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電子デバイス研究会（ED）

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専門委員長		加地徹 (豊田中研)
副委員長		原直紀 (富士通研)
幹事		須原理彦 (首都大東京)，上田哲三 (パナソニック)
幹事補佐		葛西誠也 (北大)，松永高治 (NEC)

シリコン材料・デバイス研究会（SDM）

[schedule] [select]

専門委員長		奈良安雄 (富士通セミコンダクター)
副委員長		大野裕三 (筑波大)
幹事		野村晋太郎 (筑波大)，笹子佳孝 (日立)

日時	2013年 2月27日(水)　13:30 - 17:45 2013年 2月28日(木)　09:00 - 12:10
議題	機能ナノデバイスおよび関連技術
会場名	北海道大学百年記念会館
住所	〒060-0809 札幌市北区北9条西6丁目
交通案内	ＪＲ「札幌駅」下車、徒歩10分 http://www.hokudai.ac.jp/introduction/campus/100th/
会場世話人連絡先	大学院情報科学研究科葛西誠也 011-706-3211（会場）
他の共催	◆応用物理学会共催
お知らせ	◎初日研究会終了後、懇親会を予定しております。ぜひご参加下さい。
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

2月27日(水) 午後 13:30 - 17:45
(1)	13:30-14:10	［招待講演］グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果 ED2012-128 SDM2012-157	○町田友樹（東大/JST）・増渕　覚・大貫雅広・井口和之・森川　生・山口健洋・荒井美穂（東大）・渡邊賢司・谷口　尚（物質・材料研究機構）
(2)	14:10-14:35	外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化 ED2012-129 SDM2012-158	○池田浩也・鈴木悠平・三輪一聡（静岡大）・ファイズサレ（静岡大/学振）
(3)	14:35-15:00	電気化学堆積法と電気泳動法によるCu2O/TiO2ヘテロ接合太陽電池の作製 ED2012-130 SDM2012-159	○加藤義人・市村正也（名工大）
(4)	15:00-15:25	イオン注入による欠陥準位導入によってシリコン太陽電池の効率は改善するか ED2012-131 SDM2012-160	○榊原宏武・和田耕司・加藤正史・市村正也（名工大）
	15:25-15:40	休憩　（ 15分）
(5)	15:40-16:05	Individual Dopant Nature in Si Lateral Nano-pn Junctions ED2012-132 SDM2012-161	○Sri Purwiyanti・Arief Udhiarto（Shizuoka Univ./Univ. Indonesia）・Roland Nowak（Shizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.）・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.）・Djoko Hartanto（Univ. Indonesia）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）
(6)	16:05-16:30	フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性 ED2012-133 SDM2012-162	○孫　屹・木村祐太・前元利彦・佐々誠彦（阪工大）・葛西誠也（北大）
(7)	16:30-16:55	グラフェン3分岐接合デバイスの試作と論理回路応用の検討 ED2012-134 SDM2012-163	○殷　翔・葛西誠也（北大）
(8)	16:55-17:20	Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET ED2012-135 SDM2012-164	○前澤宏一・伊藤泰平・角田　梓・中山幸二・安井雄一郎・森　雅之（富山大）・宮崎英志・水谷　孝（名大）
(9)	17:20-17:45	InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス ED2012-136 SDM2012-165	○船山裕晃・渡邉龍郎・道又賢司・和保孝夫・村上　新・下村和彦（上智大）
2月28日(木) 午前 09:00 - 12:10
(10)	09:00-09:25	室温動作単電子トランジスタとCMOS1-bitアナログセレクタの集積化 ED2012-137 SDM2012-166	○鈴木龍太・野末喬城・更屋拓也・平本俊郎（東大）
(11)	09:25-09:50	二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価 ED2012-138 SDM2012-167	○内田貴史・竹中浩人・吉岡　勇・有田正志（北大）・藤原　聡（NTT）・高橋庸夫（北大）
(12)	09:50-10:15	散逸要素を組み込んだ単一電子素子・単一磁束量子素子での間欠発振 ED2012-139 SDM2012-168	○水柿義直（電通大）
(13)	10:15-10:40	超伝導島電極を有する強磁性SETにおける磁気抵抗比の極性とトンネル抵抗値の相関 ED2012-140 SDM2012-169	○滝口将志・守屋雅隆・島田　宏・水柿義直（電通大）
	10:40-10:55	休憩　（ 15分）
(14)	10:55-11:20	SPMスクラッチ法を用いたナノスケール加工のグラフェンへの適用 ED2012-141 SDM2012-170	○須田隆太郎・齋藤孝成・吉田　卓（東京農工大）・Ampere A. Tseng（Arizona State Univ.）・白樫淳一（東京農工大）
(15)	11:20-11:45	ジュール加熱されたグラフェンの近赤外イメージングによるその場温度測定 ED2012-142 SDM2012-171	○齋藤孝成・厚母息吹・須田隆太郎・伊藤光樹・白樫淳一（東京農工大）
(16)	11:45-12:10	CNT添加カーボンファイバの電気的特性 ED2012-143 SDM2012-172	○綿貫雄仁・田中　朋・佐野栄一・古月文志（北大）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分
招待講演	発表 35 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED） [今後の予定はこちら]
	問合先	須原理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E- : t 上田哲三（パナソニック) TEL：075-956-8273、FAX：075-956-9110 E-： zopac
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	小野行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-: o