（東大） 8月3日(木) 午前 （09：30～13：00） 座長: 平本 俊郎（東京大学） (20)/SDM 09:30 - 10:15 ［招待講演］二次元原子層材料デバイスの現状課題と開発展望 ○長汐晃輔（東大） (21)/SDM 10:15 - 11:00 ［招待講演］ビットコスト低減と持続可能性に向けた極低温7ビットセルフラッシュメモリの回復アニールによる再生利用 ○饗場悠太・田中 瞳・菊島史恵・田中洋毅・藤澤俊雄・向田秀子・佐貫朋也（キオクシア） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (22)/ITE-IST 11:10 - 11:35 Stabilizing Variable Filters Using Inverse Trigonometric Functions ○Tian-Bo Deng（Toho Univ.） (23)/ITE-IST 11:35 - 12:00 画像色相分析による水中海面層のクロロフィルa濃度分析手法 ○小迫隼也・濱崎利彦（広島工大） −−− 休憩 （ 60分 ） −−− 8月3日(木) 午後 （13：00～15：30） 座長: 弘原海 潤治（キオクシア）, 久保木 猛（熊本大学） (24)/ICD 13:00 - 13:45 ［招待講演］エネルギーの場，コンピューターのカタチ ○三浦典之（阪大） (25)/ICD 13:45 - 14:30 ［招待講演］パワーデバイス用負荷適応型アクティブゲートドライバ集積回路の研究開発 ○川井秀介・上野武司・高谷 聡・宮崎耕太郎（東芝）・鬼塚浩平（東芝欧州社）・石原寛明（東芝） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (26)/ICD 14:40 - 15:05 Real-Time Gate Current Change Gate Driver IC to Adapt to Operating Condition Variations of SiC MOSFETs ○Dibo Zhang・Kohei Horii・Katsuhiro Hata・Makoto Takamiya（UTokyo） (27)/ICD 15:05 - 15:30 Gate Driver IC with Fully Integrated Overcurrent Protection Function by Measuring Gate-to-Emitter Voltage ○Haifeng Zhang・Dibo Zhang・Hiromu Yamasaki・Katsuhiro Hata（Univ. of Tokyo）・Keiji Wada（Tokyo Metropolitan Univ.）・Kan Akatsu（Yokohama National Univ.）・Ichiro Omura（Kyusyu Institute of Technology）・Makoto Takamiya（Univ. of Tokyo） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 5 分 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 10月13日(金) 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ [8月25日(金)] テーマ：プロセス科学と新プロセス技術 11月9日(木)～10日(金) 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 [9月4日(月)] テーマ：プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 【問合先】 佐久間 究（キオクシア） E-mail:         oxia ☆ICD研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 9月28日(木) 理化学研究所 和光地区 大河内記念ホール（C32） [未定] テーマ：第17回アクセラレーション技術発表討論会「ポスト富岳アーキテクチャ」 10月31日(火) いせシティプラザ [8月21日(月)] テーマ：ハードウェアセキュリティ，一般 11月15日(水)～17日(金) くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール [9月8日(金)] テーマ：デザインガイア2023 -VLSI設計の新しい大地- 【問合先】 宮地 幸祐 (信州大学) E-mail: k     nshu-u ☆ITE-IST研究会 【問合先】 池辺将之 (北海道大学） E-mail: i  beist  iLast modified: 2023-07-26 13:42:30 |
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