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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 葛西 誠也 (北大) 副委員長 新井 学 (名大) 幹事 小山 政俊 (阪工大)， 山本 佳嗣 (三菱電機) 幹事補佐 川原村 敏幸 (高知工科大)， 吉田 智洋 (住友電工デバイス・イノベーション) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 中澤 日出樹 (弘前大) 副委員長 寺迫 智昭 (愛媛大) 幹事 番場 教子 (信州大)， 武山 真弓 (北見工大) 幹事補佐 木村 康男 (東京工科大)， 廣瀬 文彦 (山形大)， 中村 雄一 (豊橋技科大)， 有馬 ボシールアハンマド (山形大) ★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 山口 敦史 (金沢工大) 副委員長 石井 啓之 (古河電工) 幹事 望月 敬太 (三菱電機)， 西島 喜明 (横浜国大) 幹事補佐 松本 敦 (NICT) 日時 2024年11月28日(木) 13：00～17：20 2024年11月29日(金) 10：00～16：50 会場 名古屋工業大学 窒化物半導体マルチビジネス創生センター（〒464-0856 愛知県名古屋市昭和区御器所１丁目７ 56号館．中央本線 鶴舞駅下車（名大病院口から東へ約400ｍ）．http://nitride-center.web.nitech.ac.jp/wordpress/） 議題 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 −−− 開会挨拶 （ 5分 ） −−− 11月28日(木) 午後 LQE1 （13：05～14：20） (1) 13:05 - 13:30 励起長可変法を用いたHVPE窒化アルミニウム基板の光学利得評価 ○石井良太・隅田長門（京大）・人見達矢・山本玲緒・永島 徹（トクヤマ）・船戸 充・川上養一（京大） (2) 13:30 - 13:55 量子井戸中のキャリア・フォノンダイナミクス ○地崎匡哉・石谷善博（千葉大） (3) 13:55 - 14:20 InGaN系ナノピラーにおける歪緩和と表面再結合 ○大音隆男・小菅駿也（山形大）・相川健喜・倉邉海史・菊池昭彦（上智大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 11月28日(木) 午後 LQE2 （14：30～15：45） (4) 14:30 - 14:55 スパッタアニールAlN上に作製した深紫外AlGaN LEDの顕微ELイメージング測定 ○辻本凌大（阪大院工）・市川修平（阪大院工/阪大電顕センター）・赤池良太（三重大院工）・上杉謙次郎（三重大院）・中村孝夫・三宅秀人（三重大院工）・小島一信（阪大院工） (5) 14:55 - 15:20 光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子のMQW層及びp-GaNコンタクト層の改善 ○小嶋智輝・石田颯汰朗・江川孝志・三好実人（名工大） (6) 15:20 - 15:45 金属ナノ構造と誘電体薄膜を用いたInGaN/GaN量子井戸の黄緑色発光の著しい増強 ○岡本晃一・上田直毅・藤岡宏輔・三戸田健太・松山哲也・和田健司（阪公立大）・船戸 充・川上養一（京大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 11月28日(木) 午後 LQE3 （16：05～17：20） (7) 16:05 - 16:30 井戸数の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究 ○新保 樹・土佐宏樹・神野翔綺・森 恵人・山口敦史（金沢工大）・岩満一功・冨谷茂隆（奈良先端大） (8) 16:30 - 16:55 In組成の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究 ○山形梨里花・新保 樹・森 恵人・山口敦史（金沢工大）・岩満一功・冨谷茂隆（奈良先端大） (9) 16:55 - 17:20 時間分解PL測定によるInGaN量子井戸におけるキャリア拡散の測定 ○伊藤央祐・山口敦史（金沢工大）・伊藤まいこ・幸田倫太郎・濱口達史（ソニーセミコンダクタソリューションズ） 11月29日(金) 午前 CPM1 （10：00～10：50） (10) 10:00 - 10:25 Zスキーム型SnS2/g-C3N4ヘテロ接合薄膜の光触媒への応用 ○森 耀平・バスカー マラティ・中村篤志（静岡大） (11) 10:25 - 10:50 水酸化ニッケル薄膜の半導体としての特性 ○安部功二（名工大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 11月29日(金) 午前 CPM2 （11：00～11：50） (12) 11:00 - 11:25 PEDOT：PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ構造のニューロモルフィックデバイス応用 ～ デバイス作製と電流-電圧特性 ～ ○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・パラニ ラジャセカラン・山本哲也（高知工科大） (13) 11:25 - 11:50 PEDOT：PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ構造のニューロモルフィックデバイス応用 ～ パルス動作特性 ～ ○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・パラニ ラジャセカラン・山本哲也（高知工科大） −−− 休憩 （ 100分 ） −−− 11月29日(金) 午後 ED1 （13：30～14：45） (14) 13:30 - 13:55 GaN-HEMTの耐圧均一性を改善するスクリーニング方法の提案 ○齋藤 渉・西澤伸一（九大） (15) 13:55 - 14:20 電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETの作製とデバイス特性評価 ○久保俊晴・三木隆太郎・江川孝志（名工大） (16) 14:20 - 14:45 歪超格子層およびALGaN遷移層を緩衝層に用いたSi基板上ALGaN/GaN HEMT構造の特性の比較 ○三木隆太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 11月29日(金) 午後 ED2 （14：55～15：45） (17) 14:55 - 15:20 界面顕微光応答法によるGaN JBS構造の二次元解析 ○今林弘毅・吉村遥翔（福井大）・太田 博・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大） (18) 15:20 - 15:45 GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価 ○井上諒星・小嶋智輝・間瀬 晃・江川孝志・三好実人（名工大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 11月29日(金) 午後 ED3 （15：55～16：50） (19) 15:55 - 16:20 ミストCVD法を用いたGaN系MOSデバイスのゲート絶縁膜堆積技術 ○谷田部然治・福光将也・大竹浩史・平倉拓海・ラズアン ハディラ（熊本大）・越智亮太（北大）・中村有水（熊本大）・佐藤威友（北大） (20) 16:20 - 16:45 水蒸気を用いたALD-Al2O3の欠陥低減と絶縁ゲート型InP系HEMTへの応用 ○尾崎史朗・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原 直紀（富士通） −−− 閉会挨拶 （ 5分 ） −−− 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月5日(木)～6日(金) ウインクあいち（愛知県産業労働センター） [10月4日(金)] テーマ：電子・イオンビーム応用 2025年1月23日(木)～24日(金) (予定) 関東近郊 [11月10日(日)] テーマ：化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 【問合先】 山本 佳嗣(三菱電機) TEL: 06-6496-9660 E-mail: Ya     Yo  gu  MibiElect c 小山 政俊(阪工大) TEL: 06-6167-4810 E-mail:    oit ☆CPM研究会 ☆LQE研究会 【問合先】 田中 信介（富士通（株）） TEL 080-2203-4544 E-mail: n-      西島 喜明(横浜国立大学） TEL 045-339-4107 E-mail:  y ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 Last modified: 2024-09-20 18:10:57 |
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