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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 津田 邦男 (東芝) 副委員長 須原 理彦 (首都大) 幹事 新井 学 (新日本無線)， 東脇 正高 (NICT) 幹事補佐 大石 敏之 (佐賀大)， 岩田 達哉 (豊橋技科大) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 廣瀬 文彦 (山形大) 副委員長 武山 真弓 (北見工大) 幹事 岩田 展幸 (日大)， 中村 雄一 (豊橋技科大) 幹事補佐 赤毛 勇一 (NTTデバイスイノベーションセンタ) ★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 山本 剛之 (富士通研) 副委員長 浜本 貴一 (九大) 幹事 片桐 崇史 (東北大)， 八木 英樹 (住友電工) 幹事補佐 川北 泰雅 (古河電工)， 藤原 直樹 (NTT) 日時 2017年11月30日(木) 13：35～17：05 2017年12月 1日(金) 09：40～17：30 会場 名古屋工業大学 窒化物半導体マルチビジネス創生センター 56号館（〒466-8555 名古屋市昭和区御器所町．JR鶴舞駅より徒歩7分 または 地下鉄鶴舞線鶴舞駅から徒歩10分．http://www.nitech.ac.jp/access/index.html#a2．名古屋工業大学 江川孝志．052-732-2111） 議題 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 11月30日(木) 午後 LQE1 （13：30～15：15） 座長: 定 昌史（理研） −−− 開会挨拶 （ 5分 ） −−− (1) 13:35 - 14:00 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の測定 ○清水奈緒人・高橋佑知・小林玄季・中納 隆・坂井繁太・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー） (2) 14:00 - 14:25 InGaN発光ダイオードの光励起時のI-V特性／発光特性のモデル解析 ○太田有亮・坂井繁太・山口敦史（金沢工大） (3) 14:25 - 14:50 InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析 ○池田優真・坂井繁太・大島一輝・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー） (4) 14:50 - 15:15 マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性 ○早川峰洋・林 佑樹・長瀬勇樹・市川修平・熊本恭介・柴岡真美・船戸 充・川上養一（京大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 11月30日(木) 午後 ED1 （15：25～17：05） 座長: 小谷 淳二（富士通研） (5) 15:25 - 15:50 -c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 ○河野 司・久志本真希・永松謙太郎・新田州吾・本田善央・天野 浩（名大） (6) 15:50 - 16:15 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用 ○植村圭佑・松本 悟・渡久地政周・伊藤圭亮・佐藤威友（北大） (7) 16:15 - 16:40 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価 ○塩島謙次・橋爪孝典（福井大）・堀切文正・田中丈士（サイオクス）・三島友義（法政大） (8) 16:40 - 17:05 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ～ 金属仕事関数依存性 ～ ○塩島謙次・今立宏美（福井大）・三島友義（法政大） 12月1日(金) 午前 LQE2 （09：40～11：20） 座長: 平山 秀樹（理研） (9) 09:40 - 10:05 サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較 ○森 拓磨・太田美希・原田紘希・加藤慎也・三好実人・江川孝志（名工大） (10) 10:05 - 10:30 Eu添加GaNを発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LEDの実現 ○舘林 潤・稲葉智宏・塩見圭史・藤原康文（阪大） (11) 10:30 - 10:55 深紫外発光素子に向けた二段階組成傾斜p-AlGaN構造 ○小島久範・安田俊輝・上林大輝・飯田一喜・小出典克・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智・赤崎 勇（名城大） (12) 10:55 - 11:20 フォトニック結晶深紫外LEDの実現 ～ p型コンタクト層における高反射型フォトニック結晶によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率10%動作 ～ ○鹿嶋行雄（丸文）・前田哲利（理研）・松浦恵里子（丸文）・定 昌史（理研）・岩井 武・森田敏郎（東京応化）・小久保光典・田代貴晴（東芝機械）・上村隆一郎・長田大和（アルバック）・倉島優一・高木秀樹（産総研）・平山秀樹（理研） −−− 昼休み （ 70分 ） −−− 12月1日(金) 午後 ED2 （12：30～14：10） 座長: 津田 邦男（東芝） (13) 12:30 - 12:55 リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価 ○グェンスァン チュン（名大）・田岡紀之（産総研）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） (14) 12:55 - 13:20 MOS型GaNパワーデバイスにおけるPBTI信頼性の改善 ○梶原瑛祐・米原健矢・加藤大望・上杉謙次郎・新留 彩・蔵口雅彦・向井 章・大野浩志・湯元美樹（東芝）・吉岡 啓（東芝デバイス&ストレージ）・布上真也（東芝） (15) 13:20 - 13:45 NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価 ○石松裕真・舟木浩祐・桝谷聡士・宮崎恭輔・大島孝仁・嘉数 誠・大石敏之（佐賀大） (16) 13:45 - 14:10 XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価 ○久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 12月1日(金) 午後 LQE3 （14：20～16：00） 座長: 江川 孝志（名工大） (17) 14:20 - 14:45 2段階MOCVD法を用いたGaNナノワイヤの結晶成長 ○佐々井耕平・Myunghee KIM・鈴木 敦・澁谷弘樹・栗崎湧気・軒村恭平・竹林 穣・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕・赤﨑 勇（名城大） (18) 14:45 - 15:10 スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長 ○吉澤 涼・林 侑介・三宅秀人・平松和政（三重大） (19) 15:10 - 15:35 Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用 ○林 侑介・三宅秀人・平松和政・秋山 亨・伊藤智徳（三重大）・片山竜二（阪大） (20) 15:35 - 16:00 m面サファイア上半極性AlNのアニールによる高品質化 ○定 昌史・南 聡史・平山秀樹（理研） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 12月1日(金) 午後 CPM （16：10～17：30） 座長: 片桐 崇史（東北大） (21) 16:10 - 16:35 ゼオライト修飾光電極を用いた色素増感太陽電池の試作と評価 今井貴大・森 義晴・三浦正範・鹿又健作・有馬ボシールアハマド・久保田 繁・○廣瀬文彦（山形大） (22) 16:35 - 17:00 包絡線法を用いたFDTDアルゴリズムの有機太陽電池の光学解析への応用 ○久保田 繁・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド（山形大）・水野 潤（早大）・廣瀬文彦（山形大） (23) 17:00 - 17:25 銀ナノ粒子の局在表面プラズモン共鳴による量子ドット増感太陽電池の効率向上に関する研究 ○木幡優弥・三浦正範・鹿又健作・久保田 繁・廣瀬文彦・有馬 ボシール アハンマド（山形大） −−− 閉会挨拶（浜本 貴一（九大）） （ 5分 ） −−− 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月18日(月)～19日(火) 東北大通研ナノ・スピン棟 [10月27日(金)] テーマ：ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 2018年1月25日(木)～26日(金) 機械振興会館地下3階研修2号室 [11月17日(金)] テーマ：化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 2018年2月28日(水) (開催日変更) 北海道大学百年記念会館 [12月20日(水)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 【問合先】 新井 学（新日本無線（株）) TEL：049-278-1441 Fax :049-278-1269 E-mail：   i njr 東脇 正高（情報通信研究機構） TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527 E-mail : m      ☆CPM研究会 ☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月15日(金) (予定) 機械振興会館 [未定] テーマ：半導体レーザ関連技術，及び一般 2018年1月25日(木)～26日(金) (予定) 姫路西はりま地場産業センター [11月13日(月)] テーマ：フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般 2018年2月23日(金) 古河電工横浜事業所 [未定] テーマ：受光素子全般 【問合先】 片桐 崇史（東北大学大学院） TEL 022-795-7107, FAX 022-795-7106 E-mail:   gi ecei     八木 英樹（住友電気工業） TEL 045-853-7318 E-mail:  gi-de  i◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/ ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 Last modified: 2018-11-22 09:56:25 |
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