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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 小野 行徳 (NTT)， 大西 克典 (九工大)
幹事補佐 野村 晋太郎 (筑波大)
日時 2010年11月11日(木) 10：00～15：30
2010年11月12日(金) 10：30～15：55
会場 機械振興会館 地下３階 研修－１
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般
11月11日(木) 午前 （10：00～11：45）
−−− イントロダクトリー・トーク （ 5分 ） −−−
(1) 10:05 - 10:55
［招待講演］2010 SISPADレビュー
○鎌倉良成（阪大）
(2) 10:55 - 11:45
［招待講演］ばらつき・信頼性シミュレーション技術の最新動向 ～ SISPAD2010併設ワークショップ1のレビュー ～
○鳥山周一（東芝）
−−− 昼食 （ 75分 ） −−−
11月11日(木) 午後 （13：00～15：30）
(3) 13:00 - 13:50
［招待講演］磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM）
○石垣隆士・河原尊之・竹村理一郎・小埜和夫・伊藤顕知（日立）・大野英男（東北大）
(4) 13:50 - 14:40
［招待講演］MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法
○寺本章伸・阿部健一・須川成利・大見忠弘（東北大）
(5) 14:40 - 15:30
［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解
○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大）
11月12日(金) 午前 （10：30～11：45）
(6) 10:30 - 10:55
高速応答の低ドロップアウト(LDO)レギュレータに関する研究
○Fouzhiwei Tong・範 公可（電通大）
(7) 10:55 - 11:20
形状シミュレーションによるSiO2及びSiエッチングのモデル化と、BiCSメモリホールエッチング
○市川尚志・一之瀬大吾・川端研二・玉置直樹（東芝）
(8) 11:20 - 11:45
自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション
○坪井秀行・稲葉賢二・伊勢真理子・林 由紀江・鈴木裕佳・佐藤裕美・小原幸子・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大）
−−− 昼食 （ 75分 ） −−−
11月12日(金) 午後 （13：00～15：55）
(9) 13:00 - 13:50
［招待講演］VLSI設計自動化の現状と将来展望
○高橋篤司（阪大）
(10) 13:50 - 14:15
インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング
○田中克彦・中村英之・上村大樹・竹内 幹・福田寿一・熊代成孝・最上 徹（MIRAI-Selete）
(11) 14:15 - 14:40
HV-MOSFETのオーバーラップ領域における2次元効果のモデル化
○田中昭洋・折附泰典・菊地原秀行・三宅正尭・マタウシュ ハンス ユルゲン・三浦道子（広島大）・リウ ヨン・グリーン キース（Texas Instruments）
(12) 14:40 - 15:05
SPICEモデルを用いた特性合わせ込みにおける誤差指標の提案
○坂本浩則・飯塚貴弘（ルネサス エレクトロニクス）
(13) 15:05 - 15:30
シリコンナノワイヤにおけるホール電流のひずみ依存性
○三成英樹（阪大/JST）・北山達郎・山本将央（阪大）・森 伸也（阪大/JST）
(14) 15:30 - 15:55
GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 ～ モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 ～
○仲野駿佑・大村泰久（関西大）
一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分
◆応用物理学会共催
☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日
12月17日(金) 京都大学(桂) [10月18日(月)] テーマ：シリコン関連材料の作製と評価
2011年2月7日(月) 機械振興会館 テーマ：配線・実装技術と関連材料技術
2011年2月23日(水)～24日(木) 北海道大学 百年記念会館 [12月8日(水)] テーマ：機能ナノデバイス及び関連技術
【問合先】
安斎 久浩(ソニー)
Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572
E-mail: Hisahiro.Ansai＠jp.sony.com
Last modified: 2010-10-01 12:02:13
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