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１日目のセッション終了後に懇親会を開催いたします．

★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長　浅野種正　　副委員長　杉井寿博
幹事　大野守史，川中繁
幹事補佐　松井裕一

日時　2007年 6月 7日(木)　13：30～17：10
　　　2007年 6月 8日(金)　09：00～15：55

会場広島大学東広島キャンパス学士会館２階ホール（東広島市鏡山1丁目2－2．JR西条駅から広島大行きバス15分「広大中央口」下車徒歩10分、キャンパスMAP：http://www.hiroshima-u.ac.jp/add_html/access/ja/saijyo2.html．東広島キャンパスへのアクセス：http://www.hiroshima-u.ac.jp/category_view.php?folder_name=access&lang=ja．広島大学大学院先端物質科学研究科宮崎誠一．082-424-7656）

議題ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催）

6月7日(木) 午後（13：30～17：10）

(1) 13:30 - 13:55
MONOS型不揮発メモリの電子および正孔トラップ解析
○石田　猛・山田廉一・鳥居和功（日立）・白石賢二（筑波大）

(2) 13:55 - 14:20
Si3N4/Si-rich Nitride(SRN)/Si3N4積層膜の電子捕獲特性
○峰　利之・石田　猛・濱村浩孝・鳥居和功（日立）

(3) 14:20 - 14:45
窒化膜中のキャリア移動度測定手法とMONOSメモリのデータ保持特性への応用
○片山弘造・石川清志（ルネサステクノロジ）

(4) 14:45 - 15:10
プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測
○三浦真嗣・大田晃生・村上秀樹・東　清一郎・宮崎誠一（広島大）・鴻野真之・西田辰夫・中西敏雄（東京エレクトロン）

−−−　休憩　（ 20分）　−−−

(5) 15:30 - 15:55
SiO2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案
○高田幸宏・村口正和・白石賢二（筑波大）

(6) 15:55 - 16:20
大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価
○熊谷勇喜・寺本章伸・須川成利・諏訪智之・大見忠弘（東北大）

(7) 16:20 - 16:45
B添加Pd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調
○白石博之・細井卓治・大田晃生・宮崎誠一・芝原健太郎（広島大）

(8) 16:45 - 17:10
高圧水蒸気処理によるSiO2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性
○矢野裕司・武田大輔・畑山智亮・浦岡行治・冬木　隆（奈良先端大）

−−−　休憩　（ 20分）　−−−

−−−　懇親会　（ 90分）　−−−

6月8日(金) 午前（09：00～15：55）

(9) 09:00 - 09:25
プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造
○寺本章伸・荒谷　崇・樋口正顕（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・野平博司（武蔵工大）・須川成利・大見忠弘・服部健雄（東北大）

(10) 09:25 - 09:50
極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果
○寺井真之・藤枝信次（NEC）

(11) 09:50 - 10:15
SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング
○下川淳二・遠田利之・青木伸俊・谷本弘吉・伊藤早苗・豊島義明（東芝）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(12) 10:30 - 10:55
HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果
○田村知大・内藤達也（筑波大）・佐藤基之・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・蓮沼　隆・山部紀久夫（筑波大）

(13) 10:55 - 11:20
LaAlO/Si基板界面への１原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証
○高島　章・西川幸江・清水達雄・鈴木正道・松下大介・吉木昌彦・富田充裕・山口　豪・小山正人・福島　伸（東芝）

(14) 11:20 - 11:45
ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果～堆積時窒化によるEOT増加抑制効果～
○佐藤創志・舘　喜一・宋　在烈・角嶋邦之・パールハットアヘメト・筒井一生・杉井信之・服部健雄・岩井　洋（東工大）

−−−　昼食　（ 60分）　−−−

(15) 12:45 - 13:10
熱処理雰囲気に依存したLaAlO3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価
○鈴木正道・土屋義規・小山正人（東芝）

(16) 13:10 - 13:35
スパッタ法によるLaAlO3の成膜と電気特性の評価
○西岡　浩・菊地　真・木村　勲・神保武人・鄒　紅コウ（アルバック）

(17) 13:35 - 14:00
Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御
○喜多浩之・能村英幸・鈴木　翔・高橋俊岳・西村知紀・鳥海　明（東大）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(18) 14:15 - 14:40
光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価
○大田晃生・中川　博・村上秀樹・東　清一郎・宮崎誠一（広島大）

(19) 14:40 - 15:05
ゲルマニウム窒化膜の形成と評価
○朽木克博・岡本　学・細井卓治・志村考功・安武　潔・渡部平司（阪大）

(20) 15:05 - 15:30
Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge MIS構造の特性
○前田辰郎・森田行則・西澤正泰（産総研）・高木信一（産総研/東大）

(21) 15:30 - 15:55
Ｇｅ基板上へのＰｒ酸化膜の作製と評価
○坂下満男・鬼頭伸幸（名大）・酒井　朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大）

◆応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催

◎初日の研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください．

☆SDM研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

6月25日(月)～27日(水)　Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州，韓国　[4月12日(木)]　テーマ：第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ
8月23日(木)～24日(金)　北見工業大学　[6月18日(月)]　テーマ：VLSI回路、デバイス技術（高速、低電圧、低消費電力）

【問合先】
西岡泰城（日本大学理工学部精密機械工学科）
TEL047-469-6482,FAX047-467-9504
E-mail: