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★電子ディスプレイ研究会（EID） 専門委員長 志賀 智一 (電通大) 副委員長 木村 睦 (龍谷大)， 小南 裕子 (静岡大) 幹事 伊達 宗和 (NTT)， 山口 雅浩 (東工大) 幹事補佐 山口 留美子 (秋田大)， 新田 博幸 (ジャパンディスプレイ)， 中田 充 (NHK)， 小尻 尚志 (日本ゼオン)， 野中 亮助 (東芝) ★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス) 副委員長 品田 高宏 (東北大) 幹事 黒田 理人 (東北大)， 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス) 幹事補佐 池田 浩也 (静岡大) 日時 2016年12月12日(月) 09：30～17：15 会場 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科（奈良県生駒市高山町8916-5．学研北生駒駅からバス7分 徒歩20分．http://www.naist.jp/accessmap/．浦岡行治．0743-72-6060） 議題 シリコン関連材料の作製と評価 12月12日(月) 午前 （09：30～17：15） (1) 09:30 - 09:45 Development of recombination layer in Perovskite/Microcrystalline Si tandem solar cells ○Song Zhang・Yasuaki Yishikawa・Itaru Raifuku・Tiphaine Bourgeteau・Yukiharu Uraoka（NAIST）・Erik Johnson・Martin Foldyna・Yvan Bonnassieux・Pere Roca i Cabarrocas（Ecole polytechnique） (2) 09:45 - 10:00 ヘテロ接合型FeS2-Pyrite太陽電池に向けたFeS2/NiOx接合のバンドオフセット評価 ○河村祐亮・石河泰明・内山俊祐（奈良先端大）・野瀬嘉太郎（京大）・浦岡行治（奈良先端大） (3) 10:00 - 10:15 SrTa2O6によるIGZO薄膜トランジスタの高性能化要因解析 ○及川賢人・藤井茉美・Bermundo Juan Paolo（奈良先端大）・内山 潔（鶴岡高専）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） (4) 10:15 - 10:30 ミストCVD法で作製したGaSnO薄膜の特性評価 ○福嶋大貴・弓削政博・木村 睦・松田時宜（龍谷大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (5) 10:45 - 11:00 新規レアメタルフリーAOS-TFTの研究開発 ○梅田鉄馬・加藤雄太・西本大樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大） (6) 11:00 - 11:15 IGZO薄膜素子の磁気抵抗効果に対する電極の影響 ○符川明日香・野村竜生・松田時宜・木村 睦（龍谷大） (7) 11:15 - 11:30 GaSnO膜のHall効果測定 ○今西恒太・符川明日香・松田時宣・木村 睦（龍谷大） (8) 11:30 - 11:45 薄膜生体刺激デバイスのin-vitro実験 ○冨岡圭佑・三宅康平・松田時宜・木村 睦（龍谷大） (9) 11:45 - 12:00 薄膜コイルを用いたワイヤレス電力伝送 ○山本友稀・三澤慶悟・松田時宜・木村 睦（龍谷大） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− (10) 13:00 - 13:30 ［招待講演］金属酸化物抵抗変化型メモリにおけるデータ保持特性の外部ストレス耐性 ○木下健太郎（鳥取大） (11) 13:30 - 13:45 第一原理計算による多結晶酸化物薄膜の抵抗変化メカニズムの検討 ○森山拓洋・肥田聡太（鳥取大）・山崎隆浩・大野隆央（物質・材料研究機構）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） (12) 13:45 - 14:00 Pt/Nb:STO接合におけるメモリ特性とショットキーパラメータの関係 ○塩見俊樹・萩原祐仁・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） (13) 14:00 - 14:15 自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTから成るガラス上のCMOSインバータ ○大澤弘樹・原 明人（東北学院大） (14) 14:15 - 14:30 Ⅳ族非晶質薄膜のフラッシュランプ結晶化における熱力学的考察 ○松尾直人・吉岡尚輝・部家 彰（兵庫県立大）・中村祥章・横森岳彦・吉岡正樹（ウシオ電機） (15) 14:30 - 14:45 アイランド状a-Ge膜のFLA結晶化 ○吉岡尚輝・部家 彰・松尾直人（兵庫県立大）・中村祥章・横森岳彦・吉岡正樹（ウシオ電機） (16) 14:45 - 15:00 p型SiCの電気化学エッチングにおけるエッチングモード制御によるピットの低減 ○榎薗太郎・木本恒暢・須田 淳（京大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (17) 15:15 - 15:30 DNA/Si-MOSFET,寄生容量制御によるインバータ回路の検討 ○中野 響・松尾直人・部屋 彰・高田忠雄・山名一成（兵庫県立大）・佐藤 旦・横山 新（広島大） (18) 15:30 - 15:45 加熱金属線を用いたペンタセンの分解とグラフェン系有機膜の形成 ○部家 彰・松尾直人（兵庫県立大） (19) 15:45 - 16:00 非晶質InGaZnO薄膜の熱電特性評価 ○多和勇樹・上沼睦典・藤本裕太・瀬名波大貴・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） (20) 16:00 - 16:15 薄膜トランジスタによるセルラニューラルネットワークでの文字認識 ○杉崎澄生・松田時宜・木村 睦（龍谷大） (21) 16:15 - 16:30 GTO薄膜を用いたプレーナ型シナプスの特性評価 ○生島恵典・梅田鉄馬・松田時宜・木村 睦（龍谷大） (22) 16:30 - 16:45 ニューラルネットワークのハードウェア化におけるキャパシタ型シナプスの検討 ○和多田晃樹・中西弘樹・木村 睦・松田時宜（龍谷大） (23) 16:45 - 17:00 a-IGZO薄膜を用いたニューラルネットワークのシナプスの作製 ○堀 賢将・田中 遼・古我祐貴・松田時宜・木村 睦（龍谷大） (24) 17:00 - 17:15 セルラニューラルネットワークのアナログ回路シミュレーション ○横山朋陽・木村 睦・松田時宜（龍谷大） 一般講演：発表 12 分 ＋ 質疑応答 3 分 招待講演：発表 25 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ☆EID研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2017年1月26日(木)～27日(金) (予定) 徳島大学 [10月22日(土)] テーマ：発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会 2017年1月30日(月)～31日(火) みやじま杜の宿(広島) [11月16日(水)] テーマ：回路・デバイス・境界領域技術 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2017年1月30日(月)～31日(火) みやじま杜の宿(広島) [11月16日(水)] テーマ：回路・デバイス・境界領域技術 2017年1月30日(月) 機械振興会館 [未定] テーマ：先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） 2017年2月6日(月) 東京大学/本郷 [11月18日(金)] テーマ：配線・実装技術と関連材料技術 2017年2月24日(金) 北海道大学百年記念会館 [12月16日(金)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 【問合先】 黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-mail:        e3   Last modified: 2016-10-26 13:59:55 |
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