4月17日(木) 午前  09:25 - 17:00
(1)	09:25-10:15	［招待講演］非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ ICD2008-1	○佐々木貴彦・川澄　篤・矢部友章・武山泰久・平林　修・櫛田桂一（東芝）・東畑晃史（東芝マイクロエレクトロニクス）・片山　明・深野　剛・藤村勇樹・大塚伸朗（東芝）
(2)	10:15-11:05	［招待講演］NMOSおよびPMOSの基板バイアスを個別制御した65nm SRAM ICD2008-2	○山岡雅直（日立）・前田徳章・島崎靖久（ルネサステクノロジ）・長田健一（日立）
	11:05-11:15	休憩　（ 10分 ）
(3)	11:15-12:05	［招待講演］833MHz周波数動作グラフィックス用途向け疑似2ポートeDRAM ICD2008-3	○加来真理子・岩井　斎・永井　健・和田政春・鈴木　淳・高井智久・糸賀尚子・宮崎隆行・岩井隆之（東芝）・竹中博幸（東芝マイクロエレクトロニクス）・北城岳彦・宮野信治・大塚伸朗（東芝）
	12:05-13:05	昼食　（ 60分 ）
(4)	13:05-13:55	［招待講演］コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術 ICD2008-4	○白井浩樹・石川亮佑・伊藤雄一・北村卓也・竹内麻美・佐甲　隆・井上　顕・川崎　澄・勝木信幸・星崎博之・桑原愼一・夏目秀隆・坂尾眞人・谷川高穂（NECエレクトロニクス）
(5)	13:55-14:20	43nmCMOS技術を用いた120mm2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発 ICD2008-5	○中村　大・神田和重・小柳　勝・山村俊雄・細野浩司・吉原正浩（東芝）・三輪　達・加藤洋介（サンディスク）・Alex Mak・Siu Lung Chan・Frank Tsai・Raul Cernea・Binh Le（サンディスクコーポレーション）・牧野英一・平　隆志（東芝）
(6)	14:20-15:10	［招待講演］SSD動向とNANDフラッシュメモリ ICD2008-6	○竹内　健（東大）
	15:10-15:20	休憩　（ 10分 ）
(7)	15:20-17:00	［パネル討論］大容量フラッシュメモリの可能性を探る ～ 進行するフラッシュ革命のインパクト ～ ICD2008-7	○梶谷一彦（エルピーダメモリ）・篠崎直治（Spansion）・柿原俊男（日立グローバルストレージテクノロジーズ）・神田和重（東芝）・小林三千夫（Spansion）・佐圓　真（日立）・杉林直彦（NEC）・竹内　健（東大）・塚澤寿夫（東芝）
4月18日(金) 午前  10:00 - 16:35
(8)	10:00-10:25	2ポートアンチヒューズセルを格子状に配置した65nm Pure CMOSプロセスで搭載可能なOne-time Programmableメモリ ICD2008-8	○松藤謙介・行川敏正・中野浩明・伊藤　洋・和田　修・大塚伸朗（東芝）
(9)	10:25-11:15	［招待講演］自動車用MCU対応8kB EEPROMエミュレーションデータフラッシュモジュールと混載フラッシュの動向 ICD2008-9	○河井伸治・細金　明・久家重博・阿部俊広・橋本康平・大石　司・辻　直樹・榊原清彦・野口健二（ルネサステクノロジ）
(10)	11:15-12:05	［招待講演］電子システムの環境中性子線起因のエラーの現状と対策 ～ マルチノードアップセット問題の対応 ～ ICD2008-10	○伊部英史（日立）
	12:05-13:05	昼食　（ 60分 ）
(11)	13:05-13:55	［招待講演］二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子 ICD2008-11	○大場竜二・三谷祐一郎・杉山直治・藤田　忍（東芝）
(12)	13:55-14:20	共有書き込みトランジスタセルとリーク電流複製読み出し方式を用いた4-Mb MRAMマクロ ICD2008-12	○根橋竜介・崎村　昇・杉林直彦・本庄弘明・齊藤信作・加藤有光・笠井直記（NEC）
(13)	14:20-14:45	半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz,1Mb-MRAMマクロ ICD2008-13	○崎村　昇・杉林直彦・根橋竜介・本庄弘明・斉藤信作・加藤有光・笠井直記（NEC）
(14)	14:45-15:10	TbCoFe/CoFe垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証 ICD2008-14	○中山昌彦・甲斐　正・下村尚治・天野　実・北川英二・永瀬俊彦・吉川将寿・岸　達也・池川純夫・與田博明（東芝）
	15:10-15:20	休憩　（ 10分 ）
(15)	15:20-16:10	［招待講演］二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性 ICD2008-15	○玉井幸夫（シャープ）・島　久・秋永広幸（産総研）・細井康成・大西茂夫・粟屋信義（シャープ）
(16)	16:10-16:35	先端不揮発性メモリの将来展望とそのBiCS型積層化に関する基礎検討 ～ FeRAMのBiCS型積層化に関する基礎検討 ～ ICD2008-16	○渡辺重佳（湘南工科大）

問合先と今後の予定
ICD	集積回路研究会（ICD）   [今後の予定はこちら]
	問合先	相本代志治 (NECエレクトロニクス) TEL 044-435-1258,FAX 044-435-1878 E-:aicel

Last modified: 2008-03-07 15:32:20