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★電子デバイス研究会（ED）
専門委員長　葛西誠也 (北大)　　副委員長　新井学 (名大)
幹事　小山政俊 (阪工大)，山本佳嗣 (三菱電機)
幹事補佐　川原村敏幸 (高知工科大)，吉田智洋 (住友電工デバイス・イノベーション)

日時　2024年12月 5日(木)　13：30～17：00
　　　2024年12月 6日(金)　09：30～12：00

会場ウィンクあいち（愛知県産業労働センター）（愛知県名古屋市中村区名駅4丁目4-38．https://www.winc-aichi.jp/access/）

議題電子・イオンビーム応用，一般

12月5日(木) 午後 1106号室（13：30～17：00）

(1) 13:30 - 14:10
［招待講演］テラヘルツ波-電子変換技術を用いた真空管検出器
○河合直弥（浜松ホトニクス）

(2) 14:10 - 14:30
高電界印加された層状絶縁体における電子透過率のエネルギー依存性
河嶋祥吾（阪大）・小市崇央（阪大/産総研）・阿保　智・○若家冨士男（阪大）・長尾昌善・村上勝久（産総研）

(3) 14:30 - 14:50
電界誘起酸素エッチングで先鋭化されたW tipの組成分析
○黒田郁弥・樋上侑一郎・志摩惇紀・岩田達夫・永井滋一（三重大）

(4) 14:50 - 15:10
TiNコーティングを施したボルケーノ構造フィールドエミッタアレイのエージング前後の放出電流評価
○川﨑祐輔・村田英一（名城大）・村田博雅・長尾昌善（産総研）

−−−　休憩　（ 10分）　−−−

(5) 15:20 - 15:40
三極型大電力パルススパッタリングによるスピント型エミッタの作製と電子放出
○近藤　駿（成蹊大/産総研）・中野武雄・モハメッドシュルズミヤ（成蹊大）・長尾昌善・村田博雅（産総研）

(6) 15:40 - 16:00
エピタキシャル成長によるGraphene/h-BN積層構造を有する平面型電子源作製プロセスの最適化
○六川　蓮・鷹尾祥典（横浜国大）・山本将也・根尾陽一郎（静岡大）・長尾昌善・村田博雅・村上勝久（産総研）

(7) 16:00 - 16:20
カーボンナノチューブのエミッション電流パターンの計算(その2) ～水素原子をモデルとして周期的条件計算コードと非周期的条件計算コードの比較～
○樋口敏春，山田洋一・佐々木正洋（筑波大）

(8) 16:20 - 16:40
2次元セルオートマトンで観測される1/ƒゆらぎに対する外乱の寄与
○上田羽純・葛西誠也（北大）

(9) 16:40 - 17:00
空間電荷制限領域で動作する電界放射サイトの温度測定
○佐藤宏樹・根尾陽一郎・文　宗鉉（静岡大）

12月6日(金) 午前 1006号室（09：30～12：00）

(10) 09:30 - 10:10
［招待講演］高度化が進む真空ナノエレクトロニクスデバイス
○長尾昌善（産総研）

(11) 10:10 - 10:30
高密度エレクトロスプレースラスタの作製プロセスの改良
○清水翔太郎（横浜国大）・長尾昌善・村上勝久・村田博雅（産総研）・鷹尾祥典（横浜国大）

(12) 10:30 - 10:50
空間電荷効果を考慮した改良型一般3次元境界電荷法の開発
○鈴木悠斗・村田英一・田中祟之・六田英治（名城大）

−−−　休憩　（ 10分）　−−−

(13) 11:00 - 11:20
ショットキー接合型グラフェン平面電子源の開発
○村上勝久・村田博雅・長尾昌善（産総研）

(14) 11:20 - 11:40
グラフェン層での電子回折を利用したGraphene-Insulator-Semiconductor構造電子源の研究
○小市崇央（阪大/産総研）・河嶋祥吾・三宅広士・阿保　智・若家冨士男（阪大）・長尾昌善・村上勝久（産総研）

(15) 11:40 - 12:00
MgOを母材とした水熱合成法による深紫外線蛍光体の開発
○岡田昌大・根尾陽一郎・文　宗鉉（静岡大）・松本貴裕（名古屋市大）

一般講演：発表 20 分＋質疑応答 5 分

◎【重要・会場情報】初日、２日目で会場（フロア、部屋）が異なります。
初日： 1106号室
2日目： 1006号室

☆ED研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

12月19日(木)～20日(金) (予定)　東北大・通研　[10月22日(火)]　テーマ：ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム
2025年1月23日(木)～24日(金) (予定)　深谷公民館・深谷生涯学習センター　[11月17日(日)]　テーマ：化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般

【問合先】
山本佳嗣(三菱電機)
TEL: 06-6496-9660
E-mail: Ya