11月28日(木) 午前  10:30 - 17:30
	10:30-10:35	委員長挨拶　（ 5分 ）
(1)	10:35-11:00	InGaN半導体レーザのワット級高出力化とその応用展開 ED2013-64 CPM2013-123 LQE2013-99	○萩野裕幸・左文字克哉・吉田真治・瀧川信一・森本　廉・瀧澤俊幸・春日井秀紀・山中一彦・片山琢磨（パナソニック）
(2)	11:00-11:25	m面GaNの異方性ドライエッチングによるテクスチャーの形成とこれによるLED光取り出し効率の向上 ED2013-65 CPM2013-124 LQE2013-100	○藤田稔之・山田篤志・井上　彰・加藤　亮・横川俊哉（パナソニック）
(3)	11:25-11:50	350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究 ED2013-66 CPM2013-125 LQE2013-101	○中嶋　翼・竹田健一郎・岩谷素顕・上山　智・竹内哲也・赤﨑　勇（名城大）・天野　浩（名大）
(4)	11:50-12:15	内部集光レーザを用いた窒化物半導体デバイス用基板のそり制御 ～ シリコン基板への応用 ～ ED2013-67 CPM2013-126 LQE2013-102	○青田奈津子・会田英雄・武田秀俊（並木精密宝石）
	12:15-13:30	昼食，休憩　（ 75分 ）
(5)	13:30-13:55	表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103	○西田将太・梁　剣波・森本雅史・重川直輝（阪市大）・新井　学（新日本無線）
(6)	13:55-14:20	表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成 ED2013-69 CPM2013-128 LQE2013-104	○梁　剣波・西田将太・森本雅史・重川直輝（阪市大）
(7)	14:20-14:45	InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105	○渡邉則之・満原　学・横山春喜（NTT）・梁　剣波・重川直輝（阪市大）
(8)	14:45-15:10	GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106	○塩島謙次・木原雄平・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属）
(9)	15:10-15:35	低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作 ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107	○塩島謙次・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属）
	15:35-15:50	休憩　（ 15分 ）
(10)	15:50-16:15	高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 ED2013-73 CPM2013-132 LQE2013-108	○前川拓也・本田善央・天野　浩・西谷智博（名大）
(11)	16:15-16:40	MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 ED2013-74 CPM2013-133 LQE2013-109	○若杉侑矢・本田善央・天野　浩（名大）
(12)	16:40-17:05	A novel method for crystallizations of aluminum nitride ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110	○PeiTsen Wu・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.）
(13)	17:05-17:30	トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討 ED2013-76 CPM2013-135 LQE2013-111	○黒川泰視・合田智美・加賀　充・岩谷素顕・竹内哲也・上山　智（名城大）・赤﨑　勇（名城大/名大）・天野　浩（名大）
11月29日(金) 午前  09:30 - 17:10
(14)	09:30-09:55	赤色発光Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸構造のOMVPE成長と発光特性 ED2013-77 CPM2013-136 LQE2013-112	○荒居孝紀・若松龍太・李　東建・小泉　淳・藤原康文（阪大）
(15)	09:55-10:20	有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定 ED2013-78 CPM2013-137 LQE2013-113	○桒田宗一郎・小泉　淳・藤原康文（阪大）
(16)	10:20-10:45	加圧MOVPE法によるInGaN厚膜成長に関する研究	○山下康平・本田善央・山口雅史・天野　浩（名大）
	10:45-11:00	休憩　（ 15分 ）
(17)	11:00-11:25	薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長 ED2013-79 CPM2013-138 LQE2013-114	○片桐正義・泉　健太・三宅秀人・平松和政（三重大）・奥　秀彦・浅村英俊・川村啓介（エア・ウォーターR&D）
(18)	11:25-11:50	サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長 ED2013-80 CPM2013-139 LQE2013-115	○西尾　剛・鈴木周平・三宅秀人・平松和政（三重大）・福山博之（東北大）
(19)	11:50-12:15	減圧HVPE成長を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御 ED2013-81 CPM2013-140 LQE2013-116	○北川　慎・三宅秀人・平松和政（三重大）
	12:15-13:30	昼食，休憩　（ 75分 ）
(20)	13:30-13:55	270nm帯深紫外LEDの大面積形成 ED2013-82 CPM2013-141 LQE2013-117	○美濃卓哉（理研/パナソニック）・平山秀樹（理研）・野口憲路・高野隆好・椿　健治（理研/パナソニック）
(21)	13:55-14:20	透明p型AlGaNを用いた高効率深紫外LEDの実現 ED2013-83 CPM2013-142 LQE2013-118	○前田哲利・平山秀樹（理研）
(22)	14:20-14:45	AlGaN系深紫外LEDの開発 ED2013-84 CPM2013-143 LQE2013-119	○一本松正道・平野　光（創光科学）・天野　浩（名大）・赤崎　勇（名城大）
(23)	14:45-15:10	高効率深紫外LEDを目指したピラーAlNバッファーの開発 ED2013-85 CPM2013-144 LQE2013-120	○豊田史朗（埼玉大/理研）・平山秀樹（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）
	15:10-15:25	休憩　（ 15分 ）
(24)	15:25-15:50	ALD-Al2O3を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響 ED2013-86 CPM2013-145 LQE2013-121	○千葉勝仁・中野拓真・赤澤正道（北大）
(25)	15:50-16:15	ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの界面特性 ED2013-87 CPM2013-146 LQE2013-122	○樹神真太郎・徳田博邦・葛原正明（福井大）
(26)	16:15-16:40	電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性 ED2013-88 CPM2013-147 LQE2013-123	○熊崎祐介・渡部晃生・谷田部然治・佐藤威友（北大）
(27)	16:40-17:05	GaN-HEMTスイッチング回路における不要電磁波の放射特性の評価 ED2013-89 CPM2013-148 LQE2013-124	○井手利英・鍛冶良作・清水三聡（産総研）・水谷研治・上野弘明・大塚信之・上田哲三・田中　毅（パナソニック）
	17:05-17:10	委員長挨拶　（ 5分 ）

問合先と今後の予定
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	佐藤 知正（神奈川大学） TEL 045-481-5661, FAX 045-491-7915 E-: ut02-u
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	上田 哲三（パナソニック) TEL：06-6906-4940 Fax :06-6906-2426 E-： zopac 葛西 誠也（北海道大） TEL : 011-706-6509 Fax : 011-716-6004 E- : irciqei
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）   [今後の予定はこちら]
	問合先	田中 有（富士通研究所） TEL 046-250-8251, FAX 046-250-8146 E-: _ 有賀 博 （三菱電機） TEL 0467-41-2906，FAX 0467-41-2519 E-: AHiabMibiElectc
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
		◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。

Last modified: 2013-09-20 23:28:30