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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 前澤 宏一 (富山大) 副委員長 津田 邦男 (東芝) 幹事 松永 高治 (NEC)， 鈴木 寿一 (北陸先端大) 幹事補佐 新井 学 (新日本無線)， 東脇 正高 (NICT) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 野毛 悟 (沼津高専) 副委員長 廣瀬 文彦 (山形大) 幹事 小舘 淳一 (NTT)， 岩田 展幸 (日大) 幹事補佐 坂本 尊 (NTT)， 中村 雄一 (豊橋技科大) ★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 小路 元 (住友電工) 副委員長 野田 進 (京大) 幹事 梅沢 俊匡 (NICT)， 藤原 直樹 (NTT) 日時 2015年11月26日(木) 10：30～17：20 2015年11月27日(金) 10：00～16：15 会場 大阪市立大学・学術情報センター会議室（https://www.media.osaka-cu.ac.jp） 議題 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 11月26日(木) 午前 （10：30～12：10） 座長: 橋本玲 (東芝セミコンダクタ―) (1) 10:30 - 10:55 RF窒素プラズマを用いた表面窒化によるα-(AlGa)2O3上AlGaN形成に関する検討 ○荒木 努・武馬 輝・増田 直・名西やす之（立命館大）・織田真也・人羅俊実（FLOSFIA） (2) 10:55 - 11:20 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール ○鈴木周平・林 家弘・三宅秀人・平松和政（三重大）・福山博之（東北大） (3) 11:20 - 11:45 AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長 ○安井大貴・三宅秀人・平松和政（三重大）・岩谷素顕・赤崎 勇（名城大）・天野 浩（名大） (4) 11:45 - 12:10 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性 ○小島一信（東北大）・塚田悠介（三菱化学）・古川えりか・斉藤 真（東北大）・三川 豊・久保秀一・池田宏隆・藤戸健史（三菱化学）・上殿明良（筑波大）・秩父重英（東北大） −−− 休憩 （ 60分 ） −−− 11月26日(木) 午後 （13：10～14：50） 座長: 鈴木寿一 (北陸先端大) (5) 13:10 - 13:35 ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析 ○堀田昌宏（京大）・高島信也・田中 亮・松山秀昭・上野勝典・江戸雅晴（富士電機）・須田 淳（京大） (6) 13:35 - 14:00 ホール効果測定によるホモエピタキシャル成長低Siドープn型GaNの電気的特性評価 ○澤田直暉（京大）・成田哲生・加地 徹・上杉 勉（豊田中研）・堀田昌宏・須田 淳（京大） (7) 14:00 - 14:25 ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性 ○前田拓也（京大）・岡田政也・山本喜之・上野昌紀（住友電工）・堀田昌宏・須田 淳（京大） (8) 14:25 - 14:50 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 ○梶谷 亮・半田浩之・宇治田信二・柴田大輔・小川雅弘・田中健一郎・石田秀俊・田村聡之・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 11月26日(木) 午後 （15：05～16：20） 座長: 藤原直樹 (NTT) (9) 15:05 - 15:30 ［招待講演］AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価 ○秩父重英（東北大）・三宅秀人・平松和政（三重大） (10) 15:30 - 15:55 光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定 ○河上航平・中納 隆・山口敦史（金沢工大） (11) 15:55 - 16:20 光音響・発光同時計測法を用いたGaNの内部量子効率の測定 ○中納 隆・河上航平・山口敦史（金沢工大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 11月26日(木) 午後 （16：30～17：20） 座長: 梅沢俊匡 (NICT) (12) 16:30 - 16:55 多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光 ○石戸亮祐・石井良太・船戸 充・川上養一（京大） (13) 16:55 - 17:20 アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用 ○岡本晃一・立石和隆・川元 駿・西田知句・玉田 薫（九大）・船戸 充・川上養一（京大） 11月27日(金) 午前 （10：00～12：05） 座長: 重川直輝 (大阪市大) (14) 10:00 - 10:25 伝導型の違いからみたGaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解明 ○古賀祐介・中村成志・奥村次徳（首都大東京） (15) 10:25 - 10:50 Temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using plasma-excited nitrogen source ○P.Pungboon Pansila・Kensaku Kanomata・Bashir Ahammad・Shigeru Kubota・Fumihiko Hirose（Yamagata Univ） (16) 10:50 - 11:15 Interface analysis of Ti/Al-based ohmic contact on AlGaN/GaN structure grown on GaN substrate ○Dariush H. Zadeh・Tanabe Shinichi・Watanabe Noriyuki・Matsuzaki Hideaki（NTT） (17) 11:15 - 11:40 ALDにより成膜したHfO2を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの界面準位とデバイス特性 ○西野剛介・久保俊晴・江川孝志（名工大） (18) 11:40 - 12:05 Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性 ○山岡優哉（大陽日酸）・伊藤和宏（名工大）・生方映徳・田渕俊也・松本 功（大陽日酸）・江川孝志（名工大） −−− 休憩 （ 60分 ） −−− 11月27日(金) 午後 （13：05～14：20） 座長: 川口真生 (パナソニック) (19) 13:05 - 13:30 GaN系THz-QCLの最近の進展 ○寺嶋 亘・平山秀樹（理研） (20) 13:30 - 13:55 無極性a面AlGaN/AlNの高温成長と深紫外発光特性 ○定 昌史・平山秀樹（理研） (21) 13:55 - 14:20 m面サファイア上AlGaN/AlNの結晶成長と光学特性 ○大島一晟（埼玉大/理研）・定 昌史・前田哲利（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・平山秀樹（理研） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 11月27日(金) 午後 （14：35～16：15） 座長: 津田邦男 (東芝) (22) 14:35 - 15:00 表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善 ○加畑智基・堤 達哉・三好実人・江川孝志（名工大） (23) 15:00 - 15:25 スマートスタック技術による多接合太陽電池の接合界面評価 ○野中翔一郎・古川昭雄（東京理科大）・牧田紀久夫・水野英範・菅谷武芳・仁木 栄（産総研） (24) 15:25 - 15:50 GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果 ○柴 麗・梁 剣波・重川直輝（阪市大） (25) 15:50 - 16:15 表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性 ○林 朋宏・梁 剣波（阪市大）・新井 学（新日本無線）・重川直輝（阪市大） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月21日(月)～22日(火) 東北大通研ナノ・スピン棟 [10月19日(月)] テーマ：ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 2016年1月20日(水) 機械振興会館 [11月17日(火)] テーマ：パワーデバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般 ☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月1日(火)～3日(木) 長崎県勤労福祉会館 [9月20日(日)] テーマ：デザインガイア2015 -VLSI設計の新しい大地- ☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月18日(金) 機械振興会館 [10月17日(土)] テーマ：半導体レーザー関連技術および一般 2016年1月28日(木)～29日(金) 神戸市産業振興センター [11月12日(木)] テーマ：フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般 【問合先】 梅沢 俊匡（情報通信研究機構） TEL 042-327-7528, FAX 042-327-7938 E-mail:   _u      藤原 直樹（日本電信電話株式会社） TEL 046-240-3266, FAX 046-240-4345 E-mail:      o    ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/ ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 Last modified: 2015-11-26 10:59:55 |
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