| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催プログラム |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップ | 戻る | / | [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT] | [Japanese] / [English] |
|
★集積回路研究会（ICD） 専門委員長 藤島 実 (広島大) 副委員長 日高 秀人 (ルネサス エレクトロニクス) 幹事 吉田 毅 (広島大)， 高宮 真 (東大) 幹事補佐 橋本 隆 (パナソニック)， 夏井 雅典 (東北大)， 伊藤 浩之 (東工大)， 範 公可 (電通大) 日時 2017年 4月20日(木) 10：10～17：00 2017年 4月21日(金) 09：35～15：05 会場 機械振興会館 地下3階 研修2号室（4月20日）、研修1号室（4月21日）（←1日目と2日目で部屋が変わりますので、ご注意下さい）（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8．http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html） 議題 メモリ技術と集積回路関連一般 4月20日(木) 午前 （10：10～11：50） 座長: 新居 浩二（ルネサスエレクトロニクス） (1) 10:10 - 10:35 ［依頼講演］超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ ～ (Ultra-low Energy Consumption High-Dentisy VoCSM) ～ ○與田博明・下村尚治・大沢裕一・白鳥聡志・加藤侑志・井口智明・上口裕三・ブヤンダライ アルタンサガイ・斉藤好昭・鴻井克彦・杉山英行・及川壮一・清水真理子・石川瑞恵・池上一隆（東芝） (2) 10:35 - 11:00 ［依頼講演］2Xnm世代以降のトランジスタに向けた，高速且つ低消費電力動作する不揮発性STT-MRAM用MTJ素子の開発 ○才田大輔・柏田沙織・矢ヶ部恵弥・大坊忠臣・伊藤順一・野口紘希・安部恵子・藤田 忍（東芝）・福本三芳・三輪真嗣・鈴木義茂（阪大） (3) 11:00 - 11:50 ［招待講演］9F2型高密度セルと階層ビット線方式を採用しLPDDR2インターフェースを実装した4GビットSTT-MRAM ○土田賢二（東芝）・Kwangmyoung Rho・Dongkeun Kim（SK hynix）・白井 豊（東芝）・Jihyae Bae（SK hynix）・稲場恒夫・野呂寛洋（東芝）・Hyunin Moon・Sungwoong Chung（SK hynix）・須之内一正（東芝）・Jinwon Park・Kiseon Park（SK hynix）・山本明人（東芝）・Seoungju Chung・Hyeongon Kim（SK hynix） −−− 昼食 （ 70分 ） −−− 4月20日(木) 午後 （13：00～14：40） 座長: 藤島 実（広島大学） (4) 13:00 - 13:50 ［招待講演］ナノドット型恒久メモリーの研究 ○渡邊 強・三浦典之・劉 施佳・今井繁規・永田 真（神戸大） (5) 13:50 - 14:15 ［依頼講演］IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路 ○鶴見洸太・田中誠大・竹内 健（中大） (6) 14:15 - 14:40 ［依頼講演］リード・ホット・データとコールド・データのエラーを削減するデータセンタ向けTLC NAND型フラッシュメモリの高信頼制御技術 ○中村俊貴・小林惇朗・竹内 健（中大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 4月20日(木) 午後 （14：55～17：00） 座長: 三浦 典之（神戸大学） (7) 14:55 - 15:20 ［依頼講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） (8) 15:20 - 16:10 ［招待講演］車載用アプリケーションが求める混載Flash技術 ○中野全也・伊藤 孝・山内忠昭・山口泰男・河野隆司・日高秀人（ルネサス エレクトロニクス） (9) 16:10 - 17:00 ［招待講演］A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology ○Ryuji Yamashita・Sagar Magia（WDC）・Tsutomu Higuchi・Kazuhide Yoneya・Toshio Yamamura（Toshiba）・Hiroyuki Mizukoshi・Shingo Zaitsu・Minoru Yamashita・Shunichi Toyama・Norihiro Kamae・Juan Lee・Shuo Chen・Jiawei Tao・William Mak・Xiaohua Zhang（WDC） 4月21日(金) 午前 （09：35～11：50） 座長: 宮地 幸祐（信州大学） (10) 09:35 - 10:00 ［依頼講演］不揮発性SRAMのアーキテクチャとエネルギー性能 ○北形大樹・周藤悠介・山本修一郎・菅原 聡（東工大） (11) 10:00 - 10:25 ［依頼講演］A 55nm Ultra Low Leakage Deeply Depleted Channel Technology Optimized for Energy Minimization in Subthreshold SRAM and Logic ○Harsh N. Patel・Abhishek Roy・Farah B. Yahya・Ningxi Liu・Benton Calhoun（UVA）・Akihiko Harada（FEA）・Kazuyuki Kumeno・Makoto Yasuda・Taiji Ema（MIFS） (12) 10:25 - 10:50 ［依頼講演］16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM ○澤田陽平・藪内 誠・森本薫夫（ルネサス エレクトロニクス）・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (13) 11:00 - 11:25 ［依頼講演］高耐熱ポリマー固体電解質(TT-PSE)を用いた不揮発プログラマブルロジック向け高信頼性Cu原子スイッチ ○岡本浩一郎・多田宗弘・伴野直樹・井口憲幸・波田博光・阪本利司・宮村 信・辻 幸秀・根橋竜介・森岡あゆ香・白 旭・杉林直彦（NEC） (14) 11:25 - 11:50 ［依頼講演］原子スイッチFPGAの高密度化とスケーラビリティ ○辻 幸秀・白 旭・森岡あゆ香・宮村 信・根橋竜介・阪本利司・多田宗弘・伴野直樹・岡本浩一郎・井口憲幸・波田博光・杉林直彦（NEC） −−− 昼食 （ 70分 ） −−− 4月21日(金) 午後 （13：00～15：05） 座長: 渡邊 大輔（アドバンテスト） (15) 13:00 - 13:25 ［依頼講演］クロスバー型アンチヒューズメモリを用いた高集積プログラマブル論理回路 ○安田心一・小田聖翔・松本麻里・辰村光介・財津光一郎・何 英豪・小野瑞城（東芝） (16) 13:25 - 13:50 ［依頼講演］HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証 ○山口まりな・藤井章輔・上牟田雄一・井野恒洋・高石理一郎・中崎 靖・齋藤真澄（東芝） (17) 13:50 - 14:15 ［依頼講演］60nm CAAC-IGZO FETと65nm CMOSを組み合わせて作成した組み込みメモリとARM Cortex-M0コア ○大貫達也・磯部敦生・安藤善範・岡本 悟・加藤 清（半導体エネルギー研）・T R Yew・Chen Bin Lin・J Y Wu・Chi Chang Shuai・Shao Hui Wu（United Microelectronics Corporation）・James Myers（ARM）・Klaus Doppler（Nokia Technologies）・藤田昌宏（東大）・山崎舜平（半導体エネルギー研） (18) 14:15 - 15:05 ［招待講演］A 1/2.3in 20Mpixel 3-Layer Stacked CMOS Image Sensor with DRAM Tsutomu Haruta・○Tsutomu Nakajima・Jun Hashizume・Taku Umebayashi・Hiroshi Takahashi・Kazuo Taniguchi・Masami Kuroda・Hiroshi Sumihiro・Koji Enoki（Sony Semiconductor Solutions）・Takatsugu Yamasaki（Sony Semiconductor Manufacturing）・Katsuya Ikezawa・Atsushi Kitahara・Masao Zen・Masafumi Oyama・Hiroki Koga（Sony Semiconductor Solutions） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 依頼講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 45 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆IEEE SSCS Japan Chapter；IEEE SSCS Kansai Chapter共催 ◎研究会1日目終了後，懇親会を予定していますので御参加ください。 日時：4月20日 17:30～19:30 場所：機械振興会館 ニュー・トーキョー ☆ICD研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 5月15日(月)～16日(火) 東京大学 生産技術研究所 [未定] テーマ：LSIとシステムのワークショップ2017 7月31日(月)～8月2日(水) 北海道大学情報教育館 [6月8日(木)] テーマ：アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 【問合先】 高宮 真 (東京大学) E-mail:m   iis u-  Last modified: 2017-04-05 19:40:06 |
ご注意： 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております．ご了承ください．
[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
[研究会発表・参加方法，FAQ] ※ ご一読ください
[ICD研究会のスケジュールに戻る] /
| トップ | 戻る | / | [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT] | [Japanese] / [English] |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]