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★シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
専門委員長 大見 俊一郎 (東工大)  副委員長 宇佐美 達矢 (ラピダス)
幹事 諏訪 智之 (東北大), 野田 泰史 (パナソニック)
幹事補佐 細井 卓治 (関西学院大), 二瀬 卓也 (ウエスタンデジタル)

日時 2024年 1月31日(水) 12:30~16:20

会場 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス(〒105-0002 東京都港区愛宕1-3-4 愛宕東洋ビル13階1301室.東京メトロ日比谷線 虎ノ門ヒルズ駅(A1出口)徒歩2分 東京メトロ銀座線 虎ノ門駅(1番出口)徒歩8分 都営地下鉄三田線 御成門駅(A5出口)徒歩8分.https://www.kanazawa-it.ac.jp/tokyo/map.htm)

議題 先端デバイス・ プロセス技術(IEDM特集)

1月31日(水) 午後 (12:30~16:20)
座長: 未定

−−− 主催分科会幹事よりアナウンス ( 5分 ) −−−

(1) 12:35 - 13:05
[招待講演]mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割
○岡 博史・浅井栄大・稲葉 工・下方駿佑・由井 斉・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・中山隆史・森 貴洋(産総研)

(2) 13:05 - 13:35
[招待講演]プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御
○伊藤健治・成田哲生・井口紘子・岩崎四郎・菊田大悟(豊田中研)・狩野絵美・五十嵐信行・冨田一義・堀田昌宏・須田 淳(名大)

(3) 13:35 - 14:05
[招待講演]3D Flash Memory向けCMOS Directly Bonded to Array (CBA) 技術
○田上政由(キオクシア)

(4) 14:05 - 14:35
[招待講演]CBA(CMOS Directly Bonded to Array)技術を適用した、インターフェース速度3.2Gbps・プログラム速度205MB/sの高性能3次元フラッシュメモリ
○小林茂樹・田代健二・峯村洋一・中上恒平・有田幸司・大橋貴志(キオクシア)・舟山幸太・酒井久弥・虫賀満輝・岡部堅一・菅野善宏・清水 悟・藤倉栄一・中江彰宏・山口謙介(ウエスタンデジタル)・山脇秀之・中嶋一明・佐藤 充(キオクシア)

−−− 休憩 ( 15分 ) −−−

(5) 14:50 - 15:20
[招待講演]チャージトラップ制御によるHfO-FeFETのEndurance改善
○鈴木都文・佐久間 究・吉村瑶子・市原玲華・松尾和展・萩島大輔・藤原 実・齋藤真澄(キオクシア)

(6) 15:20 - 15:50
[招待講演]3次元構造強誘電体キャパシタを有する低電圧かつ高信頼性1T1C型FeRAM ~ IEDM2023報告内容 ~
○奥野 潤・国広恭史・周藤悠介・米内飛翔・小野 凌(ソニーセミコン)・ルーベン アルカーラ(ナムラボ)・マキシミリアン レダー・コンラッド ザイダル(フラウンホーファー)・トーマス ミコラジック・ウベ シュローダー(ナムラボ)・梅林 拓(ソニーセミコン)

(7) 15:50 - 16:20
[招待講演]HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング
○高木信一・トープラサートポン カシディット・名幸瑛心・鈴木陸央・閔 信義・竹中 充・中根了昌(東大)

招待講演:発表 25 分 + 質疑応答 5 分

◆応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催


☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

2月21日(水) 東京大学 本郷 工4号館 [12月26日(火)] テーマ:配線・実装時術と関連材料技術
4月20日(土) 奄美市アマホームプラザ [2月18日(日)] テーマ:薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般

【問合先】
1月研究会担当:小林伸彰 (日大理工)


Last modified: 2023-11-27 18:28:26


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