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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス) 副委員長 品田 高宏 (東北大) 幹事 黒田 理人 (東北大)， 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス) 幹事補佐 池田 浩也 (静岡大) 日時 2017年 1月30日(月) 10：00～16：30 会場 機械振興会館 地下3F 研修1（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8．東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分．http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html） 議題 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） 1月30日(月) 午前 （10：00～16：30） (1) 10:00 - 10:30 ［招待講演］等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 ○森 貴洋・浅井栄大・服部淳一・福田浩一・大塚慎太郎・森田行則・大内真一・更田裕司・右田真司・水林 亘・太田裕之・松川 貴（産総研） (2) 10:30 - 11:00 ［招待講演］Ge/III-V族半導体を用いたトンネルFET技術 ○高木信一・安 大煥・野口宗隆・後藤高寛・西 康一・金 閔洙・竹中充一（東大） (3) 11:00 - 11:30 ［招待講演］Experimental Study on Polarization-Limited Operation Speed of Negative Capacitance FET with Ferroelectric HfO2 ○小林正治・上山 望・蒋 京珉・平本俊郎（東大） (4) 11:30 - 12:00 ［招待講演］サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション ○太田裕之・池上 勉・服部淳一・福田浩一・右田真司（産総研）・鳥海 明（東大） −−− 昼食 （ 90分 ） −−− (5) 13:30 - 14:00 ［招待講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） (6) 14:00 - 14:30 ［招待講演］電圧トルクMRAM (VCM) 向け読み出し/書き込み回路と大容量キャッシュメモリへの応用 ○塩田陽一（産総研）・野口紘希・池上一隆・安部恵子・藤田 忍（東芝）・野崎隆行・湯浅新治（産総研）・鈴木義茂（阪大） (7) 14:30 - 15:00 ［招待講演］超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ ～ Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM ～ ○與田博明・下村尚治・大沢裕一・白鳥聡志・加藤侑志・井口智明・上国裕三・ブヤンダライ アルタンサガイ・斉藤好昭・鴻井克彦・杉山英行・及川壮一・清水真理子・石川瑞恵・池上一隆（東芝） −−− 休憩 （ 30分 ） −−− (8) 15:30 - 16:00 ［招待講演］General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation ○Xu Lun・Shibayama Shigehisa・Izukashi Kazutaka・Nishimura Tomonori・Yajima Takeaki（Univ. of Tokyo）・Migita Shinji（AIST）・Toriumi Akira（Univ. of Tokyo） (9) 16:00 - 16:30 ［招待講演］多様化するアナログ信号処理に向けた新規機能性受動素子 ～ VO2揮発性スイッチの作製と応用 ～ ○矢嶋赳彬・西村知紀・鳥海 明（東大） 招待講演：発表 25 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2月6日(月) 東京大学/本郷 [11月18日(金)] テーマ：配線・実装技術と関連材料技術 2月24日(金) 北海道大学百年記念会館 [12月16日(金)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 4月20日(木)～21日(金) 龍郷町生涯学習センター [2月19日(日)] テーマ：有機エレクトロニクス、シリコンデバイス、バイオテクノロジー、新規機能性材料、薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス、材料・評価技術および一般 【問合先】 黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-mail:        e3   Last modified: 2016-12-16 14:59:58 |
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